「SiC」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

新電元工業 MG074：
サージ電圧差を最小限に抑えたSiCパワーモジュール
新電元工業は、民生および産業機器向けSiC（炭化ケイ素）パワーモジュール「MG074」のサンプル出荷を開始した。配線長が等しくなるよう内部構造を左右対称のレイアウトとし、電流経路で発生するサージ電圧の差を最小限に抑えた。（2024/7/26）

材料技術：
次世代パワー半導体向け高熱伝導シンタリング銀ペーストのサンプル出荷を開始
住友ベークライトは、次世代パワー半導体向け「高熱伝導シンタリング銀ペースト（150W/m・K）」のサンプル出荷を開始した。2024年12月の量産化を目指している。（2024/7/19）

ビシェイ VS-3C05ET12T-M3など16種：
1200VのSiCショットキーダイオード
ビシェイ・インターテクノロジーは、同社第3世代品となる1200VのSiC（炭化ケイ素）ショットキーダイオード16種を発表した。埋め込み型のMPS構造を採用し、定格電流5〜40Aを用意する。（2024/7/17）

ローデ・シュワルツ R&S RT-ZISO：
差動信号を高速に測定する絶縁プロービングシステム
ローデ・シュワルツは、絶縁プロービングシステム「R&S RT-ZISO」と、MMCXコネクター付きパッシブプローブ「R&S RT-ZPMMCX」を発表した。R&S RT-ZISOは、光ファイバー給電により、測定セットアップから測定対象のデバイスを電気的に絶縁する。（2024/7/8）

2026年初旬に完成予定：
ロームの独子会社がSiCウエハー新棟を起工、生産能力3倍目指し
ローム子会社でSiCウエハー製を手掛けるドイツSiCrystalが、ドイツ・ニュルンベルクにおいて、SiCウエハーの生産能力拡大に向けた新棟を起工した。2026年初旬に完成予定で、既存施設も含めたSiCrystal全体の生産能力は2027年に3倍（2024年比）になる予定だという。（2024/7/5）

半導体やシステムの改善が不可欠：
AI普及の思わぬ弊害　データセンターの電力問題が深刻化
AI（人工知能）の発展が進む上で、データセンターの電力消費量に対する懸念が増している。次世代パワー半導体の積極的な採用や、より効率の良いデータセンターアーキテクチャの採用をはじめ、早急な対策が必要になる。（2024/7/4）

福田昭のデバイス通信（464） ECTC現地レポート（2）：
ECTCのプレナリーセッションで新材料のスタートアップ3社を紹介
引き続き、「ECTC 2024」の現地レポートをお届けする。2024年5月30日のプレナリーセッションでは、半導体パッケージングのスタートアップ企業3社が講演を行った。今回は、この3社のプレゼン内容を紹介する。（2024/7/2）

FAニュース：
キヤノンが車載用大型特殊ディスプレイ向け露光装置、スマホ向け装置の活用促進
キヤノンは第6世代ガラス基板に対応したFPD露光装置の新製品として「MPAsp-E1003H」を2024年6月に発売する。（2024/7/1）

PR：EV普及の3つの課題を一挙に解決するパワーデバイス「EliteSiC」
（2024/6/25）

米Advent Diamondが攻勢：
商用利用が近づく「ダイヤモンド半導体」
極めて優れた半導体特性で知られるダイヤモンド。ダイヤモンド半導体の開発は現在、どこまで進んでいるのだろうか。Advent Diamondの技術開発を紹介しながら、現状を伝える。（2024/6/28）

PCIM Europe 2024：
ミネベアパワーデバイス、EV向けSiCパワーモジュール開発品を初公開
ミネベアパワーデバイス（旧：日立パワーデバイス）がドイツ・ニュルンベルクで開催された世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2024」において、開発中の電気自動車（EV）向けSiCパワーモジュールを初公開した。同社独自の構造である「VC Fin-SiC」構造のSiC トレンチMOSFETを採用する予定で、量産に向けて開発を進めているという。（2024/6/27）

