サージ電圧を最小限に抑制する設計を採用したSiCパワーモジュール
新電元工業は、民生および産業機器向けのSiCパワーモジュール「MG074」のサンプル出荷を発表した。新たに開発したパッケージを採用し、搭載するSiC-MOSFETの性能を最大限に引き出している。
STマイクロが第4世代SiC-MOSFETを発表、第5世代以降のロードマップも
STマイクロエレクトロニクスが従来と比べて電力効率や電力密度、堅牢性を大幅に向上する第4世代SiC-MOSFETを発表。2025年第1四半期以降に提供を開始する予定で、その後2027年に向けてプレーナー構造をベースにした第5世代の開発や、高温動作時に極めて低いオン抵抗を実現する技術の導入などを進めていく方針である。
レゾナックがソイテックとSiCパワー半導体向け貼り合わせ基板の共同開発契約締結
レゾナックは、先進的な半導体基板材料を製造するフランスのソイテックと、パワー半導体に使用される8インチの炭化ケイ素SiCエピウエハーの材料となる8インチSiC貼り合わせ基板の共同開発契約を締結した。
普及するSiCパワー半導体固有の劣化検査サービス開始、正しい省エネ性能を確保へ
OKIエンジニアリングは、SiCパワー半導体固有の劣化モードに対する評価サービスを開始する。JEITAやJEDECにおける規格に準拠した「AC-BTI試験サービス」を実施する。
インフィニオンのSiC-MOSFETは第2世代へ、質も量も圧倒
インフィニオンが第2世代のSiC-MOSFET製品の特徴や製品ラインアップについて説明。前世代と比べて5～20％の損失削減が可能であり、競合他社の製品との比較でも圧倒的な優位性を発揮するという。製品ラインアップの拡充も図り、マレーシアのクリム工場への大規模投資などにより量産規模も拡大していく方針である。
三菱電機がxEV用パワー半導体モジュールの新製品、SiC-MOSFET前提に設計刷新
三菱電機がEVやPHEVなどxEVのモーター駆動に用いるパワー半導体モジュールの新製品「J3シリーズ」について説明。同社の車載パワー半導体モジュールの量産品として初めてSiC-MOSFETを搭載しており、従来品と比べてモジュールサイズを60％削減するなどモーターを駆動するインバーターの小型化に大きく貢献できる。