　オン抵抗の異なる4品種をラインアップした。20mΩの「WF0020P0750AA」、40mΩの「WF0040P0750AA」、60mΩの「WF0060P0750AA」、80mΩの「WF0080P0750AA」で、いずれも表面電極ははんだ接合に、裏面電極ははんだ接合とAg焼結接合に対応する。EV用トラクションインバーターやオンボードチャージャーなど、多様な機器への組み込みが可能だ。

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光電融合やカーボンリサイクルなど将来技術で市場を切り開く三菱電機の研究戦略
三菱電機は、研究開発戦略について発表。中心となるコンポーネントでの技術力を基軸としつつ、AIや自律制御などのデジタル技術を組み合わせることで新たな価値創出に取り組む。また、将来に向けた「フォアサイトテクノロジー」として「光電融合技術」「カーボンリサイクル技術」「量子技術」を強化する。
三菱電機がxEV用パワー半導体モジュールの新製品、SiC-MOSFET前提に設計刷新
三菱電機がEVやPHEVなどxEVのモーター駆動に用いるパワー半導体モジュールの新製品「J3シリーズ」について説明。同社の車載パワー半導体モジュールの量産品として初めてSiC-MOSFETを搭載しており、従来品と比べてモジュールサイズを60％削減するなどモーターを駆動するインバーターの小型化に大きく貢献できる。
デンソーと三菱電機が米国材料企業に総額1500億円出資、SiC基板の安定調達に向け
米国コヒレントとデンソー、三菱電機は、同年4月にコヒレントが設立したSiCウエハーの製造などを手掛ける事業会社に対して、デンソーが5億米ドル、三菱電機が5億米ドル、総額10億米ドル（約1500億円）を出資することで合意したと発表した。
三菱電機がSBD内蔵SiC-MOSFETのサージ電流集中の原因を解明、新チップ構造で克服
三菱電機が大容量のフルSiCパワーモジュールでもSBD内蔵SiC-MOSFETを適用可能とする新たなチップ構造について説明。同技術を適用した大型産業機器向け3.3kVフルSiCパワーモジュールのサンプル出荷も始めている。
三菱電機のパワーデバイス事業は2030年度にSiC比率30％へ、鍵はモジュール技術
三菱電機が重点成長事業の一つであるパワーデバイス事業を含めた半導体・デバイス事業の戦略について説明。SiCモジュールをEV向けに展開するなどして、2030年度のパワーデバイス事業におけるSiC関連の売上高比率を30％以上に高めたい考えだ。
三菱電機がSiCパワー半導体の前工程新工場を熊本県に建設、1000億円を投資
三菱電機は、SiCパワー半導体の生産体制強化に向け、熊本県泗水地区の拠点に新工場を建設することを発表した。合わせて、パワーデバイス事業における2021～2025年度までの累計設備投資額を、従来計画の2倍となる約2600億円に引き上げる。