パワーデバイス（耐圧80V以上）

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三菱電機が第5世代SiC-MOSFETを開発、オン抵抗を25％削減し業界トップクラスに

2035年のパワー半導体市場は7兆3495億円に倍増、酸化ガリウムが149億円規模に

高温時のオン抵抗を3割削減、ロームの「第5世代SiC MOSFET」

ローム東芝三菱電機の半導体事業統合、シナジー創出では「工場再編」が議題に

インフィニオンのSiCデバイスがトヨタ自動車の新型「bZ4X」に採用

東芝の2つの次世代ゲート駆動技術がSiCデバイスの損失削減に寄与、ISSCCで発表

1μF以下の極小コンデンサーでも安定動作する500mA対応LDOレギュレーター

電力損失を半減したトレンチ型SiC-MOSFETチップ4品種を開発

損失を半減する次世代縦型GaNパワー半導体、AIやEVの効率化を推進

ロームとインフィニオンがSiCパッケージを共通化、調達の柔軟性を拡大へ

第4世代SiC MOSFETが中国向け新型BEVのトラクションインバーターに採用

産業やエネルギー、医療分野向けの高絶縁小型DC-DCコンバーター

オムロンがパワーエレクトロニクスの研究開発拠点新設、京都で100人規模採用へ

GaNデバイスの真価は縦型にあり、豊田合成がGaNウエハーとGaN-MOSFETを披露

デンソーがSiCウエハーの生産効率を15倍に、新開発のゲート駆動ICで効率1割増し

車載充電器のPFC回路やLLCコンバーターに最適なSiCモールドタイプモジュール

世界初となるショットキーダイオード内蔵の産業用GaNパワートランジスタ

パワー半導体のスイッチング損失を3割削減できるゲート駆動回路、適用範囲が5倍に

650V耐圧のGaN-HEMTがAIサーバ向け電源ユニットに採用

650V耐圧GaN-HEMTのTOLLパッケージ品を量産開始、小型と高効率化のニーズに対応

ロームの新社長に東克己氏、工場再編含めた抜本的構造改革の断行で業績回復へ

高電圧機器の高効率化／小型化を可能にするSiC-SBD

STマイクロが第4世代SiC-MOSFETを発表、第5世代以降のロードマップも

普及するSiCパワー半導体固有の劣化検査サービス開始、正しい省エネ性能を確保へ

Siパワー半導体でSiCと同等レベルの低損失を実現、シャープのFCR回路技術

サージ電圧を最小限に抑制する設計を採用したSiCパワーモジュール

日本TIが効率99％超のGaNベースIPMを発表、白物家電のモーター制御に最適

GaN FETのデッドタイムをほぼ0に、アナログ・デバイセズが高効率化製品群

インフィニオンのSiC-MOSFETは第2世代へ、質も量も圧倒

日本TIが電力変換デバイスの新製品、GaNパワーステージと絶縁型DC-DCモジュール

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