「顕微鏡」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

研究開発の最前線：
材料劣化の初期兆候を可視化する新装置、卓上サイズで耐候性評価に貢献
屋外で使用される材料の耐候性評価には、これまで多くの時間がかかっていた。そこで島津製作所は複合劣化促進ユニット「CDAS-1000」を開発した。既存の分析装置と組み合わせることで、短期間で劣化の初期兆候を可視化し、材料の寿命や耐久性、耐候性の評価に役立つ。（2025/9/19）

研究開発の最前線：
CO2の資源化触媒をAIで探索して従来性能を上回る材料を開発
東北大学は、AIによる大規模データ解析により、CO2からCOへの電気化学的変換を触媒する最適な顔料色素を選定した。同色素を使用した多層構造の炭素系材料は、従来の金属錯体触媒を上回る性能を示した。（2025/9/19）

自ら規則正しい縞模様構造を形成：
「鉄とマンガン」が半導体の微細化を進化させる？
高知工科大学と千葉大学の研究グループは、鉄（Fe）とマンガン（Mn）を組み合わせることで、自己組織的な縞模様が形成されることを確認した。原子が規則正しく並んだ縞模様は「原子のレール」とも呼ばれ、次世代半導体デバイスにおける極微細配線技術などへの応用が期待される。（2025/9/17）

CMOS回路で直接駆動が可能に：
1Vで高速変調のアクティブメタサーフェス　光通信応用に期待
東京大学は、わずか1Vの駆動電圧で毎秒1.6Gビットという高速データ変調を可能にした「アクティブメタサーフェス」を開発した。CMOS回路による直接駆動や2次元並列化も可能なため、次世代の光通信やイメージングなどへの応用が期待できるという。（2025/9/17）

研究開発の最前線：
全固体電池の性能向上で重要な表面処理層の評価技術を開発
全固体電池の課題には、充放電を繰り返しても劣化しない安定した電池性能の確保がある。この難題を解決するため、電極活物質の表面にコーティングを施す技術が注目されている。しかし、その数nmの極薄膜を正確に評価することは困難とされてきた。JFEテクノリサーチがこの「壁」を打ち破る新技術を確立した。（2025/9/16）

アダマンタンの結晶に電子線照射：
低温低圧、短時間でナノダイヤモンドを合成
東京大学の研究グループは、原子分解能透過電子顕微鏡を用い、「アダマンタン（Ad）」の結晶に電子線照射を行い、大きさがそろった球状の「ナノダイヤモンド（ND）」を、低温・低圧という条件下で短時間に合成した。（2025/9/11）

数十kHzの高周波領域で高い性能：
電力損失を半減した鉄系磁性材料を開発　EV応用に期待
物質・材料研究機構（NIMS）は、東北大学や産業技術総合研究所（産総研）と共同で、電力損失を従来の半分以下に抑えることができる鉄系磁性材料を開発した。高周波トランスや電気自動車（EV）の駆動用電源回路といった用途での採用が期待される。（2025/9/9）

有力メモリ技術や3D統合の重要性：
「メモリの壁」突破でエッジAIを次の段階に、CEA-LetiとST幹部が語る
EE Times Europeの独占インタビューで、CEA-LetiおよびSTMicroelectronicsが、エッジAIの普及／進化において重要な「メモリの壁」を突破するために進めている研究の最新状況ついて語った。（2025/9/8）

研究開発の最前線：
ハロゲンフリーで酸化ハフニウムの異方性原子層エッチングに成功
名古屋大学は、ハロゲンフリーのプラズマプロセスで、酸化ハフニウムの異方性原子層エッチングに成功した。難エッチング材料の酸化ハフニウムを原子レベルで微細に加工、制御可能になる。（2025/9/3）

FAニュース：
超小型産業用カメラを日本で本格展開、クリーンルームでのウエハー検査も対応
ドイツの産業用カメラメーカーXIMEAは、超小型かつ高性能カメラ「xiMU」シリーズの日本市場向け展開を強化する。重量5gで15mm角ながら、500万画素および2000万画素のCMOSセンサーで最大50fpsに対応する。（2025/9/2）

