「SiC」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

SiC搭載インバーターの小型軽量化に向け：
150℃耐熱の高耐電圧コンデンサー用フィルムを開発、東レ
東レは2024年12月16日、150℃で動作可能な高耐熱性を有する高耐電圧コンデンサー用フィルムを開発したと発表した。小型／高信頼性の耐熱コンデンサーの実用化を加速させ、SiC（炭化ケイ素）パワー半導体搭載インバーターの冷却機構簡略化による小型化／軽量化につながるとしている。（2024/12/17）

材料技術：
150℃の耐熱性を持つ高耐電圧コンデンサー用フィルムを開発
東レは150℃で動作可能な高耐熱性を有する高耐電圧コンデンサー用フィルムを開発した。今後、同フィルムのサンプルワーク提供と量産化に向けた検討を進めていく。（2024/12/17）

脱炭素：
レゾナックの半導体材料事業が進めるサステナビリティ戦略とは？
レゾナック・ホールディングスは、「レゾナック サステナビリティ説明会2024」で、半導体材料事業を題材に同社の事業戦略とサステナビリティーの取り組みについて説明した。（2024/12/12）

研究開発の最前線：
次世代半導体向けの素材とプロセスを共創する研究所を設置
東北大学と住友ベークライトは、同大学 青葉山キャンパス レジリエント社会構築イノベーションセンター（仙台市青葉区）に「住友ベークライト×東北大学 次世代半導体向け素材・プロセス共創研究所」を2025年1月1日に設置する。（2024/12/11）

1億1500万ドルで：
onsemi、UnitedSiC含むQorvoのSiC JFET事業を買収へ
onsemiが、Qorvoから子会社United Silicon Carbide（UnitedSiC）を含むSiC（炭化ケイ素） JFET事業を買収すると発表した。買収額は1億1500万米ドルで、2025年第1四半期に完了する予定だ。同技術の取得によって、AI／データセンターや自動車市場などでの成長加速を狙う。（2024/12/10）

研究開発の最前線：
黒鉛ルツボの劣化を抑える、炭化タンタルの厚膜コーティング技術を開発
豊田中央研究所は、パワー半導体材料のSiC結晶生成時に使用する、黒鉛ルツボの劣化を抑える炭化タンタルの厚膜コーティング技術「SinTaC」を発表した。ルツボの再使用が可能となり、SiC製造コストや環境負荷低減への貢献が期待される。（2024/12/10）

パワー半導体の合従連衡、デンソーが軸に　欧米勢だけでなく、中国勢も投資を強化
次世代品は中国勢も投資を強化しており、1社の規模が小さい国内勢が競争力を維持するには協業による生産能力の拡大を急ぐ必要がありそうだ。（2024/12/6）

electronica 2024：
「世界初」マイコン1個で8機能を制御、E-Axleの動作デモ ルネサス
ルネサス エレクトロニクスは欧州最大規模のエレクトロニクス展示会「electronica 2024」に出展し、8つの機能を1個のマイコンで制御する電気自動車（EV）向けE-AxleのPoC（proof of concept）機を展示。実際の動作デモを行った。PoCはニデックと共同で開発したものだ。（2024/12/6）

「SEMICON Japan 2024」事前情報：
先端SiC技術やxEV用パワー半導体など紹介 三菱電機
三菱電機は、エレクトロニクス製造の国際展示会「SEMICON Japan 2024」に出展し、パワー半導体の事業戦略、先端のSiCパワー半導体技術、今後市場拡大が期待されるxEV用パワー半導体などを紹介する予定だ。（2024/12/6）

CEATEC 2024で製品を多数展示：
「第3の創業」目指す日本ガイシ　EnerCeraや複合ウエハーで攻勢
日本ガイシは「CEATEC 2024」で、カーボンニュートラルやデジタル社会の実現に向けた同社の技術を紹介した。さらに、薄くて小型のリチウムイオン二次電池「EnerCera」や、高周波デバイス用の複合ウエハーなどを展示した。（2024/12/4）

製造マネジメントニュース：
経産省が半導体供給確保の助成を追加認定、デンソー富士電機含め8件で1013億円
デンソーと富士電機はSiCパワー半導体の投資と製造連携を行う供給基盤の整備／強化を目的とする「半導体の供給確保計画」が経済産業省に認定された。これを含めて半導体6件、先端電子部品2件の助成が認定されており総額は1013億円に上る。（2024/12/2）

