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「IGBT」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

Insulated Gate Bipolar Transistor、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ

electronica 2024:
「世界初」マイコン1個で8機能を制御、E-Axleの動作デモ ルネサス
ルネサス エレクトロニクスは欧州最大規模のエレクトロニクス展示会「electronica 2024」に出展し、8つの機能を1個のマイコンで制御する電気自動車(EV)向けE-AxleのPoC(proof of concept)機を展示。実際の動作デモを行った。PoCはニデックと共同で開発したものだ。(2024/12/6)

利点を最大限に生かす設計上の考慮点は:
PR:高電圧大電流のバッテリー遮断スイッチになぜSiCが最適なのか、Microchipが徹底考察
単相や三相の系統電力またはエネルギー貯蔵システム(ESS)を電源とする、DCバス電圧が400V以上の電気システムは、ソリッドステート回路保護によって、信頼性と回復力を向上できる。本記事では、Microchip TechnologyのSiC事業部 シニア テクニカルスタッフ アプリケーションエンジニアを務めるEhab Tarmoom氏が、高電圧、大電流のバッテリーディスコネクトスイッチにおけるSiC技術導入やパッケージング技術のもたらす利点および、システムの寄生インダクタンスと過電流保護限界の特性評価の重要性などについて考察する。(2024/11/28)

インフィニオン HybridPACK Drive G2 Fusion:
Si×SiCでコストパフォーマンス向上 EV向けパワーモジュール
インフィニオン テクノロジーズは、SiとSiCを組み合わせた、電気自動車向けパワーモジュール「HybridPACK Drive G2 Fusion」を発表した。SiCとSiを統合したことで、フルSiCソリューションよりもコストパフォーマンスに優れる。(2024/11/25)

ローム 第4世代IGBT:
低損失特性、高短絡耐量の車載向け1200V IGBT
ロームは、車載向けの1200V 第4世代IGBTを開発した。外周を含めたデバイス構造を改善し、25℃での短絡耐量が10マイクロ秒となったほか、スイッチング損失や導通損失が低減している。(2024/11/20)

1個のマイコンで8機能を制御:
ルネサスとニデック、「8-in-1」EアクスルのPoCを開発
ルネサス エレクトロニクスは、駆動モーターやギヤ(減速機)、インバーターなどを統合したEV(電気自動車)向けユニット「E-Axle(イーアクスル)」として、マイコン1個で8機能を制御できる「8-in-1」のPoC(概念実証)を、ニデックと共同で開発した。(2024/11/12)

EE Exclusive:
世界最大級のパワエレ展示会「PCIM 2024」で見た最新動向
世界最大規模のパワーエレクトロニクス専門展示会「PCIM Europe 2024」が2024年6月11〜13日、ドイツで開催された。本稿ではEE Times Japan記者が現地で取材した業界の最新動向および技術などを紹介する。(2024/10/31)

顧客も強く意識:
「半導体メーカーもサステナビリティ戦略は必須」 onsemi CMO
サステナビリティ戦略は半導体メーカーにとっても重要になっている。onsemiでシニアバイスプレジデント兼CMO(Chief Marketing Officer)を務めるFelicity Carson氏は、「顧客は半導体サプライヤーのサステナビリティ戦略を強く意識している。プロダクトカーボンフットプリントなどの情報提供を求める声も強くなっている」と語る。(2024/10/8)

オンセミ F5BP-PIM:
電力密度/効率を向上させたESS向けパワーモジュール
オンセミは、太陽光発電やエネルギー貯蔵システム向けに、SiおよびSiC(炭化ケイ素)パワーモジュール「F5BP-PIM」シリーズを発表した。占有面積当たりの電力密度が向上し、ソーラーインバーターのシステム合計電力が最大350kWとなった。(2024/9/13)

PCIM Europe 2024:
初の車載SiCモジュールで市場展開を加速、三菱電機
三菱電機は、ドイツ・ニュルンベルクで開催された世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2024」において、モールドタイプのxEV用インバーター用パワー半導体モジュール「J3」シリーズや、鉄道および直流送電などの大型産業機器向けのSBD内蔵SiC MOSFETモジュールなど、各分野向けに開発した新製品を紹介していた。(2024/9/11)

