「SiC」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

車載やサーバ向けなど堅調：
ロームが通期予想を再び上方修正、純利益100億円に
ロームが2025年度通期の業績予想を上方修正した。売上高は前回予想比200億円増の4800億円。営業利益は同10億円増の60億円、純利益も同10億円増の100億円と見込む。前年同期比では売上高が7.0％増になる他、営業利益、純利益はそれぞれ400億円、500億円の赤字からの黒字転換になる。（2026/2/5）

ロジスティクス：
埼玉県伊奈町に延べ約3.4万m2のマルチテナント型物流施設完成　100％再エネ電力を供給
オリックス不動産が埼玉県北足立郡伊奈町で開発を進めて来た延べ床面積3万3523平方メートルのマルチテナント型物流施設「伊奈ロジスティクスセンター」が完成した。（2026/2/2）

ハイエンドEV向け22kW OBCも披露：
再エネの高電圧化に　DC1500V対応SiCモジュール、Infineon
インフィニオン テクノロジーズ ジャパンは「第40回 ネプコン ジャパン -エレクトロニクス 開発・実装展-」に出展し、再生可能エネルギー向けの高耐圧な炭化ケイ素（SiC）モジュールやハイエンド電気自動車（EV）向けのオンボードチャージャー（OBC）リファレンスデザインを紹介した。（2026/2/2）

高度な集積技術を生かし切る：
PR：EVに複雑なBOMは要らない――高耐圧や大電力に1チップで応える絶縁電源IC
MPS（Monolithic Power Systems）はトラクションインバータやオンボードチャージャにおいて、実装面積や部品コストを大幅に低減する車載用の絶縁電源ICを開発した。多くの機能をわずか10mm角のパッケージに搭載した高耐圧DC/DCコンバータICや、絶縁機能を内蔵した24V入力／24V出力のゲートドライバ向け電源モジュールだ。いずれも、得意とする高度な集積技術を生かしている。（2026/1/30）

EE Exclusive：
2025年の半導体業界を振り返る
世界経済、国際情勢ともに先行き不透明な中で幕を開けた2025年。生成AIの普及はますます加速し、後半にはヒューマノイドロボットの発表も相次いだ。本稿では、2025年の半導体業界を振り返ってみたい。（2026/1/30）

チップサイズ小型化で低価格に：
高効率と高信頼性を両立したSiC SBD、トレックス
トレックス・セミコンダクターは2026年1月20日、炭化ケイ素（SiC）を採用した650Vショットキーバリアダイオード（SBD）「XBSC41／XBSC42／XBSC43シリーズ」を発表した。性能指数（FOM）を抑えつつ高いサージ電流耐量（IFSM）を両立したという。（2026/1/29）

広島大学 半導体産業技術研究所 教授 黒木伸一郎氏：
極限環境に挑む「SiCのLSI」　目指すは原発事故処理や金星探査
次世代パワー半導体材料として活用が進む炭化ケイ素（SiC）だが、その応用先はパワー半導体のみにとどまらない。高温動作や耐放射線性といったシリコン（Si）を大きく上回る特性を生かし、極限環境で動作するLSIへの応用に向けた研究が進んでいる。SiC LSIの利点や実用化に向けた研究動向について、広島大学 半導体産業技術研究所 教授 黒木伸一郎氏に聞いた。（2026/1/29）

組み込み開発ニュース：
電力損失を半減したトレンチ型SiC-MOSFETチップ4品種を開発
三菱電機は、EVや再生可能エネルギー用電源システム向けのトレンチ型SiC-MOSFETチップ4品種のサンプル提供を開始した。独自構造により、従来のプレーナー型と比べて電力損失を約50％低減し、低消費電力化に貢献する。（2026/1/27）

4種類をラインアップ：
独自トレンチ構造で電力損失半減　三菱電機のSiC-MOSFETチップ
三菱電機は、パワーエレクトロニクス機器向けに、「トレンチ型SiC-MOSFETチップ」のサンプル提供を開始した。オン抵抗とスイッチング損失を抑え、プレーナー型SiC-MOSFETと比較して、電力損失を約50％低減する。（2026/1/26）