政府が最大705億円助成：
富士電機とデンソーがSiCパワー半導体生産強化で協業、2116億円投資
富士電機とデンソーは2024年11月29日、SiC（炭化ケイ素）パワー半導体に関する投資および製造連携を行うと発表した。2116億円を投じてSiCパワー半導体の国内における生産能力を強化する計画で、経済産業省が最大705億円を補助する。（2024/11/29）

利点を最大限に生かす設計上の考慮点は：
PR：高電圧大電流のバッテリー遮断スイッチになぜSiCが最適なのか、Microchipが徹底考察
単相や三相の系統電力またはエネルギー貯蔵システム（ESS）を電源とする、DCバス電圧が400V以上の電気システムは、ソリッドステート回路保護によって、信頼性と回復力を向上できる。本記事では、Microchip TechnologyのSiC事業部 シニア テクニカルスタッフ アプリケーションエンジニアを務めるEhab Tarmoom氏が、高電圧、大電流のバッテリーディスコネクトスイッチにおけるSiC技術導入やパッケージング技術のもたらす利点および、システムの寄生インダクタンスと過電流保護限界の特性評価の重要性などについて考察する。（2024/11/28）

整流特性も良好：
ルチル型GeO2で「世界初」半導体デバイスの動作確認
Patentixは、r-GeO2（ルチル型二酸化ゲルマニウム）単結晶薄膜上にショットキーバリアダイオード（SBD）を形成し、その動作を確認した。（2024/11/28）

electronica 2024：
ロームが車載SiCの主戦場で加速、新モジュール採用品を初公開
ロームはxEV（電動車）用トラクションインバーター向けの市場展開を着実に進めている。「electronica 2024」では、同社の新しいモールドタイプSiCモジュールを採用した、フランスの自動車部品大手Valeoのインバーターを初公開した。（2024/11/27）

electronica 2024：
「業界初」中国SICCが300mmのSiC基板を発表
中国のSiC基板メーカーSICCが、「業界初」となる300mmのSiC基板を開発した。ドイツ・ミュンヘンで開催された欧州最大級のエレクトロニクス展示会「electronica 2024」および併催された「SEMICON Europa 2024」で発表した。（2024/11/25）

インフィニオン HybridPACK Drive G2 Fusion：
Si×SiCでコストパフォーマンス向上　EV向けパワーモジュール
インフィニオン テクノロジーズは、SiとSiCを組み合わせた、電気自動車向けパワーモジュール「HybridPACK Drive G2 Fusion」を発表した。SiCとSiを統合したことで、フルSiCソリューションよりもコストパフォーマンスに優れる。（2024/11/25）

AIサーバ用途の活用を強調：
20μmの「極薄」パワー半導体ウエハーを初公開、Infineon
Infineon Technologiesはドイツ・ミュンヘンで開催された欧州最大規模のエレクトロニクス展示会「electronica 2024」において、厚さ20μmと「世界最薄」（同社）の300mmパワー半導体ウエハーを初公開した。同技術は既に認証済みで、Infineonのインテグレーテッドスマートパワーステージ（DC-DCコンバーター）に採用され最初の顧客に納入されている。（2024/11/22）

2025年1〜3月にサンプル出荷：
20Mbps対応のCAN XL用トランシーバーを世界初公開、Bosch
Robert BoschがCANプロトコルの第3世代である「CAN XL」用で、最大20Mbpsのデータ転送速度をサポートする、CAN SIC XLトランシーバー「NT156」を世界初公開した。2025年第1四半期のサンプル出荷を予定している。（2024/11/22）

東芝 X5M007E120：
低オン抵抗／高信頼性　車載向けSiC MOSFETベアダイ品
東芝デバイス＆ストレージは、車載トラクションインバーター用1200V耐圧SiC MOSFETのベアダイ製品「X5M007E120」を発表した。ショットキーバリアダイオードの配置を市松模様に変更したことで、バイポーラー通電を効果的に抑える。（2024/11/22）

材料技術：
印刷して焼結するだけで銅配線が可能なペースト　酸化しにくく厚膜にも対応
住友金属鉱山は、「第15回 高機能素材Week」で、開発品として「微粒銅粉」と「金属錯体導電性ペースト」を披露した。（2024/11/20）

政府が後押し：
インドは新しい半導体ハブとなるか　初の300mmファブ建設へ
インドのTata Electronicsと台湾のPSMCは2024年9月、インドでの半導体工場建設を発表した。国内初となる300mmウエハー工場の建設を目指している。これは、世界の半導体業界の主要プレイヤーになるというインドの計画が実現しつつあることを示している。（2024/11/19）