異種材料を強固につなぐ：
「内部が空洞」のマイクロバンプで低温接合、新たな半導体実装技術
東北大学の研究グループは産業技術総合研究所（産総研）と共同で、表面活性化接合とテンプレートストリッピングの技術を組み合わせて、中空ピラミッド構造のマイクロバンプを作製し、異種材料を低温で強固に接合できる半導体実装技術を開発した。（2025/9/2）

研究開発の最前線：
ペロブスカイト無機材料の新開発手法、AIがバンドギャップを精密に予測／設計
北海道大学は、機械学習によってバンドギャップ（光吸収の指標）を精密に予測／設計できるペロブスカイト無機材料の開発手法を確立した。（2025/9/2）

“メス化”したシベリアチョウザメからキャビア採取、ふ化も　近大
近畿大学は、稻野俊直准教授と木南竜平助教授の研究グループが、オスからメスに性転換させたシベリアチョウザメからの採卵とふ化に成功したと発表した。キャビアの生産効率向上につながる可能性があるという。（2025/9/1）

先行き不透明感が際立つ：
2025年上半期の半導体業界を振り返る
世界経済、国際情勢ともに先行き不透明な中で幕を開けた2025年。本稿では、2025年上半期の半導体業界を振り返る。（2025/8/29）

電子顕微鏡と機械学習を連係：
MoS2単層膜のツイストや極性を高い精度で可視化
物質・材料研究機構（NIMS）を中心とする研究チームは、走査透過電子顕微鏡法（4D-STEM）と機械学習を組み合わせることで、ナノ領域で二硫化モリブデン（MoS2）単層膜の「微小な回転（ツイスト）」や「極性」を高い精度で広範囲に可視化することに成功した。（2025/8/27）

研究開発の最前線：
マイクロプラの質量と体積を自動解析できる粒子解析システム発売
島津製作所は、マイクロプラスチック分析に特化した、粒子解析システムの発売を発表した。赤外顕微鏡や赤外ラマン顕微鏡に専用ソフトウェアを組み合わせて使用し、マイクロプラスチックの個数、面積、体積、質量、成分を短時間で算出できる。（2025/8/28）

医療技術ニュース：
Auのナノ構造形成技術を活用し、宇宙空間でのタンパク質結晶化実験に成功
田中貴金属グループのTANAKA未来研究所は、独自の「Auのナノ構造形成技術を応用した宇宙空間分子結晶化実験ユニット」を開発し、国際宇宙ステーションでタンパク質結晶化実験に成功した。（2025/8/27）

スマートアグリ：
陸上養殖のDXには何が必要か　OUGとNTTグリーン＆フードが新たな挑戦
OUGホールディングス（OUG）とNTT子会社のNTTグリーン＆フードは「陸上養殖を通じた水産業のESG化に関する協定書」を締結した。本稿では、陸上養殖のDXにおける課題や両社の課題解決に向けた取り組みを中心に紹介する。（2025/8/26）

IV族混晶半導体のみでDBSを形成：
室温動作の共鳴トンネルダイオードを試作
名古屋大学は、IV族混晶半導体のみで高品質の二重障壁構造（DBS）を形成する技術を開発した。この技術を用い、テラヘルツ（THz）発振に必要な共鳴トンネルダイオード（RTD）を試作し、室温（300K）での動作実証に成功した。（2025/8/22）

ニコン、横浜製作所を9月末で閉鎖　「今期業績への影響は軽微」　機能は本社などに移転
ニコン（東京都品川区）は8月21日、顕微鏡やFPD露光装置などの研究開発や製造を担ってきた横浜製作所（神奈川県横浜市）を9月30日付で閉鎖すると発表した。開発・生産の機能を集約するのが目的で、今後は本社・イノベーションセンター（東京都品川区）、横須賀製作所（神奈川県横須賀市）、相模原製作所（神奈川県相模原市）に機能を移転する。（2025/8/21）