SiCイメージセンサー試作品も：
貼り合わせSiC基板、安定供給進み今や一大トレンドに
フェニテックセミコンダクターは「第40回 ネプコン ジャパン -エレクトロニクス 開発・実装展-」に出展し、同社が使用する貼り合わせSiC基板「SiCkrest（サイクレスト）」などを紹介した。（2026/1/23）

第40回 ネプコン ジャパン：
ボッシュ共同開発のSiC車載モジュール、富士電機が見本展示
富士電機は「第40回 ネプコン ジャパン -エレクトロニクス 開発・実装展-」に出展し、Robert Bosch（ロバート・ボッシュ）と共同開発中の、互換性を持った電動車（xEV）向け炭化ケイ素（SiC）パワー半導体モジュール「M688」の見本品などを展示した。（2026/1/22）

組み込み開発ニュース：
紫外半導体レーザーの出力を倍増、ヌヴォトンがマスクレス露光の進化に貢献
ヌヴォトン テクノロジーは、波長379nmの紫外半導体レーザーの出力を同社従来品比で倍増となる1.0Wを達成した「高出力 1.0W 紫外（379nm）半導体レーザ」を開発した。主に、先端半導体パッケージ向けマスクレス露光装置の微細化や加工速度向上の用途に向ける。（2026/1/19）

電力損失はプレナー型のほぼ半分：
トレンチ型SiC-MOSFETチップをサンプル提供、三菱電機
三菱電機が、パワー半導体「トレンチ型SiC-MOSFETチップ」4品種を開発し、2026年1月21日からサンプル品の出荷を始める。電気自動車（EV）のトラクションインバーターやオンボードチャージャー、大陽光発電などの再生可能エネルギー用電源システムなどの用途に向ける。（2026/1/19）

AIインフラ、AR／VR、パワー向けに：
Wolfspeedが300mm単結晶SiCウエハー製造に成功
Wolfspeedが、単結晶300mm 炭化ケイ素（SiC）ウエハーの生産に成功したと発表した。同社は「当社はSiCの300mm化によって世界で最も要求の厳しい半導体アプリケーションの一部で新たな性能の上限と製造におけるスケーラビリティを実現する」と述べている。（2026/1/16）

オンセミ 代表取締役社長 林孝浩氏：
PR：「日本に根差した外資系」オンセミ　豊富なセンサー群とSi／SiC／GaNをそろえたパワーデバイスでさらなる飛躍
オンセミ（onsemi）は、シリコン（Si）／シリコンカーバイド（SiC）／窒化ガリウム（GaN）の3材料をそろえたパワーデバイスと、イメージセンサーや超音波センサーなどの幅広いセンシング技術で攻勢をかけている。「日本に製造拠点を持つ数少ない外資系半導体メーカーとして、オンセミは日本市場を非常に重視している」と語る日本法人社長の林孝浩氏に、2025年の振り返りと2026年の事業戦略を聞いた。（2026/1/14）

設計期間の短縮やマルチソース化に貢献：
富士電機とボッシュ、互換性あるSiC車載モジュール開発へ
富士電機とRobert Bosch（ロバ―ト・ボッシュ／以下、ボッシュ）が、電動車（xEV）向けで互換性のある炭化ケイ素（SiC）パワー半導体モジュールを開発する。2025年12月に合意を発表した。（2026/1/6）

高信頼性で高性能：
1200V／700Aの車載向けSiC新パワーモジュール、Wolfspeed
Wolfspeedは、パワーサイクル耐性を最大3倍に高めた1200V SiCパワーモジュールを発表した。eモビリティ用途向けに高電流化と低損失化を実現する。（2026/1/6）

転換期迎える：
SiCウエハー世界市場は2035年に5724億円規模へ　中国メーカーが攻勢
富士経済によると、炭化ケイ素（SiC）ウエハーの世界市場は、2025年見込みの1943億円に対し、2035年は約3倍の5724億円規模になるという。今後は、中国を中心に8インチウエハーを用いたパワー半導体デバイスの製造が本格化する見通しだ。（2026/1/6）