電力密度は一般品の1.5倍：
xEV用インバーターを小型化する2in1 SiCモールドタイプモジュール
ロームは、2in1仕様のSiC（炭化ケイ素）モールドタイプモジュール「TRCDRIVE pack」シリーズを開発した。同社の第4世代SiC MOSFETを採用し、300kWまでのxEV向けトラクションインバーターに対応する。（2024/6/27）

onsemiは順位2つ上げ2位に：
2023年SiCパワーデバイス世界売上高ランキング、首位はST
市場調査会社のTrendForceはSiCパワーデバイス市場についての調査を発表した。それによると、2023年の市場シェアはSTMicroelectronicsが32.6％を占めて首位となり、onsemiは23.6％で前年の4位から2位に浮上した。続くInfineon Technologies、Wolfspeed、ロームを含めた上位5社が総売上高の91.9％を占めていたという。（2024/6/25）

インフィニオンの「CoolSiC」：
効率99.5％を実現　400V耐圧のSiCパワーMOSFET
インフィニオン テクノロジーズは、第2世代のCoolSiC（炭化ケイ素）技術を採用した、SiCパワーMOSFET「CoolSiC MOSFET 400V」ファミリーを発表した。高い電力密度と効率を実現した。（2024/6/25）

新製品15種も同時発表：
ルネサス、Transphorm買収完了でGaN市場に本格参入
ルネサス エレクトロニクスは2024年6月20日、Transphorm（トランスフォーム）の買収を完了したと発表した。同日、新しいGaN製品とルネサス エレクトロニクスの既存製品を組み合わせた新製品を15種類発表した。（2024/6/24）

ソフトウェアモジュールも提供：
AEC-Q100準拠の車載充電モジュール向けソリューション
マイクロチップ・テクノロジーは、車載充電モジュール向けのソリューションを発表した。デジタルシグナルコントローラー「dsPIC33C」、絶縁型SiC（炭化ケイ素）ゲートドライバ「MCP14C1」、D2PAK-7L XLパッケージを採用した「mSiC MOSFET」が含まれる。（2024/6/24）

複数年で最大20億米ドルを投資：
オンセミ、チェコに最先端のSiC製造施設を設置
オンセミ（onsemi）は、チェコに最先端のSiC（炭化ケイ素）製造施設を設けると発表した。垂直統合型の製造拠点で、複数年にわたり最大20億米ドル（440億チェココルナ）の投資を計画している。（2024/6/24）

耐電圧3.3kV：
低電流領域のSBD内蔵SiC-MOSFETモジュール
三菱電機は、大容量SiCパワー半導体「SBD内蔵SiC-MOSFETモジュール」の新製品として、定格電流400Aの「FMF400DC-66BEW」と同200Aの「FMF200DC-66BE」を発売した。鉄道車両や直流送電などの大型産業機器向けで、耐電圧はいずれも3.3kVだ。（2024/6/20）

負電圧レギュレーターを内蔵：
SiC MOSFETの駆動に特化したローサイドゲートドライバー
リテルヒューズは、SiC（炭化ケイ素） MOSFETおよびIGBTの駆動に特化した、ローサイドゲートドライバー「IX4352NE」シリーズを発表した。負電圧レギュレーターを内蔵し、dV/dt耐性とターンオフの高速化に対応した。（2024/6/18）

材料技術：
4インチ窒化アルミニウム単結晶基板のサンプル提供を2024年度下期に開始
旭化成は、子会社のCrystal ISが製造する4インチ窒化アルミニウム単結晶基板について、国内外の半導体デバイスメーカーへのサンプル基板提供を2024年度下期から開始する。（2024/6/17）

SiCパワー半導体の長期供給契約も：
STと吉利汽車、「共同研究ラボ」設立などで合意
STマイクロエレクトロニクスと中国の吉利汽車は、「SiC（炭化ケイ素）パワー半導体の長期供給契約」と、「共同研究ラボの設立」で合意したと発表した。革新的な技術を共同で開発することにより、新エネルギー車（NEV）への移行を加速させる。（2024/6/17）

33か国から620社／団体以上が出展：
世界最大規模のパワエレ展示会「PCIM Europe」開幕
世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2024」が、ドイツ・ニュルンベルクで開幕。33カ国以上から集まった620以上の企業／団体が、パワーエレクトロニクス分野の最新技術やイノベーションを紹介している。（2024/6/12）

