　米国コヒレント（Coherent）とデンソー、三菱電機は2023年10月10日（現地時間）、同年4月にコヒレントが設立したSiC（シリコンカーバイド）ウエハーの製造などを手掛ける事業会社のSilicon Carbideに対して、デンソーが5億米ドル（約750億円）、三菱電機が5億米ドル、総額10億米ドル（約1500億円）を出資することで合意したと発表した。出資完了時期は2024年1～3月期を予定している。

　SiC事業会社のSilicon Carbideの出資比率は、コヒレントが75％、デンソーと三菱電機がそれぞれ12.5％となる。デンソー、三菱電機は、Silicon Carbideへの出資により、6インチ（150mm）と8インチ（200mm）のSiC基板とエピタキシャルウエハーの長期安定調達を図る。

　Silicon Carbideの代表には、コヒレントのエグゼクティブバイスプレジデントでニューベンチャー＆ワイドバンドギャップ・エレクトロニクス技術統括責任者を務めるソハイル・カーン（Sohail Khan）氏が就任する。本社所在地は、コヒレントがペンシルバニア州サクソンバーグにあるのに対し、Silicon Carbideはデラウェア州ウィルミントンとなっている。

SiCデバイスの市場規模は2030年に210億米ドルへ

　次世代パワー半導体であるSiCデバイスの市場規模は、2022年の約30億米ドルから2030年には210億米ドルに拡大するという予測もあり大きく期待されている。

　光学材料や半導体材料を手掛けるコヒレントは、20年以上にわたってSiC材料分野の研究開発に注力しており、2021年8月には10年間で1億米ドルを投資する方針を発表していた。今回、デンソーと三菱電機から調達した10億米ドルの資金を用いて、SiC基板とエピタキシャルウエハーの製造能力を拡張し、SiCウエハー市場における地位を盤石なものにしたい考えだ。

　デンソーは、Silicon Carbideへの出資により、EV（電気自動車）向けシステムの電力損失低減、小型化、軽量化に大きく貢献するキーデバイスの材料としてSiCウエハーの長期安定調達を図る。

　一方、三菱電機はコヒレントから長年にわたり6インチSiC基板の供給を受けており、今回の出資に併せて8インチSiC基板の共同開発を進めることで、2026年に稼働予定の8インチSiC基板に対応した新工場（熊本県菊池市）向けの安定調達を図る狙いがある。

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