スポンジチタン廃材の再生技術（2）：
鉄を使用したチタン再生技術
本連載では、大阪大学 接合科学研究所 教授の近藤勝義氏の研究グループが開発を進める「スポンジチタン廃材の再生技術」を紹介。第2回では、鉄を使用したチタン再生技術について解説する。（2025/8/20）

メモリチップ32枚を1パッケージに積層：
PR：「わずか2mm」に込められた大容量フラッシュメモリの革新技術　AIの進化を後工程で支える
AIの急速な普及により、フラッシュメモリではさらなる大容量化が求められている。キオクシアは、高さ2mmにも満たないパッケージに、32枚の2Tb（テラビット）メモリチップを積層し、8TB（テラバイト）という大容量フラッシュメモリの開発に成功。それを支えているのが、ウエハーを極限まで薄く削る加工技術をはじめとする、高度な後工程技術である。（2025/8/20）

固体酸化物形燃料電池：
燃料電池の低コスト化につながる電解質　300℃で高プロトン伝導率
九州大学らの研究グループは、固体酸化物形燃料電池（SOFC）の動作温度を300℃という温度域まで下げることができる電解質材料を開発した。これにより、高価な耐熱材料が不要となり、SOFCのコストダウンが可能となる。（2025/8/14）

成長温度が電気特性などに影響：
スパッタ法で高品質ScAlN薄膜の作製に成功
東京理科大学の研究グループは、東京大学や住友電気工業と共同で、汎用性の高いスパッタ法を用い、高品質の窒化スカンジウムアルミニウム（ScAlN）薄膜を作製することに成功した。（2025/8/13）

次世代太陽電池応用に期待：
同一液中で異なる結晶型酸化チタン種を連続積層
岐阜大学は、1つのチタン原料溶液を用いながら、反応温度を変えることで異なる酸化チタン結晶種を選択的に作り分ける手法を開発した。この手法を用いて、異なる結晶型酸化チタン種を原子レベルで連続積層することにも成功した。（2025/8/8）

AgBiS2ナノ結晶：
「環境に優しい太陽電池」実現へ　結晶の合成条件解明
東京農工大学は、より正確なAgBiS2ナノ結晶を合成反応させる際の温度について、その適切な条件を解明したと発表した。合成したAgBiS2ナノ結晶を用いて作製した光検出器は、37A/Wという高い応答度を示した。（2025/8/7）

遷移金属と酸素が異なる電子状態：
東京大ら、機能性酸化物の「新しい電子状態」を発見
東京大学とNTTは日本原子力研究開発機構と共同で、機能性酸化物の新しい電子状態を発見した。ストロンチウムルテニウム酸化物「SrRuO3」において、一体化しているとみられていた「ルテニウム金属」と「酸素原子」の電子状態が、実際は異なる電子状態であることを初めて突き止めた。（2025/8/5）

Ge CMOS回路の実現に向けて：
Ge半導体で「電気が流れやすくなる」方法を開発
産業技術総合研究所（産総研）と東北大学は、電極材料にテルル化ビスマス（Bi2Te3）を用い、この薄膜とn型Geを反応させることで、電子が流れやすい界面を形成することに成功した。エネルギー障壁をこれまでの約半分に低減できるという。（2025/8/4）

研究開発の最前線：
液体ガリウムを用いて作製したHEO超薄膜で、酸素発生反応を高効率化
早稲田大学は、液体ガリウムを用いたハイエントロピー酸化物超薄膜の作製に成功した。また、作製したHEO超薄膜にひずみを導入することで、酸素発生反応に高い触媒活性を示す電極触媒が得られた。（2025/8/4）

破断面を完全にグラファイト化：
シャーペンの芯が高品位電子ビームの発生源に
筑波大学は、シャープペンシル芯の破断面を完全にグラファイト化することで、高品位な電子ビームの発生源として応用できることを実証した。低い電界強度で、しかも極高真空ではない環境でも、安定した放出電流が得られるという。（2025/8/1）