サンケン電気 SIM2-202B:
20A出力に対応した高圧3相モータードライバー
サンケン電気は、20A出力対応高圧3相モータードライバー「SIM2-202B」の量産開始を発表した。コンパクトながら放熱性能に優れ、高精度のサーマルシャットダウン機能や温度モニター機能などを備える。(2024/9/3)

ローム BD28C55FJ-LB/54FJ-LB/57LFJ-LB/57HFJ-LB:
UVLO対応、PWM制御方式汎用AC-DCコントローラーIC
ロームは、PWM制御方式FET外付けタイプAC-DCコントローラーIC4種を発売した。低電圧誤動作防止機能を搭載し、Si-MOSFET、IGBT、SiC(炭化ケイ素) MOSFETまで幅広いパワートランジスタに対応する。(2024/9/2)

オンセミ製品を最も扱うトップディストリビューター:
PR:強力な供給体制を整えるオンセミのSiCパワーデバイス Avnetが販売サポートを強化
Avnet(アヴネット)は、SiCパワーデバイスを中心にオンセミ(onsemi)製品の販売ビジネスを強化している。オンセミのSiCパワーデバイスにはどのような特徴があるのだろうか。オンセミ日本法人社長にSiCパワーデバイスを中心に同社の事業戦略、Avnet日本法人社長にオンセミ製品の販売戦略を聞いた。(2024/9/2)

TIが発表:
効率99%の家電向けGaN内蔵IPM ヒートシンクが不要に
日本テキサス・インスツルメンツは、150〜250Wのモータードライブアプリケーション向けに、GaN(窒化ガリウム)デバイスを用いたインテリジェントパワーモジュール(IPM)「DRV7308」を発表した。エアコンや家電製品といった250Wのモータードライブアプリケーションで99%を上回る高効率を実現している。(2024/8/30)

独り勝ちのNVIDIA、中国の対米規制:
2024年上半期の半導体業界を振り返る
本稿では、2024年上半期(1〜6月)の半導体業界をEE Times Japanの記事とともに振り返る。(2024/8/28)

幅広いパワートランジスタに対応:
ローム、汎用AC-DCコントローラーICを4機種発売
ロームは、産業機器用電源などに向けたPWM制御方式FET外付けタイプの汎用AC-DCコントローラーIC4機種の販売を始めた。(2024/8/22)

NOVOSENSE Microelectronics East Asia Sales Director Kidder Shen氏:
PR:「長期的な貢献で顧客に寄り添う」 高性能、高信頼性アナログ&ミックスドシグナル半導体で日本に本格参入するNOVOSENSE
アナログ&ミックスドシグナル半導体メーカーNOVOSENSE Microelectronicsが、日本市場での事業拡大に本腰を入れている。高性能、高信頼性のモータードライバーICや絶縁ソリューション、磁気センサーを中心に、車載や産業制御の分野を狙う。同社でEast Asia Sales Directorを務めるKidder Shen氏は「日本市場への長期的なコミットメントを実現し、日本の顧客のパートナーとして信頼を獲得し、高信頼性のソリューションを提供できるよう全力を尽くす」と意気込む。(2024/8/20)

クイズで学ぶ! 半導体業界:
【問題】再稼働したルネサス甲府工場で生産する製品は?
EE Times Japanの記事からクイズを出題! 半導体/エレクトロニクス業界の知識を楽しく増やしていきましょう。(2024/8/14)

スルーレート制御機能を搭載:
モーターの寿命を18年延長するゲートドライバーIC
Broadcom(ブロードコム)は、「TECHNO-FRONTIER 2024」(2024年7月24〜26日、東京ビッグサイト)に出展し、SiC(炭化ケイ素)/GaN(窒化ガリウム)に対応したゲートドライバーICや電流センサーの評価ボードなどを展示した。(2024/8/8)

Wired, Weird:
最後まで頑張った電解コンデンサーに感動
工作機器のコントローラーの修理を依頼された。不具合内容は、「数日前には動作が不安定だったがコントローラーを外す前には表示が点灯していなかった」ということだった。(2024/7/26)

PR:EV普及の3つの課題を一挙に解決するパワーデバイス「EliteSiC」
(2024/6/25)

メカ設計ニュース:
インバーター試作機に関する情報を提供し、開発時の業務負荷を軽減
三菱電機は、大容量インバーターシステムで使用する「産業用LV100タイプIGBTモジュール」に関して、検証データ提供サービスを開始する。同データを活用することで、試作機を開発する際の業務負荷を軽減できる。(2024/6/27)