SiCに比べ基板コストは最大50分の1：
酸化ガリウムデバイス向け4インチウエハー量産へ
FLOSFIAは、酸化ガリウム（α-Ga2O3）パワー半導体デバイスの量産化に向けて、4インチウエハーの製造技術に関する実証を完了するとともに、試作したショットキーバリアダイオード（SBD）を用い、製品の信頼性についても改善されていることを確認した。（2026/1/5）

2025年 年末企画：
編集者が選ぶ「2025年半導体業界の漢字」――「不」
間もなく終わりを迎える2025年。そこで、EE Times Japan編集部のメンバーが、半導体業界の“世相”を表す「ことしの漢字」を考えてみました。（2025/12/26）

2025年 年末企画：
隠れた回路記号を探せ！　〜統合電子版 2025年の表紙を一挙公開
2025年に発行した「EE Times Japan×EDN Japan統合電子版」、全12号の表紙を一挙に公開します。表紙画像に隠されたクイズにも、ぜひ挑戦してください。（2025/12/26）

2025年 年末企画：
編集者が選ぶ「2025年半導体業界の漢字」――「激」
間もなく終わりを迎える2025年。そこで、EE Times Japan編集部のメンバーが、半導体業界の“世相”を表す「ことしの漢字」を考えてみました。（2025/12/25）

7.4mΩ、14.5mΩ、34mΩ：
低オン抵抗の1200V SiCパワーモジュール、SemiQ
SemiQは、1200V世代のSiC MOSFETファミリーを拡充し、低オン抵抗を実現したSOT-227モジュールを投入した。（2025/12/25）

中〜高周波アプリケーション向け：
長寿命の1200V SiC MOSFETパワーモジュール、ビシェイ
ビシェイ・インターテクノロジーは、車載やエネルギー、産業、通信システムなどの中〜高周波アプリケーション向けに、1200V SiC MOSFETパワーモジュール「VS-MPY038P120」「VS-MPX075P120」を発表した。4個または6個のMOSFETを搭載する。（2025/12/24）

電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記：
GaN特性は音にも効く？　GaN FETのオーディオアンプが出始めた
半導体素材によって、トランジスタの音がどう変わるか気になります。（2025/12/22）

組み込み開発ニュース：
3225Mで1.25kV対応の静電容量15nFの積層セラコン、COG特性は世界初
村田製作所は、3225Mサイズで定格電圧1.25kV、C0G特性を備えた静電容量15nFの積層セラミックコンデンサーを商品化した。高耐圧と安定した容量により車載電源回路の高効率化に貢献する。（2025/12/22）

独自技術で信頼性と性能を向上：
Navitasが2.3kV／3.3kV SiC MOSFETを投入
Navitasは第4世代「GeneSiC」プラットフォームベースの2.3kVおよび3.3kVのSiC MOSFETのサンプル提供を開始した。 独自のトレンチアシストプレーナー（TAP）技術を採用し、エネルギーインフラ向けに高信頼性と高性能を実現する。（2025/12/17）

EE Times Japan 創刊20周年記念企画：
全て覚えていますか？　エレクトロニクス業界と世間の20年ニュース
2025年、EE Times Japanは創刊20周年を迎えました。この20年で技術は大きく進歩し、社会の在り方も様変わりしたことと思います。本記事では、EE Times Japanが創刊された2005年から2024年までの20年間の、半導体／エレクトロニクス業界のニュースと世間のニュースを振り返ります。（2025/12/16）

GaNやGa2O3とSiCの接合も目指す：
SiCとSiやサファイアを常温接合、「ほぼ不可能」を独自技術で実現
SHW Techは、次世代パワー半導体材料である炭化ケイ素（SiC）と、異種材料を常温で直接接合させることに成功した。これまで常温での接合が極めて難しいといわれてきた「SiCとシリコン（Si）」および、「サファイアとSiC」の接合を実証した。（2025/12/16）

SiC MOSFET電源回路に対応可：
C0G特性を備えた静電容量15nFのMLCC、村田製作所
村田製作所は、3225Mサイズで、静電容量15nFの積層セラミックコンデンサーの量産を開始した。定格電圧は1.25kVで、C0G特性を備える。車載オンボードチャージャーや民生用高性能電源の電源回路での用途に適する。（2025/12/15）

