　第1フェーズへの投資額は20億ユーロ（約3236億円）で、第1フェーズでは高効率な200mm SiC（シリコンカーバイド）パワー半導体をメインに、GaN（窒化ガリウム）エピタキシーも製造する予定だ。また、第1フェーズでは高度で専門的なスキルを持つ人材を900人雇用する。最大50億ユーロ（約8090億円）を投資する第2フェーズを含めると、最大4000人の雇用が創出される。

パワー半導体新工場の第1フェーズを開設［クリックで拡大］出所：Infineon Technologies

　SiCパワー半導体は、電気の効率的なスイッチングにより高出力アプリケーションの小型設計を促進し、EV（電気自動車）、急速充電ステーション、鉄道、再生可能エネルギーシステム、AI（人工知能）データセンターなどの効率を向上するため、今後、需要の増加が見込まれる。

200mm SiCパワー半導体新工場［クリックで拡大］出所：Infineon Technologies

　大規模投資によるSiCパワー半導体工場の開設は、世界的な半導体ハブとしてのマレーシアの位置付けを強化するものだ。また、地域社会に高付加価値雇用を創出し、サプライヤーや大学、優秀な人材を引き付ける。さらには、電化の進展やEV、再生可能エネルギーなど多くのアプリケーションの効率が向上することで、マレーシアの脱炭素化にも貢献する。

⇒その他の「工場ニュース」の記事はこちら

半導体露光機で日系メーカーはなぜASMLに敗れたのか
法政大学イノベーション・マネジメント研究センターのシンポジウム「海外のジャイアントに学ぶビジネス・エコシステム」では、日本における電子半導体産業の未来を考えるシンポジウム「海外のジャイアントに学ぶビジネス・エコシステム」を開催。半導体露光機業界で日系企業がオランダのASMLに敗れた背景や理由について解説した。
インフィニオンのSiC-MOSFETは第2世代へ、質も量も圧倒
インフィニオンが第2世代のSiC-MOSFET製品の特徴や製品ラインアップについて説明。前世代と比べて5～20％の損失削減が可能であり、競合他社の製品との比較でも圧倒的な優位性を発揮するという。製品ラインアップの拡充も図り、マレーシアのクリム工場への大規模投資などにより量産規模も拡大していく方針である。
インフィニオンはSiCとGaNで車載充電器を高効率化、オムロンの充電スタンドにも
インフィニオンテクノロジーズは、「ネプコンジャパン2024」の「第1回パワーデバイス＆モジュールEXPO」において、SiCやGaNなどの次世代パワー半導体を用いたEV向け車載充電器を展示した。
インフィニオンがセンサー製品群「XENSIV」をアピール、開発検討中の製品も披露
インフィニオンテクノロジーズジャパンがセンサーブランド「XENSIV」製品群の事業展開について説明。注力4市場の今後5年間の年平均成長率見込みである17.1％を大きく上回る売上高の拡大を目指していく方針である。
TSMCが欧州に初の半導体工場建設、総投資1兆6000億円で2027年稼働へ
台湾の半導体製造大手TSMCが欧州で初となる半導体工場を建設する。
独ドレスデンにパワー半導体の新工場建設、インフィニオンが過去最大7200億円投資
Infineon Technologiesは、ドイツのドレスデンに、アナログ、ミックスドシグナル、パワー半導体の300mmウエハー工場を新たに建設する。総額約50億ユーロという、同社単独では過去最大金額の投資となる。