　SiC-MOSFETの耐圧は1200Vで5cm角と同じだが、8cm角になって表面積が増えることにより、電流容量が大幅に向上した。5cm角では100Aだったが、8cm角では200～300Aの電流を流せるという。「現行の電動システムに用いられているSi（シリコン）-IGBTは、10cm角で300A以上の電流容量がある。SiC-MOSFETでも同水準の電流を流せるようにしたいと考え、開発を進めている」（同社の説明員）という。

バルクの6インチのSiCウエハー（左）と8cm角のSiC-MOSFETを作り込んだ6インチSiCウエハー（左）（クリックで拡大）

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