「SiC」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

25年度1Qも出荷額は高水準を予想：
ディスコの24年度は増収増益、5期連続で過去最高更新
ディスコの2024年度通期（2024年4月～2025年3月）業績は、売上高が前年同期比27.9％増の3933億円、営業利益が同37.3％増の1668億円、利益率が42.4％といずれも過去最高を更新した。生成AI向けなどが引き続き堅調に推移した。（2025/4/18）

SiチップとSiCチップを並列接続：
SiC搭載の新型IPMを開発、エアコンの電力消費を大幅削減
三菱電機は、エアコンなどの電力消費を大幅に削減できる「インテリジェントパワーモジュール（IPM）」を新たに開発し、サンプル出荷を始めると発表した。（2025/4/17）

2025年4月7日週の動き：
半導体メーカーの「悲喜こもごも」　絶好調のTSMC、人員削減のST
STMicroelectronicsは2025年4月、製造拠点と従業員の再編を全社的に実施することを明らかにした。またInfineon Technologiesは、Marvell Technology（以下、Marvell）の車載イーサネット事業部門を25億米ドルで買収すると発表している。（2025/4/16）

電動化：
日産の第3世代e-POWERを支える「新燃焼コンセプトSTARC」と「5in1」
日産自動車は2025年度後半からシリーズハイブリッドシステム「e-POWER」の第3世代を投入する。まずは欧州向け「キャシュカイ」で採用し、2026年度には北米向け「ローグ」や日本向けの大型ミニバンにも搭載していく。（2025/4/16）

「M3 SiC」技術を採用：
省電力で低コストな1200V SiC搭載パワーモジュール、オンセミ
オンセミは、1200V SiC MOSFETベースのインテリジェントパワーモジュール「SPM31」を発表した。ハイサイドゲートドライバーやLVIC、6つのSiC MOSFET、温度センサーで構成される。（2025/4/10）

SiCにも対応可能：
パワー半導体のスイッチング損失を自動低減する駆動IC　対応品種が1万超に
東京大学は2023年に、パワー半導体のスイッチング損失を自動低減するゲート駆動ICチップを開発した。今回、同技術を4端子パッケージと3端子パッケージの両方に適用できるようにした。これにより、対応する品種の数は2390品種から1万種以上に、大幅に増加した。（2025/4/9）

PCBからの放熱も軽減：
上面放熱パッケージの1200V SiC MOSFET、Nexperia
Nexperiaは、表面実装（SMD）上面放熱パッケージ「X.PAK」を採用した、産業向け1200V SiC MOSFET製品シリーズを発表した。太陽光発電インバーターやバッテリー蓄電システムなどでの用途に適する。（2025/4/9）

電動化：
マツダが次世代半導体を使った自動車部品の共同開発をスタート
マツダとロームは、次世代半導体として注目される窒化ガリウム製パワー半導体を使用した自動車部品の共同開発を開始した。次世代半導体の実装化で自動車の技術革新に寄与する。（2025/4/7）

2035年に7兆7710億円規模へ：
パワー半導体市場、25年後半に在庫が正常化　26年から成長拡大
富士経済はパワー半導体の世界市場を調査、2035年には7兆7710億円規模に達すると発表した。2024年に比べ2.3倍の市場規模となる。2024年は電気自動車（EV）の需要鈍化などで在庫を抱えたが、長期的には電動車の普及拡大などにより、パワー半導体市場は大きく伸びると予測した。（2025/4/7）

車載半導体：
自動車に不可欠なモーターとパワー半導体、東芝の戦略は
車載用半導体にどのように取り組むのか。東芝デバイス＆ストレージが説明会を開き、戦略を紹介した。（2025/4/3）

サプライチェーン強化へ：
STと中国Innoscience、GaN開発／製造で提携　互いの拠点活用
STMicroelectronicsは2025年3月31日（スイス時間）、中国の窒化ガリウム（GaN）パワー半導体メーカーであるInnoscienceと、GaN技術の開発と製造に関する契約を締結した。GaNパワー技術の共同開発を行うほか、欧州や中国の製造拠点を互いに活用しサプライチェーン強化を目指す。（2025/4/1）

2027年度に実用化へ：
ロームがマツダと車載GaNパワー半導体搭載品を共同開発
ロームとマツダが、GaNパワー半導体を用いた自動車部品の共同開発を開始した。2025年度中にコンセプトの具現化とデモ機によるトライアルを実施し、2027年度の実用化を目指す。（2025/3/27）

電動化：
SiC CMOSパワーモジュールを用いたモーター駆動に成功
産総研は、明電舎と共同でSiC CMOS駆動回路を内蔵したSiCパワーモジュールによるモーター駆動に世界で初めて成功した。現行のSiCパワーモジュールと比べてスイッチングロスを約10分の1に低減した。（2025/3/25）