組み込み開発ニュース:
日本TIが効率99%超のGaNベースIPMを発表、白物家電のモーター制御に最適
日本テキサス・インスツルメンツ(日本TI)は、エアコンや冷蔵庫などの白物家電に用いられる出力150〜250Wのモーターアプリケーション向けに、99%超の効率を実現するGaNデバイスを用いたIPM(インテリジェントパワーモジュール)「DRV7308」を発表した。(2024/6/20)

負電圧レギュレーターを内蔵:
SiC MOSFETの駆動に特化したローサイドゲートドライバー
リテルヒューズは、SiC(炭化ケイ素) MOSFETおよびIGBTの駆動に特化した、ローサイドゲートドライバー「IX4352NE」シリーズを発表した。負電圧レギュレーターを内蔵し、dV/dt耐性とターンオフの高速化に対応した。(2024/6/18)

LV100タイプIGBTモジュールを搭載:
三菱電機、インバーター試作機の設計情報を提供
三菱電機は、産業用LV100タイプIGBTモジュールを用いたインバーターシステムの開発を支援するための情報提供を、2024年6月28日より始める。システム設計に必要な情報やパワー半導体の検証データなどを、同社ウェブサイトなどで提供していく。(2024/6/10)

SiCパワーモジュール性能を最適化:
トラクションインバーター開発でNXPとZFが提携
NXP Semiconductorsは、電気自動車(EV)に向けたSiC(炭化ケイ素)ベースの800Vトラクションインバーター開発で、自動車部品を製造するドイツZF Friedrichshafenとの提携を発表した。(2024/6/7)

サンケン電気 DGU5020GR:
車載向けイグナイター用IGBT ツェナーダイオードとゲート抵抗を内蔵
サンケン電気は、ツェナーダイオードやゲート抵抗を搭載した、車載向けイグナイター用IGBT「DGU5020GR」を発表した。外付けのクランプ回路なしで、点火コイルの駆動回路を構成できる。(2024/5/30)

生産能力は21年比で2.5倍に:
加賀東芝の300mm対応パワー半導体製造棟が完成 24年度下期に本格稼働
東芝デバイス&ストレージは2024年5月23日、加賀東芝エレクトロニクスで、300mmウエハー対応パワー半導体新製造棟(第1期)の竣工式を行った。本格稼働は2024年度下期を予定していて、フル稼働時にはパワー半導体の生産能力が2021年度比で2.5倍になる見込みだ。(2024/5/24)

高付加価値製品が好調で:
23年度増収減益のミネベアミツミ、24年度は売上高/営業利益ともに「過去最高」へ
ミネベアミツミの2024年3月期通期決算は、売上高が前年比8.5%増の1兆4021億円で過去最高を更新した。営業利益は同24.6%減の735億円、純利益は同18.0%減の755億円で増収減益となった。(2024/5/16)

アナログ半導体事業規模3000億円の実現に向け:
ミネベアミツミが日立のパワー半導体事業を買収完了、「ミネベアパワーデバイス」誕生
ミネベアミツミによる日立のパワー半導体事業買収が完了した。日立製作所の子会社である日立パワーデバイスを完全子会社化。また、日立製作所グループのパワーデバイス事業に関する海外販売事業の譲受も完了した。これに伴いミネベアミツミは、日立パワーデバイスの名称を「ミネベアパワーデバイス」に変更した。(2024/5/2)

24年にはSiCベアウエハーがSiを上回る:
パワー半導体向けウエハー市場、2035年に1兆円台へ
富士経済の調査によると、パワー半導体向けウエハーの世界市場は、2024年見込みの2813億円に対し、2035年は1兆763億円規模となる。特にSiC(炭化ケイ素)ベアウエハーは、2024年にSi(シリコン)ウエハーの市場規模を上回る見込みだ。(2024/4/19)

工場ニュース:
ルネサスが甲府工場で300mmウエハーライン稼働、パワー半導体の生産能力を2倍に
ルネサス エレクトロニクスはEV向け需要拡大を見込み、パワー半導体の生産能力増強のため、甲府工場の稼働を開始した。(2024/4/16)