1世代ごとにオン抵抗30％削減：
「2年ごとに新世代を投入」ロームがSiC MOSFET開発を加速、25年の第5世代以降
ロームはSiC MOSFETの開発を加速し、2025年に予定する第5世代品のリリース以降、2027年には第6世代、2029年に第7世代と2年ごとに新世代品を投入する計画を明かした。1世代ごとにオン抵抗を30％削減するという。（2024/6/12）

大規模な量子コンピュータ実現へ：
低次元超伝導体でSiCとの界面に「カルシウム金属層」
東京工業大学と分子科学研究所の研究グループは、グラフェン−カルシウム化合物において、支持基板であるSiC（炭化ケイ素）との界面にカルシウム金属層が形成されることを発見した。金属層の影響で超伝導転移温度が上昇するため、温度耐性に優れた量子コンピュータを実現できるとみている。（2024/6/10）

SiCパワーモジュール性能を最適化：
トラクションインバーター開発でNXPとZFが提携
NXP Semiconductorsは、電気自動車（EV）に向けたSiC（炭化ケイ素）ベースの800Vトラクションインバーター開発で、自動車部品を製造するドイツZF Friedrichshafenとの提携を発表した。（2024/6/7）

深さの異なるバリア構造を導入：
東芝D＆S、SBD内蔵SiC MOSFETのオン抵抗を低減
東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は、高い信頼性と短絡耐久性を維持しながら、低オン抵抗を実現した「SBD内蔵SiC（炭化ケイ素）MOSFET」を開発した。深さの異なるバリア構造を導入することで実現した。（2024/6/5）

オン抵抗は30／40／60／80mΩを用意：
D2PAK-7パッケージの1200V耐圧 SiC MOSFET
ネクスペリアは、D2PAK-7パッケージの1200V SiC MOSFET「NSF0xx120D7A0」を発表した。3ピンおよび4ピンのTO-247パッケージ品に続く製品で、オン抵抗は30、40、60、80mΩから選択できる。（2024/6/4）

50億ユーロを投資：
ST、イタリアに完全統合型の200mmウエハー対応SiC製造施設を建設へ
STMicroelectronicsは、イタリアのカターニアに200mmウエハー対応SiC（炭化ケイ素）デバイス製造施設を建設すると発表した。研究開発や製品設計からパワーデバイス／モジュールの製造、テスト、パッケージングまでを一貫して行う。投資総額は50億ユーロ（約8500億円）を予定し、うち20億ユーロ（約3400億円）は欧州半導体法の枠組みでイタリア政府が支援する。（2024/6/4）

旭化成エレと欧州SALが共同で検証：
EV用電子ヒューズ技術、充電器などの安全性を大幅向上させる可能性
旭化成エレクトロニクス（AKM）と Silicon Austria Labs（SAL）は、SiCベースのパワーデバイスを搭載するEVシステムに向けた「eFuseシステム」の技術検証に成功した。車載用充電器などの安全性を大幅に向上させ、メンテナンスコストの削減を可能にする。（2024/5/31）

高耐圧GaNの技術を獲得へ：
Power Integrationsが縦型GaN新興メーカーの資産を買収
Power Integrationsが縦型GaNパワー半導体を手掛ける米国の新興メーカーOdyssey Semiconductor Technologies（以下、Odyssey）の資産を買収する。2024年7月に完了する見込みで、その後、Odysseyの主要従業員全員がPower Integrationsの技術組織に移籍する予定だ。（2024/5/29）

組み込み開発ニュース：
ルネサスのアルティウム買収が真価を発揮するのは2030年？
ルネサス エレクトロニクスが同社の概況や事業方針などについて説明。2024年下半期中の買収完了を予定しているアルティウムとのシナジーによる価値創造が軌道に乗るタイミングが2030年ごろになることを示唆した。（2024/5/20）

23年度は減収減益：
24年度は増収減益予想のローム、SiCパワー半導体への投資や新製品投入の計画を説明
ロームの2023年度通期決算は、売上高が前年度比7.9％減の4677億円、営業利益が同53.1％減の433億円、純利益が同32.9％減の539億円で減収減益となった。2024年度は売上高が同2.6％増の4800億円、営業利益は同67.7％減の140億円、純利益は同74.1％減の140億円と増収減益になる計画だ。【訂正あり】（2024/5/17）