放熱とスイッチング性能を両立：
PCBの熱をヒートシンクに直接伝達、新パッケージ採用SiC MOSFET
オンセミは、新たな冷却パッケージ技術を採用した「EliteSiC MOSFET」を発売した。電気自動車（EV）用充電器や太陽光発電システム用インバーター、産業用電源などの用途に向ける。（2025/12/12）

WBG半導体にも対応：
合計誤差0.7％のコアレス磁気電流センサー、インフィニオン
インフィニオン テクノロジーズは、コアレス磁気電流センサー「TLE4971」「TLI4971」を発表した。DSO-16パッケージを採用し、温度範囲と製品寿命全体にわたる合計誤差を0.7％に抑えている。（2025/12/11）

独自の低抵抗構造を採用：
ポスト5Gに期待！　「世界初」AlN系高周波トランジスタの動作に成功、NTT
NTTは、窒化アルミニウム（AlN）系高周波トランジスタの動作に「世界で初めて」（同社）成功したと発表した。これまで困難とされてきた高アルミニウム（Al）組成での高周波動作を低抵抗構造の設計によって実現したものだ。ミリ波帯における信号増幅が可能で、ポスト5G時代の無線通信サービスの向上が期待される。（2025/12/9）

C0G特性備え静電容量は最大15nF：
3225Mサイズで定格電圧1.25kVの積層セラコン、村田製作所
村田製作所は、外形寸法が3.2×2.5mmの3225Mサイズで、静電容量が最大15nFの積層セラミックコンデンサーを開発、量産を始めた。定格電圧は1.25kVで、温度が変化しても容量変化がほとんどないC0G特性に対応している。（2025/12/9）

電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記：
NVIDIAによるAIデータセンターはGaNに「SiC×Tesla」級の波をもたらすか
窒化ガリウム（GaN）パワーデバイス市場の成長が一気に加速する可能性があります。（2025/12/8）

2025年12月4日（木）／視聴無料：
SiCウエハー加工からパッケージ技術まで網羅――「パワーエレクトロニクス イニシアチブ」を開催！
EE Times Japan／EDN Japanは「パワーエレクトロニクス イニシアチブ」を2025年12月4日にオンラインで開催致します。基調講演4本をご紹介します。（2025/11/28）

名古屋工業大学 電気・機械工学科 教授 加藤正史氏：
「技術絶やさないで」 中国勢が躍進するSiC市場、日本の勝ち筋を探る
高耐熱／高耐圧用途向けでシリコン（Si）に代わる次世代パワー半導体材料として、炭化ケイ素（SiC）への注目度がますます高まっている。2025年9月に開催されたSiCに関する国際学会「International Conference on Silicon Carbide and Related Materials（ICSCRM） 2025」での動向などを踏まえて、SiC開発の現状や日本を含めた世界のプレイヤーの勢力図について、名古屋工業大学 電気・機械工学科 教授の加藤正史氏に聞いた。（2025/11/27）

頭脳放談：
第306回 ネクスペリア危機で世界が震撼？　VWやホンダの生産停止を招いた車載半導体サプライチェーンに悪夢再び
2025年10月、オランダ政府による異例の決定が、世界的な半導体供給危機を再燃させた。大手NXP Semiconductorsから分離し、中国資本傘下となったNexperiaが製造する半導体の供給が、中国政府の措置により停止したからだ。VWやホンダなどの大手自動車メーカーは、単価は安くとも不可欠な部品の欠品により、生産停止の危機に直面している。本稿では、この小さな部品に起因する世界的危機と、サプライチェーンの脆弱性について解説する。（2025/11/21）

田中貴金属やIndiumなど：
半導体の一大新興市場インド　材料メーカーは後工程に注目
半導体において最大の新興市場ともいえるインド。材料メーカーも新たなビジネスチャンスを求めて攻勢をかける準備を整えている。（2025/11/19）