さらなる小型化に向けGaNデバイス強化中:
PR:電力密度10kW/Lを実現! オンボードチャージャーの次世代ニーズにいち早く応えるインフィニオン
電気自動車(EV)やプラグインハイブリッド車(PHEV)に欠かせないオンボードチャージャー(OBC)。コスト低減や高電圧対応などさまざまな面で進化が必要なOBCだが、特に電力密度の向上、すなわちOBCの小型化が強く求められている。インフィニオン テクノロジーズは2028年ごろに求められるとされる電力密度10kW/Lを実現するOBCリファレンスデザインを開発した。どのような技術で電力密度を向上させたのだろうか。(2024/4/15)

パワー半導体の生産能力が2倍に:
ルネサス甲府工場がいよいよ再稼働 柴田社長「パワー半導体の戦略的拠点に」
ルネサス エレクトロニクスは2024年4月11日、2014年10月に閉鎖した甲府工場(山梨県甲斐市)の稼働を開始した。パワー半導体の生産能力増強を目的としたもので、本格量産を開始する2025年には、現状比で2倍の生産能力になる見込みだ。(2024/4/12)

「RISC-Vマイコンが現実的な選択肢に」:
ルネサス、独自開発RISC-Vコア搭載の汎用マイコン第1弾を発売
ルネサス エレクトロニクスは、独自に開発したRISC-Vベースの32ビットCPUコアを搭載した初の汎用マイコン「R9A02G021」を発売した。(2024/3/27)

STマイクロエレクトロニクス 日本担当 カントリーマネージャー 高桑浩一郎氏:
PR:SiCパワーデバイスやエッジAIをけん引するST サステナビリティー経営も追求
2023年、自動車と産業機器で堅調に業績を伸ばしたSTマイクロエレクトロニクス。近年はワイドバンドギャップ半導体やエッジAI(人工知能)関連の製品群の拡張と、積極的な工場投資を進めている。2024年は初頭からグローバルでの組織変更を発表し、開発効率の向上やソリューション提案の強化を強調した。同社の日本担当 カントリーマネージャーを務める高桑浩一郎氏に、2024年の市況や戦略を聞いた。(2024/3/26)

大山聡の業界スコープ(75):
車載半導体需要に暗雲、サプライチェーンが大きく変わるタイミングか
半導体市場の動向に異変が起きている。PC/スマホ向け半導体が回復しつつある一方で、これまで好調だった自動車向け半導体需要が減速し始めているのだ。なぜ自動車向け半導体の需要が減速し、今後どうなっていくのか。(2024/3/13)

ネプコンジャパン2024:
パワー半導体デバイスのOSATが「量産対応」をアピール、大分デバイステクノロジー
大分デバイステクノロジーは、「第1回 パワーデバイス&モジュールEXPO」(2024年1月24〜26日/東京ビッグサイト)に出展し、自社開発の次世代パワーモジュール汎用パッケージや、6in1パワーモジュールなどを展示した。(2024/2/27)

リテルヒューズ FDA117:
フローティング電源向け光絶縁型光発電ドライバー
リテルヒューズは、光絶縁型光発電ドライバー「FDA117」を発表した。最大15.3Vの電圧と60μAの電流でフローティング電源を生成し、標準的なMOSFETやIGBTデバイスを直接駆動できる。(2024/2/19)

主変換装置の重量を70%削減:
新幹線「N700S」の省エネに貢献するSiCパワー半導体を展示、富士電機
富士電機は、「第1回 パワーデバイス&モジュール EXPO」(2024年1月24〜26日/東京ビッグサイト)に出展し、新幹線の省エネ化目的で使用されているSiC(炭化ケイ素)パワー半導体やxEV(電動車)用IGBTモジュールの分解/組み立てサンプルを展示した。(2024/2/16)

産業向けは調整局面が想定以上に長引く:
ルネサスの23年度通期、減収も純利益は前年比14.7%増 堅調な自動車が下支え
ルネサス エレクトロニクスの2023年12月期(2023年度)通期の連結業績(Non-GAAPベース)は、減収で営業減益だった。自動車向けは堅調だったものの、産業およびマスマーケットの調整局面の継続が響いた。一方で、純利益は前年比14.7%増となる4329億円となった。(2024/2/9)