研究開発の最前線：
次世代の説明可能AIを活用し、磁性材料のエネルギー損失原因を明らかに
東京理科大学は、物理とデータ科学が融合した次世代の説明可能AI「拡張型自由エネルギーモデル」を用いて、磁性材料のエネルギー損失の原因を解明した。（2025/8/1）

CAE解析とExcelを使いながら冷却系設計を自分でやってみる（12）：
乱流の円管内の流れと圧力損失の見積もり
CAE解析とExcelを使いながら冷却系の設計を“自分でやってみる／できるようになる”ことを目指す連載。連載第12回では、乱流の円管内の流れと圧力損失の見積もりについて取り上げる。（2025/7/28）

30mTの磁場変化にも敏感に反応：
粘着テープでぺりぺりはがすと……磁気量子センサーになる薄膜
千葉大学と高知工科大学、物質・材料研究機構（NIMS）の研究チームは、セレン化ニオブ（NbSe2）結晶表面に貼り付けた粘着テープを剥がすと、表面の原子層がひずみ、ハニカム格子状の二次元電荷密度波（CDW）が出現することを発見した。しかも、この表面に弱い磁場を加えると一次元CDWに切り替わることが分かった。（2025/7/25）

材料技術：
粒子の平均径が15nmの銅ナノフィラー発売　優れた分散安定性を6カ月以上
エレファンテックは銅粒子の平均径が15nmの「銅ナノフィラー」を発売した。（2025/7/22）

研究開発の最前線：
高周波GaNトランジスタの性能向上に役立つ「二次元電子ガス」散乱機構を解明
東京大学は、住友電気工業と共同で、窒化スカンジウムアルミニウム（ScAlN）と窒化ガリウム（GaN）のヘテロ接合における二次元電子ガス（2DEG）の散乱機構を解明した。（2025/7/22）

マテリアルズインフォマティクス：
中間品の構造特徴量で予測精度を高めるプロセスインフォマティクス技術
日立製作所と日立ハイテクは、中間工程品の構造特徴量を使って製品性能の予測精度を高めるプロセスインフォマティクス技術を共同開発した。この技術は、中間工程品の構造特徴量を抽出し、AIを用いて性能を予測して、製造情報へフィードバックする。（2025/7/17）

医療技術ニュース：
生体に安全な材料を用いて、機能性成分を内包するマイクロカプセルを開発
産業技術総合研究所は、生体に安全な材料だけを用いて、大きさがそろった20μm以下の微小液滴「マイクロカプセル」を開発した。細胞や核酸などを内包でき、医薬品等への応用が期待される。（2025/7/14）

太陽系にあるかもしれない“不思議な物質3選”　「ヘリウム化合物」「ほとんど金属な氷」「天然の準結晶」
宇宙に目を向けると、想像もつかないほど極端な物質がたくさんある。この記事では「ヘリウム化鉄」と「超イオン氷」など、不思議な物質について3つ紹介する。（2025/7/8）

スポンジチタン廃材の再生技術（1）：
スポンジチタン廃材の再生技術が必要なワケ
本連載では、大阪大学 接合科学研究所 教授の近藤勝義氏の研究グループが開発を進める「スポンジチタン廃材の再生技術」を紹介。第1回では、国内でスポンジチタン廃材の再生技術が求められている要因について解説する。（2025/7/4）

組み込みイベントレポート：
広がるハイパースペクトルカメラの可能性――画像センシング展2025レポート
2025年6月11〜13日にパシフィコ横浜で開催された「画像センシング展2025」では、さまざまな画像処理機器やセンシング技術の展示が行われた。ハイパースペクトルカメラがアプリケーションの広がりを見せるとともに、前回から引き続きAIを活用した画像認識にも注目が集まった。（2025/7/3）

