高温時のオン抵抗を3割削減、ロームの「第5世代SiC MOSFET」：組み込み開発ニュース

ロームは、パワー半導体の新世代品「第5世代SiC MOSFET」を開発した。ジャンクション温度175℃でのオン抵抗を同サイズ同耐圧の第4世代品比で約30％低減しており、車載、産業機器の高効率化、小型化に寄与する。

[MONOist]

　ロームは2026年4月21日、パワー半導体の新世代品「第5世代SiC MOSFET」を開発したと発表した。

　同製品は、開発に当たって素子構造の刷新と製造プロセスの最適化を実施した。これにより、実使用で重要となる高温動作時（Tj=175℃）のオン抵抗を、同サイズ同耐圧の第4世代品比で約30％低減している。

「第5世代SiC MOSFET」を開発［クリックで拡大］ 出所：ローム

高温環境下でのオン抵抗を低減 出所：ローム

　主な用途として、EV（電気自動車）のトラクションインバーターや車載充電器、DC-DCコンバーター、AI（人工知能）サーバやデータセンターの電源、電力貯蔵システム、無停電電源装置などを想定。このような車載、産業機器の高効率化、小型化に寄与する。

　同社は、需要が急増するパワー半導体市場に向けて、第5世代SiC MOSFETの耐圧品や各種パッケージのラインアップを拡充していく。2026年7月からは同MOSFET搭載のディクリート品やモジュールのサンプル提供を開始する。

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