　Infineon Technologies（インフィニオン）は2025年4月14日、ショットキーダイオードを内蔵した産業用GaN（窒化ガリウム）トランジスタ「CoolGaNトランジスタG5ファミリー」を発表した。デッドタイム損失を抑えることで、電力システムの性能向上とシステム全体の高効率化に寄与する。

ショットキーダイオード内蔵の「CoolGaNトランジスタG5」［クリックで拡大］出所：Infineon Technologies

　これまで電源設計エンジニアの多くは、ショットキーダイオードを外付けしてGaNトランジスタと並列接続するか、コントローラー経由でデッドタイムの短縮を図っていた。また、従来のGaNトランジスタは、しきい値電圧がシリコンダイオードのターンオン電圧より高いため、第3象限という逆導通動作中の不利な状況が生じていた。

　ショットキーダイオードを内蔵した同ファミリーは、逆導通損失が低く、さまざまなハイサイドゲートドライバと互換性を備える。これにより、デッドタイム条件を緩和でき、使用可能なコントローラーの選択肢が広がる。設計を簡素化できるため、労力や時間、コストの低減につながる。

　サーバや通信IBC、DC-DCコンバーター、USB-Cバッテリー充電器用同期整流器、高出力PSU、モータードライブ用途に適している。同ファミリーの中で最初にリリースされるのは、3×5mm PQFNパッケージの100V 1.5mΩトランジスタだ。

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