総システムコストの低減が可能に：
SiC MOSFETベースのIPM、高エネルギー効率を実現
オンセミは、定格電圧1200VのSiC（炭化ケイ素）MOSFETをベースとしたインテリジェントパワーモジュール（IPM）「EliteSiC SPM31」を発表した。IGBT技術を用いた従来品に比べ、小型で高いエネルギー効率と電力密度を達成した。（2025/3/24）

組み込み開発ニュース：
パワー半導体のスイッチング損失を3割削減できるゲート駆動回路、適用範囲が5倍に
東京大学 生産技術研究所は、同研究所 教授の高宮真氏らの研究グループが開発したパワー半導体のスイッチング損失を自動で低減する技術の適用範囲を大幅に拡大することに成功したと発表した。（2025/3/17）

セミナー：
PR：Avnet Tech Day 2025 - 未来を切り拓く！ 最新半導体技術によるEdge AIの実現
（2025/3/14）

高速スイッチング動作時のノイズ低減：
SiC CMOSパワーモジュールでモーター駆動　損失を10分の1に
産業技術総合研究所（産総研）は、明電舎と共同でSiC CMOS駆動回路を内蔵したSiCパワーモジュールを用い、モーターを駆動させることに成功した。高速スイッチング動作時に発生するノイズを抑え、エネルギー損失を従来に比べ約10分の1に低減した。（2025/3/13）

核融合発電　ここがキモ（2）：
核融合炉の過酷な環境に耐えられる究極の材料とは？
自然科学研究機構・核融合科学研究所 教授の高畑一也氏が、核融合発電の応用知識について解説する本連載。第2回では、核融合炉内の極限環境で使われる材料について解説します。（2025/3/12）

高出力領域で拡大へ：
ついにAIサーバに、次は車載へ　GaNパワー半導体で攻めるローム
急速な成長を続ける窒化ガリウム（GaN）パワー半導体市場での展開で、ロームが新たな段階に入った。これまでは民生機器向けが中心だったが、AIサーバ用電源ユニットに初採用されたことを皮切りに、車載などのハイパワーアプリケーションでの採用拡大を狙う。（2025/3/11）

インフィニオン CoolSiC MOSFET 650V：
電力密度向上に貢献　Q-DPAK／TOLLパッケージのSiC MOSFET
インフィニオン テクノロジーズは、「CoolSiC MOSFET 650V」のディスクリート製品に、Q-DPAKとTOLLパッケージの製品ファミリーを追加した。Q-DPAKパッケージではオン抵抗7mΩ／10mΩ／15mΩ／20mΩ製品、TOLLパッケージでは同10～60mΩ製品の提供を開始した。（2025/3/10）

材料技術：
三菱電機が環境向け研究開発を披露　ノウハウなしで静電選別が行える検証機とは？
三菱電機は、兵庫県尼崎市の先端技術総合研究所で「グリーン関連研究開発事例 視察会」を開催し、オペレーションのノウハウなしで静電選別が行える検証機を披露した。（2025/3/5）

単一光子源として量子技術に応用：
絶縁膜とSiC界面発光中心のエネルギー準位を解明
大阪大学は豊田中央研究所と共同で、絶縁膜と炭化ケイ素（SiC）の界面に局在する「発光中心のエネルギー準位」を解明することに成功した。界面発光中心を単一光子源として利用した量子技術を実現できるとみている。（2025/3/4）

AIからスピントロニクスまで：
半導体業界 2025年の注目技術
編集部が選んだ2025年の注目技術を紹介する。（2025/3/3）

FLOSFIA出身CEOの再挑戦：
三拍子そろった好材料　次なるパワー半導体「二酸化ゲルマニウム」の可能性
SiCやGaNのさらに次の世代のパワー半導体材料として期待される二酸化ゲルマニウム。その社会実装を目指す立命館大学発のスタートアップ、Patentixで社長兼CEOを務める衣斐豊祐氏と、Co-CTO（共同最高技術責任者）を務める金子健太郎氏に話を聞いた。（2025/2/27）

半導体再興のカギは「人づくり」にあった━━全国8大学が明かす次世代育成の切り札
東京大学をはじめとする国内8大学の教授陣が「産学共創で拓く未来―最先端研究と次世代人材育成」をテーマに産業界とアカデミアの連携強化の重要性について語った。議論を基に、日本の半導体再興への道のりを探る。（2025/2/26）

260℃でも強固な接合強度を発揮：
PR：700℃以上の耐熱性を発揮する「新接合材料」　次世代パワー半導体の接合技術に革新をもたらす
次世代パワー半導体の製造を革新する可能性を持つ接合材料が登場した。千住金属工業が開発した「NFTLP接合材料」だ。接合中に融点が上がり、最終的に接合温度以上の耐熱性を発揮する。耐熱温度は700℃以上と極めて高く、260℃でも十分な接合強度を維持できることを確認している。どのような接合材料なのだろうか。（2025/3/4）