MOSFETでノーマリーオフ10A超の動作：
最大の壁、p層を克服！酸化ガリウムでFLOSFIAが達成した「世界初」
FLOSFIAが、「世界で初めて」（同社）酸化ガリウム（α-Ga2O3）MOSFETでノーマリーオフ特性を有する10A超の大電流動作を実現した。酸化ガリウムパワー半導体開発において、最大の課題とされてきた「p層」（導電型p型半導体層）の改良に成功した。（2025/7/2）

研究開発の最前線：
白金を超える性能の単結晶高エントロピー合金を開発
早稲田大学は、メソポーラス構造を持つ、単結晶高エントロピー合金を開発した。5元素以上の合金の単結晶化と高比表面積化を両立したことで、白金触媒の2.9倍となる性能を達成した。（2025/6/25）

研究開発の最前線：
MLCC強誘電体界面の電荷分布直接観察に成功　理解と性能向上を加速
東京大学の研究グループらは、科学技術振興機構（JST）の戦略的創造研究推進事業「ERATO」において、強誘電体ドメイン界面における電荷分布の直接観察に成功した。（2025/6/17）

研究開発の最前線：
CMPやプラズマ処理不要、新規接合膜による300mmウエハー接合に成功
横浜国立大学は、新規接合膜を用いて、300mmシリコンウエハー上への成膜と直接接合に成功した。CMPやプラズマ処理を行うことなく、接合界面が形成されたことも確かめた。（2025/6/17）

医療技術ニュース：
薬剤を2000倍に濃縮して内包できる無機ナノ粒子カプセル作製法を確立
北海道大学らは、無機ナノ粒子を構成要素としたナノサイズの中空カプセル構造体作製技術を開発した。薬剤を2000倍以上に濃縮して効率的に内包できるため、次世代の薬物送達キャリアとして期待される。（2025/6/17）

出力0dBm、データレート280Gbps：
高速／高出力の300GHz帯信号生成システムを実現　6G開発に弾み
日本電信電話（NTT）とNTTイノベーティブデバイスおよび、Keysight Technologiesは、高速無線通信などに用いられるJ帯フルバンド（220G〜325GHz）をカバーする「増幅器モジュール」と、信号のひずみを高い精度で補償できる「測定システム」を開発した。これらを組み合わせ、300GHz帯で0dBmという高い出力と、280Gビット/秒という高速データレートの信号生成に成功した。（2025/6/16）

高周波デバイス特性を高精度に測定：
導波路の接続状態をAIで自動判定
産業技術総合研究所（産総研）は、ミリ波やテラヘルツ波を利用する通信機器などに搭載される電子部品の特性を高い精度で比較的容易に測定するための技術を開発した。測定結果に影響を与える導波路の接続状態を、AI技術によって自動判定する。これによって、測定経験が浅いエンジニアでも安定した測定が行えるという。（2025/6/16）

スピントロニクスデバイスに応用：
次世代半導体材料SnSの研究が前進、大面積の単層結晶成長に成功
東北大学と量子科学技術研究開発機構、英国ケンブリッジ大学らによる研究グループは、次世代半導体材料として注目されている一硫化スズ（SnS）について、大面積単結晶を成長させることに成功し、その結晶を単層の厚さに薄膜化する新たな手法を確立した。SnS半導体はスピントロニクスデバイスなどへの応用が期待されている。（2025/6/12）

結晶化した酸化物半導体を形成：
GAA型酸化物半導体トランジスタ、東京大らが開発
東京大学と奈良先端科学技術大学院大学の共同研究グループは、新たに開発した結晶化酸化物半導体の形成技術を用い、「ゲートオールアラウンド（GAA）型酸化物半導体トランジスタ」を開発した。酸化物半導体デバイスのさらなる高集積化と高機能化を実現できる可能性が高まった。（2025/6/10）

研究開発の最前線：
強磁性半導体でキュリー温度530K、室温動作のスピン機能半導体デバイスに応用へ
東京大学は、強磁性半導体（Ga、Fe）Sbにおいてキュリー温度530K（257℃）を達成した。結晶の育成法を見直し、磁性体が常磁性状態から強磁性状態となる際のキュリー温度を大幅に上昇させることに成功した。（2025/6/9）