「24年6月から1年かけ」協議へ：
半導体事業全般で技術開発や生産、販売なども、東芝との提携強化を狙うローム
ロームは2024年5月8日に開催した決算説明会で、東芝の半導体事業との業務提携強化に向けた協議を2024年6月に開始すると公表した。ローム社長の松本功氏は、すでに提携を進めるパワー半導体の製造に加え、半導体事業における研究開発や設計、調達、物流、販売といった幅広い分野での業務提携を目指す提案の概要および、シナジー効果を語った。（2024/5/17）

製造マネジメントニュース：
レゾナックの2024年12月期第1四半期は増収増益、半導体／電子材料事業がけん引
レゾナック・ホールディングスは2024年12月期第1四半期の売上高が前年同期比7.5％増の3214億円で営業利益は89億円となり、増収増益となったことを発表した。（2024/5/17）

高付加価値製品が好調で：
23年度増収減益のミネベアミツミ、24年度は売上高／営業利益ともに「過去最高」へ
ミネベアミツミの2024年3月期通期決算は、売上高が前年比8.5％増の1兆4021億円で過去最高を更新した。営業利益は同24.6％減の735億円、純利益は同18.0％減の755億円で増収減益となった。（2024/5/16）

レーザーを“優しく速く”照射する新手法：
PR：今まで見えなかったSiCの不良を「見える化」！　パワー半導体の開発を加速させる不純物解析
次世代パワー半導体の研究・技術開発に欠かせないSiC／GaNウエハーの不良解析が大きく進展しようとしている。サーモフィッシャーサイエンティフィック製のICP-MSとガルバノ光学系搭載フェムト秒レーザーアブレーションシステムを組み合わせた新しい元素分析装置「ガルバノ光学系搭載フェムト秒LA-ICP-MS」は、ウエハーに含まれる微量の不純物元素を高精度かつ高感度で解析する装置だ。既存の分析手法では得られなかったデータを活用できるようになり、次世代パワー半導体の開発や製造に大きく貢献する可能性がある。（2024/5/17）

アナログ半導体事業規模3000億円の実現に向け：
ミネベアミツミが日立のパワー半導体事業を買収完了、「ミネベアパワーデバイス」誕生
ミネベアミツミによる日立のパワー半導体事業買収が完了した。日立製作所の子会社である日立パワーデバイスを完全子会社化。また、日立製作所グループのパワーデバイス事業に関する海外販売事業の譲受も完了した。これに伴いミネベアミツミは、日立パワーデバイスの名称を「ミネベアパワーデバイス」に変更した。（2024/5/2）

電力変換効率は98％超を達成：
双方向型直流電力変換器、幅広い電圧変動に対応
神戸大学と国立中興大学（台湾）は共同で、幅広い電圧変動に対応しつつ、電力変換効率が98％以上という「双方向型の直流電力変換器（BDC）」を開発した。（2024/4/23）

24年にはSiCベアウエハーがSiを上回る：
パワー半導体向けウエハー市場、2035年に1兆円台へ
富士経済の調査によると、パワー半導体向けウエハーの世界市場は、2024年見込みの2813億円に対し、2035年は1兆763億円規模となる。特にSiC（炭化ケイ素）ベアウエハーは、2024年にSi（シリコン）ウエハーの市場規模を上回る見込みだ。（2024/4/19）

組み込み開発ニュース：
インフィニオンのSiC-MOSFETは第2世代へ、質も量も圧倒
インフィニオンが第2世代のSiC-MOSFET製品の特徴や製品ラインアップについて説明。前世代と比べて5〜20％の損失削減が可能であり、競合他社の製品との比較でも圧倒的な優位性を発揮するという。製品ラインアップの拡充も図り、マレーシアのクリム工場への大規模投資などにより量産規模も拡大していく方針である。（2024/4/15）

電子ブックレット（組み込み開発）：
新生アルテラが再誕／マイコン混載MRAMで高速読み出し
MONOistやEE Times Japanに掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は2024年1〜3月に公開した組み込み開発関係のニュースをまとめた「組み込み開発ニュースまとめ（2024年1〜3月）」をお送りする。（2024/4/15）