オンセミ EliteSiC PIM:
EV/ESS向けの双方向充電可能なSiCパワー統合モジュール
オンセミは、EV向けDC高速充電器とESS向けの双方向充電機能を有する、9種の「EliteSiCパワー統合モジュール(PIM)」を発表した。従来のSi(シリコン) IGBT製品に比べてサイズを最大40%、重量を最大52%低減できる。(2024/2/7)

ネプコンジャパン2024で展示:
xEV用インバーター向けSiCパワー半導体モジュール、三菱電機
三菱電機は、「第1回 パワーデバイス&モジュール EXPO」(2024年1月24〜26日/東京ビッグサイト)に出展し、xEV(電動車)用インバーターの小型化を可能にするSiC/Siパワー半導体モジュール「J3シリーズ」を展示した。(2024/2/2)

工場ニュース:
富士通ゼネラル、産業機器向け中電力容量帯パワーモジュールの生産ライン新設
富士通ゼネラルエレクトロニクスは、大分デバイステクノロジーの工場内に生産ラインを新設する。生産拠点の拡大により、パワーモジュールの増産と安定供給を図り、今後のパワー半導体の需要拡大に備える。(2024/1/31)

ネプコンジャパン2024:
三菱電機がxEV用パワー半導体モジュールの新製品、SiC-MOSFET前提に設計刷新
三菱電機がEVやPHEVなどxEVのモーター駆動に用いるパワー半導体モジュールの新製品「J3シリーズ」について説明。同社の車載パワー半導体モジュールの量産品として初めてSiC-MOSFETを搭載しており、従来品と比べてモジュールサイズを60%削減するなどモーターを駆動するインバーターの小型化に大きく貢献できる。(2024/1/25)

インバーターの小型化を可能に:
xEV用SiC/Siパワー半導体モジュールを開発
三菱電機は、xEV用インバーターの小型化を可能にするSiC/Siパワー半導体モジュール「J3シリーズ」を開発した。2024年3月25日より順次サンプル出荷を始める。(2024/1/25)

頭脳放談:
第284回 社会を支えるパワー半導体メーカーの再編にルネサスが参入? で、パワー半導体って何
ルネサス エレクトロニクスがGaN(窒化ガリウム)技術を持つTransphorm(米国)の買収を発表した。これによりパワー半導体のポートフォリオを拡充するという。そもそもGaN技術やパワー半導体とはどういったものなのだろうか? 筆者が最新の動向を解説する。(2024/1/22)

インフィニオン XHP3:
ユニット数削減に貢献する、4.5kV IGBTモジュール
インフィニオン テクノロジーズは、4.5kV IGBTモジュール「XHP3」ファミリーを発表した。450AのデュアルIGBTモジュール「FF450R45T3E4_B」と、エミッター制御E4ダイオードを備えた450Aのダブルダイオードモジュール「DD450S45T3E4_B5」を用意する。(2024/1/11)

オンセミ 代表取締役社長 林孝浩氏:
PR:パウダーから垂直統合するSiCパワーと車載/産業用に強いイメージセンサーで攻勢強めるオンセミ
オンセミ(onsemi)は、パワーデバイスとイメージセンサーを核に自動車/産業用市場のニーズに応えるという事業戦略の下、事業規模を順調に拡大させている。普及著しいSiC(炭化ケイ素)パワーデバイスの供給能力増強など積極的な投資でさらなる需要拡大に備える。「国内でもオンセミの技術、製品への引き合いが急増している。2024年はしっかりとデザインウインにつなげていく」と語る日本法人社長の林孝浩氏にインタビューした。(2024/1/11)

トレックス・セミコンダクター 代表取締役社長 芝宮孝司氏:
PR:低消費/小型電源ICにパワー半導体――事業拡大に向けて新製品開発、設備増強が着々と進むトレックス
トレックス・セミコンダクターは、将来の事業成長に向けて低消費電力/小型電源ICやパワー半導体の新製品投入を加速させている。同時にトレックスグループの半導体受託製造企業(ファウンドリ)であるフェニテックセミコンダクターの設備投資なども進め、供給能力を積極的に増強してきた。「成長のための下地は整った」とするトレックス・セミコンダクター 代表取締役社長 芝宮孝司氏に聞く。(2024/1/11)

福田昭のデバイス通信(438) 2022年度版実装技術ロードマップ(62):
車載パワーデバイスの出力密度向上手法
今回は、第3章第3節第4項「車載パワーデバイス」から、「パワーデバイスの発展」を解説する。(2024/1/9)


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