リテルヒューズ TPSMB非対称シリーズ：
車載SIC MOSFET向け　非対称TVSダイオード
リテルヒューズは、車載用炭化ケイ素（SiC） MOSFET向けに、非対称の過渡電圧サプレッサーダイオード「TPSMB非対称TVSダイオード」シリーズを発表した。高性能な過電圧保護が必要なSiC MOSFETゲートドライバーに対し、優れた保護機能を提供する。（2025/2/21）

6G通信用でRF半導体需要が拡大：
化合物半導体市場、2031年に7兆9920億円規模へ
化合物半導体の世界市場は、2024年見込みの4兆4584億円に対し、2031年には7兆9920億円規模に達する。今後はLEDチップやパワー半導体が市場拡大に寄与する。富士キメラ総研が市場調査し、2031年までの予測を発表した。（2025/2/20）

ニッチ領域でトップ狙う：
PR：「とがった技術の掛け算」で小さく攻めて、大きな価値の創造へ――ミネベアミツミが半導体事業を加速
ミネベアミツミがアナログ半導体事業を強化している。独自性の強い技術を磨き上げ、さらにそれらを掛け合わせた相乗効果によって付加価値を高めた製品で、ニッチ領域を狙う。同社で常務執行役員 半導体部門長を務める矢野功次氏は「大海原ではなく“湖”でトップを目指す」と強調する。矢野氏に同社半導体事業の強みと戦略を聞いた。（2025/2/19）

製造マネジメントニュース：
レゾナックが半導体／電子材料の販売が好調で増収増益　黒字にV字回復
レゾナック・ホールディングスの2024年12月期通期連結業績は、売上高が前年同期比7.8％増の1兆3893億円で、前年同期に営業利益、経常利益、当期純利益が全て赤字となっていた状況から黒字回復を果たしたと発表した。（2025/2/17）

「青だけで絵は描けるのか？」　全50種の“青”い画材で挑戦　完成した絵に「すごすぎる」と称賛
デザイン・絵画専門の藝大卒のふたりが挑戦！（2025/2/16）

フィラッハ工場から：
8インチSiCウエハーのパワー半導体を25年1Qに出荷、Infineon
Infineon Technologies（以下、Infineon）は2025年2月13日（ドイツ時間）、200mm 炭化ケイ素（SiC）ウエハープロセスで製造した最初の製品を2025年第1四半期（1～3月：1Q）に顧客に供給すると発表した。オーストリア・フィラッハ工場で製造する。（2025/2/14）

ヘッドスプリング 18kVA SiC三相インバータ：
研究開発／試作開発向け18kVA SiC三相インバーター
ヘッドスプリングは、研究開発や試作開発向けの「18kVA SiC三相インバータ」を発表した。モータードライブ、コンプレッサー制御、系統連系といった分野での実験システムに使用できる。（2025/2/14）

SiCデバイス「成長は想定を下回る」：
SiC市場は「従来より厳しい局面が続く」ローム、EV失速で
ロームの2024年度第3四半期累計（2024年4～12月）の連結業績は、売上高が前年同期比3.0％減の3446億4200万円、営業利益が110億8000万円の赤字、純利益が同99.5％減の2億1000万円となった。（2025/2/5）

電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記：
AIデータセンターなどで採用の「転換点」迎えるGaNパワー半導体
市場は6年で7倍に。（2025/2/3）

第39回 ネプコン ジャパン：
電力損失15％減、三菱電機が第8世代IGBT搭載産業用モジュールを公開
三菱電機は「第39回 ネプコン ジャパン -エレクトロニクス 開発・実装展-」に出展。パワーデバイス事業の戦略を紹介したほか、開発中の8インチSiC-MOSFETウエハーや新開発の第8世代IGBTを搭載した産業用モジュールを展示した。（2025/2/3）

Intelの凋落、終わりなき分断：
2024年の半導体業界を振り返る
本稿では、2024年下半期（7～12月）の半導体業界をEE Times Japanの記事とともに振り返る。（2025/1/31）

SiC-MOSFETの温度予測技術を担当：
パワー半導体の劣化を推定　欧州プロジェクトに三菱電機が参画
三菱電機は、欧州現地法人を通じて欧州「FLAGCHIP」プロジェクトに参画した。同プロジェクトでは、新たに開発する試験機を用い、パワー半導体モジュールに実装された半導体チップの温度を正確に推定する技術を実証していく。（2025/1/31）

米シンクタンクが報告書を発表：
バイデン政権の置き土産 「CHIPS法」の効果を検証する
米シンクタンクが、CHIPS法（CHIPS and Science Act）の効果を評価する報告書を発表した。これまでに助成が確定あるいは覚書を締結したプロジェクトが不可欠だったかどうかを、率直に評価している。（2025/1/24）

