機器の小型化に対応するIGBTモジュールのサンプル出荷を開始：FAニュース

富士電機はパワー半導体の新製品として、第7世代「Xシリーズ」IGBTモジュールのサンプル出荷を開始した。1200V耐圧製品からサンプル出荷を開始し、650V／1700V耐圧製品のラインアップを順次拡充する。

[MONOist]

　富士電機は2015年8月5日、パワー半導体の新製品として、第7世代「Xシリーズ」IGBTモジュールのサンプル出荷を開始した。1200V耐圧製品からサンプル出荷を開始し、650V／1700V耐圧製品のラインアップを順次拡充するという。

　今回発売されるモジュールは、構成要素であるIGBT素子やダイオード素子の厚みを薄くして微細化することで、素子構造を最適化した。これにより、同社従来製品の第6世代「Vシリーズ」に比べ、インバータ動作時の電力損失を低減。搭載機器の省エネと電力コストを削減できる。

　また、新開発の絶縁基板によってモジュールの放熱性が向上し、電力損失の低減と併せて発熱を抑制するため、従来のモジュールに比べて約36％小型化している。さらに、連続動作時の最大保証温度を従来の150℃から175℃にしたことで、搭載機器のサイズを維持しつつ、出力電流を最大35％増やすことができる。

　定格電流は、定格電圧650Vが10〜600A、1200Vが10〜1800A、1700Vが75〜1800A。モジュールの構造・使用材料の見直しにより、高温動作時の安定性や耐久性も向上し、設備・機器の小型・省スペース化、高信頼性のニーズに対応するとしている。

1200V 75A PIM製品

FAメルマガ 登録募集中！

MONOist FAフォーラムのメールマガジンの配信を2014年7月よりスタートしました。FAニュースをはじめ、産業用ロボット、インダストリー4.0、PLCや産業用ネットワーク、制御システムセキュリティなど注目の話題をまとめてお届けしています。

ぜひ、メルマガ配信のご登録をお願い致します。