電力損失を低減する高速ディスクリートIGBTの新シリーズ：FAニュース

富士電機はパワー半導体の新製品として、高速ディスクリートIGBT「High-Speed W」シリーズを発売した。従来製品に比べ、スイッチング動作時の電力損失を約40％低減した。

» 2016年01月05日 07時00分公開

[MONOist]

　富士電機は2015年12月16日、パワー半導体の新製品として、高速ディスクリートIGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor：絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）「High-Speed W」シリーズを発表した。

　High-Speed Wシリーズは、IGBTチップの厚みを薄くして微細化。これにより、従来製品（High-Speed Vシリーズ）に比べて、スイッチング動作時の電力損失を約40％低減。搭載機器の省エネと電力コスト削減を可能にした。

　また、スイッチング動作時の損失を低減することで、20kHz程度であった従来製品に比べて、高いスイッチング周波数（20～100kHz）に対応可能になった。これにより、コイルやトランスなど搭載機器の周辺部品が小型化できるようになり、機器本体の小型化・コスト低減に貢献するという。

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