モーター制御／電力変換に特化：
WBGパワー半導体の能力を引き出す　「PSOC Control」第1弾
Infineon Technologiesが、モーター制御および電力変換システム向けに特化した、Arm Cortex-M33ベースの高性能マイコン「PSOC Control」第1弾の発売を発表。同社の産業用およびIoT MCU担当シニアバイスプレジデントであるSteve Tateosian氏がその詳細を語った。（2025/1/24）

SEMICON Japan 2024：
20GHz対応、6Gを見据える次世代RFテストカード　アドバンテスト
アドバンテストは「SEMICON Japan 2024」に出展し、SoC（System on Chip）テストシステム「V93000」用のRFテストカードやパワーマルチプレクサカードを紹介した。（2025/1/24）

electronica 2024：
「パワーは次のフロンティア」onsemiのCEOが語る
onsemiのCEOであるHassane El-Khoury氏は、欧州最大規模のエレクトロニクス展示会「electronica 2024」（2024年11月12～15日）においてEE Times Japanなどの取材に応じ、市場の展望や戦略について語った。（2025/1/20）

利益出ず倒産するメーカーも：
成熟ノードチップ、中国で過剰供給か
中国では現在、レガシーノードの半導体製造プロセスを用いて作られたチップ（成熟ノードチップ）が過剰に供給されているという。TSMCとSamsung Electronicsを除くと、2024年の世界成熟ノードチップの営業利益は前年比で23％減少する見込みだ。中国では、利益を出せずに倒産する半導体メーカーも出ている。（2025/1/20）

製造マネジメントニュース：
ロームの新社長に東克己氏、工場再編含めた抜本的構造改革の断行で業績回復へ
ロームは、新たな代表取締役社長 社長執行役員に、同社 取締役 専務執行役員 品質、生産、汎用デバイス事業、モジュール事業担当の東克己氏が2025年4月1日付で就任すると発表した。（2025/1/20）

新電元工業 WSシリーズ：
スイッチング損失を大幅削減、高電圧機器向けSiC-SBD
新電元工業は、高電圧機器向けSiCショットキーバリアダイオード「WS」シリーズを発表した。ファストリカバリーダイオードと比較し、順方向電圧を約50％、リカバリー特性を約85％低減した。（2025/1/20）

オンセミ 代表取締役社長 林孝浩氏：
PR：パワー／センサー／アナログ・ミックスドシグナルの3本柱でメガトレンドに攻勢、オンセミ
オンセミ（onsemi）は、自動車／産業／AIデータセンター市場をターゲットに、「パワーデバイス」「センシング」「アナログ／ミックスドシグナルプラットフォーム」の3分野で攻勢をかけている。新製品の投入に加え、SUBARUやデンソーとの協業やSiC事業の買収を発表するなど、パートナーシップの強化と積極的なM＆A戦略で中核事業の拡大を狙う。「先端技術と製造最適化で顧客のイノベーションをサポートしたい」と語る日本法人社長の林孝浩氏に2025年の事業戦略を聞いた。（2025/1/16）

トレックス・セミコンダクター 代表取締役社長執行役員 木村岳史氏：
PR：小型／低消費電力の強みを中高耐圧電源ICでも　トレックス
トレックス・セミコンダクターは、小型／低消費電力を強みにする電源ICを中高耐圧領域へと拡大させる。技術営業を強化しながら、36V耐圧のコイル一体型電源ICを投入し、産業機器、車載機器市場での売り上げ拡大を目指す。同社の2025年事業戦略について2024年4月に代表取締役社長執行役員に就任した木村岳史氏に聞いた。（2025/1/16）

組み込み開発ニュース：
高電圧機器の高効率化／小型化を可能にするSiC-SBD
新電元工業は、高電圧機器向けSiC-SBD（ショットキーバリアダイオード）「WS」シリーズのサンプル出荷を開始する。スイッチング損失とスイッチングノイズを大幅に削減し、機器の高効率化と周辺回路の小型化に寄与する。（2025/1/14）

ディスコの独自プロセス「KABRA」：
GaNウエハー取り枚数が8枚から11枚に　インゴットをレーザーでスライス
ディスコは「SEMICON Japan 2024」（2024年12月11～13日、東京ビッグサイト）に出展し、GaN（窒化ガリウム）などの次世代半導体材料向けソリューションを紹介した。（2025/1/6）

2024年 年末企画：
編集者が選ぶ「2024年半導体業界の漢字」――「差」
2024年も間もなく終わりを迎えます。そこで、EE Times Japan編集部のメンバーが、半導体業界の“世相”を表す「ことしの漢字」を考えてみました。（2024/12/26）