さらなる小型化に向けGaNデバイス強化中：
PR：電力密度10kW/Lを実現！　オンボードチャージャーの次世代ニーズにいち早く応えるインフィニオン
電気自動車（EV）やプラグインハイブリッド車（PHEV）に欠かせないオンボードチャージャー（OBC）。コスト低減や高電圧対応などさまざまな面で進化が必要なOBCだが、特に電力密度の向上、すなわちOBCの小型化が強く求められている。インフィニオン テクノロジーズは2028年ごろに求められるとされる電力密度10kW/Lを実現するOBCリファレンスデザインを開発した。どのような技術で電力密度を向上させたのだろうか。（2024/4/15）

燃料電池や環境発電などに適用：
高効率の直流電源　省部品で高昇圧、低ノイズを実現
神戸大学と国立中興大学（台湾）の研究グループは、受動部品の削減が可能で、高い昇圧能力と低ノイズを実現した「高効率直流電源」を開発した。燃料電池や環境発電、医療機器などで用いられる電源装置に適用していく。（2024/4/5）

パワーデバイス全体の27％に：
SiCパワーデバイス市場、2029年までに100億ドル規模へ
市場調査会社であるYole Groupによると、SiCパワーデバイスの市場規模は2029年に100億米ドルに達する見込みだという。この市場成長は主にEV（電気自動車）の需要に支えられるものだ。（2024/3/28）

開発プロジェクトを中止したメーカーも：
SiCへの移行は加速するのか？　コストと持続可能性への疑問
アジア太平洋経済協力会議（APEC）のカンファレンスプログラムにて、WolfspeedのCEO（最高経営責任者）であるGregg Lowe氏が「SiC（炭化ケイ素）への移行は止められない」と語った。一方、Power Integrationsの会長兼CEOであるBalu Balakrishnan氏は「SiCがSi（シリコン）ほど高い費用対効果を実現することはない」と異議を唱えた。（2024/3/28）

東京大学が開発：
パワー半導体のスイッチング損失を半減、「自動波形変化ゲート駆動ICチップ」
東京大学は、パワー半導体のゲート端子を駆動する電流波形を自動で制御するための機能を1チップに集積した「自動波形変化ゲート駆動ICチップ」を開発した。このICチップを用いると、パワー半導体のスイッチング損失を49％低減できることを確認した。（2024/3/28）

脱炭素社会の実現に向け：
天野浩氏が語ったGaNパワーデバイスの展望　「エネルギー効率99％以上を目指す」
Si（シリコン）に代わる新しい材料として、SiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）などのWBG（ワイドバンドギャップ）半導体が注目を集めている。名古屋大学教授でノーベル物理学賞受賞者である天野浩氏の講演から、GaN基板／デバイスの研究開発の現状と将来展望を紹介する。（2024/3/26）

STマイクロエレクトロニクス 日本担当 カントリーマネージャー 高桑浩一郎氏：
PR：SiCパワーデバイスやエッジAIをけん引するST　サステナビリティー経営も追求
2023年、自動車と産業機器で堅調に業績を伸ばしたSTマイクロエレクトロニクス。近年はワイドバンドギャップ半導体やエッジAI（人工知能）関連の製品群の拡張と、積極的な工場投資を進めている。2024年は初頭からグローバルでの組織変更を発表し、開発効率の向上やソリューション提案の強化を強調した。同社の日本担当 カントリーマネージャーを務める高桑浩一郎氏に、2024年の市況や戦略を聞いた。（2024/3/26）

リファレンスデザインも多数展示：
TIが語る、電源設計の最新技術トレンドと設計支援の取り組み
日本テキサス・インスツルメンツは2024年3月、電源設計者向けのセミナーを開催。併せて記者説明会も実施し、電源設計の最新技術トレンドや同社の顧客の設計支援に関する取り組みについて語った。（2024/3/21）

システムの効率化やコスト削減に貢献：
車載および産業向けの750V耐圧 SiCパワーMOSFET新製品、Infineon
Infineon Technologiesは2024年2月27日（ドイツ時間）、車載および産業向けのSiC（炭化ケイ素）パワーMOSFET新製品「CoolSiC MOSFET 750V G1」シリーズを発表した。「クラス最高」（同社）とするRDS（on）× Qfrおよび高いRDS（on） × Qoss性能指数を実現し、システムの効率化やコスト削減に貢献する。（2024/3/18）