独自はんだ付け技術を採用：
高電力密度対応の1400V耐圧SiC MOSFET、インフィニオン
インフィニオン テクノロジーズは、EV充電などの高容量アプリケーション向けに、TO-247 PLUS-4リフローパッケージを採用した「CoolSiC MOSFET 1400V G2」を発表した。最大3サイクルまで、260℃でのリフローはんだ付けをサポートする。（2025/11/19）

黒鉛電極の悪影響いまだ拭えず：
レゾナック25年Q3決算は91％減益、半導体は過去最高益も
レゾナックは2025年11月13日、2025年12月期第3四半期の決算を発表した。半導体・電子材料セグメントが増収増益するも、他4セグメントが減収減益だったことから、連結業績は減収増益になった。（2025/11/14）

中国の自国製シフトが業績に響く：
AIデータセンター向けでGaNやSiC品開発、IPMで新市場狙うサンケン電気
サンケン電気は、AIデータセンターの空調／液冷システムに向け、高耐圧の窒化ガリウム（GaN）および炭化ケイ素（SiC）パワー半導体搭載IPMの展開を計画している。2025年11月12日の決算説明会で、同社社長の高橋広氏が計画を語った。（2025/11/14）

大山聡の業界スコープ（94）：
前門の虎、後門の狼 ―― 日本の半導体はどうすべきか
中国のパワー半導体メーカーが急速に台頭し、日欧勢を脅かしている。AIブームで勢いづくロジック・メモリ分野では日本が蚊帳の外にあり、パワー半導体でも中国勢が猛追。AIブームに乗れずレガシー分野でも競争が激化する日本は、まさに「前門の虎、後門の狼」の状況にある。（2025/11/14）

モノづくり総合版メルマガ 編集後記：
「数の利」を地で行く中国
「怖いもの無し」の集団が100％以上の力でぶつかってくるので、強いわけですよね……。（2025/11/13）

高速高電圧で高いCMRR特性を持ちながら導入しやすさを両立：
PR：差動プローブでSiC／GaNデバイスの正確な波形測定が可能に
半導体として優れた特性を持ち、採用拡大が進んでいる炭化ケイ素（SiC）／窒化ガリウム（GaN）パワーデバイス。横河計測は、次世代パワーデバイスの高速な電気信号を正確に測定できる高電圧差動プローブを開発した。（2025/11/14）

NVIDIAの800V直流電源アーキテクチャに対応：
「スマホ大の12kW電力供給ボード」を目指す　STの次世代AI DC向け技術
STMicroelectronicsは、次世代AIデータセンター向け電源供給システムの試作品を発表した。NVIDIAが開発する800V直流電源アーキテクチャをサポートする新しい設計だ。（2025/11/12）

サファイア基板＆PSJ技術：
独自技術で攻めるサンケン電気のGaN戦略　30年には縦型量産も
サンケン電気がGaNパワーデバイス市場への本格参入を狙っている。競争も激化しているが、高耐圧かつ低コストを実現する独自技術の横型GaNで差別化を図る他、2030年度には縦型GaNの量産も計画しているという。今回、同社幹部に詳細を聞いた。（2025/11/12）

電力密度が30％以上向上：
次世代パッケージ採用のSiCパワーモジュール、インフィニオン
インフィニオン テクノロジーズは、同社のパッケージ「EasyPACK」の次世代ファミリー「EasyPACK C」を発表した。最初の製品として、SiCパワーモジュールの提供を開始している。（2025/11/12）

ラブライブ！蓮ノ空、最新シングルが発売延期に　ジャケットイラストに不備　Xでは「AI絵か」の指摘も
バンダイナムコミュージックライブは、声優ユニット・蓮ノ空女学院スクールアイドルクラブによる8枚目のシングルCD「はじまりの羽音」を発売延期すると発表した。制作進行に不備があり、ジャケットイラストに誤りがあったという。（2025/11/11）

耐プラズマ性や高温耐性などに注目：
半導体製造装置向けファインセラミックス、2030年に1.6兆円規模へ
矢野経済研究所によると、半導体製造装置向けファインセラミックス部材の世界市場は、2030年に1.6兆円を突破する見通しである。今後は、耐プラズマ性や高温耐性、高熱伝導性などに優れたファインセラミックスを用いた部材の需要拡大が見込まれるという。（2025/11/11）