製造マネジメントニュース：
レゾナックが半導体／電子材料事業好調で黒字、通期予想の営業利益も上方修正
レゾナック・ホールディングスは、2024年12月期第2四半期（1月1日〜9月30日）の売上高が前年同期比9％増の1兆275億円で、営業利益は589億円となり前年同期の赤字から黒字に転じた。（2024/11/14）

サンプル出荷を開始：
「斜めからのイオン注入」で損失低減　三菱電機のxEV用SiC-MOSFET
三菱電機は、電動車（xEV）の駆動モーター用インバーターに向けた標準仕様のパワー半導体チップ「SiC-MOSFET」を開発、サンプル出荷を始めた。xEVの航続距離を延伸でき、電費の改善につながるとみている。（2024/11/14）

BEV普及の減速など：
ローム、一転通期赤字を予想　SiC投資にブレーキ
ロームは2024年度通期業績について、売上高を期初予想比300億円減の4500億円、営業利益を150億円の赤字（期初予想は140億円の黒字）、純利益を60億円の赤字（同140億円の黒字）にそれぞれ下方修正した。（2024/11/8）

EE Exclusive：
世界最大級のパワエレ展示会「PCIM 2024」で見た最新動向
世界最大規模のパワーエレクトロニクス専門展示会「PCIM Europe 2024」が2024年6月11〜13日、ドイツで開催された。本稿ではEE Times Japan記者が現地で取材した業界の最新動向および技術などを紹介する。（2024/10/31）

電子ブックレット（組み込み開発）：
インテルが大胆設計変更のLunar Lake／シャープのFCR回路技術
MONOistやEE Times Japanに掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は2024年7〜9月に公開した組み込み開発関係のニュースをまとめた「組み込み開発ニュースまとめ（2024年7〜9月）」をお送りする。（2024/10/28）

格子不整合を緩和して単結晶化：
SiC低価格化の鍵になるか　ヘテロエピ成長用「中間膜」技術
東京大学発のスタートアップであるGaianixx（ガイアニクス）は「CEATEC 2024」で、同社が手掛ける「多能性中間膜」の技術を展示した。ヘテロエピタキシャル成長用の技術で、さまざまな金属材料の単結晶膜をシリコン基板上に形成できるようになる。（2024/10/24）

次世代パワー半導体：
酸化ガリウムウエハーの低コスト量産に向け、東北大が新会社を起業
東北大学は、β型酸化ガリウム（β-Ga2O3）ウエハーの低コスト量産化を目指す同大発のスタートアップFOXを起業したと発表した。同大と同大発スタートアップのC＆Aが共同開発した貴金属フリーの単結晶育成技術を用い、シリコンに匹敵する低欠陥のβ-Ga2O3インゴット／基板を、SiCより安価に製造する技術の実用化を目指す。（2024/10/17）

真空チャンバーなどは不要：
パワー半導体向けボイドレスはんだ付け技術を開発
日本アビオニクスは、パワー半導体チップとリードフレームや放熱板を接合する時に発生するボイドを抑えられる「ボイドレスはんだ付け」技術を新たに開発した。同社が保有する「パルスヒートはんだ付け」と「超音波接合」の技術を融合することで実現した。（2024/10/16）

Qorvo UJ4N075004L8S：
定格電圧750V、オン抵抗4mΩのSiC JFET
Qorvoは、750Vでオン抵抗が4mΩのSiC JFET「UJ4N075004L8S」を発表した。半導体回路ブレーカーなどの回路保護用途向けに設計され、TOリードレスパッケージで提供される。（2024/10/11）

たった2つの式で始めるDC/DCコンバーターの設計（10）：
ステップアップ形DC/DCコンバーターの設計（3）CRスナバー回路とチョークの要求特性
今回はCRスナバー回路とチョークの要求特性について説明します。（2024/10/11）

溶液法SiCウエハー事業：
JSファンダリとオキサイド、SiCウエハー国産化目指し協業
JSファンダリとオキサイドが、溶液法SiCウエハー事業において、業務提携に関する基本合意書を締結したと発表した。JSファンダリは、「溶液法SiCウエハーの事業化にオキサイドと取り組み、「欠陥が少なく高品質なウエハーの市場への安定投入を図ることで、自社のパワー半導体ビジネス拡大への足掛かりとする」としている。（2024/10/9）

「業界最大」静電容量を実現：
3225サイズで定格1250V、C0G特性MLCCをTDKが開発
TDKが、車載用途などで高まるコンデンサーの高耐圧化および高静電容量化への需要に応える、新たなMLCCを開発した。「C0G特性」の3225サイズ品で定格電圧1250Vと、「業界最大」（同社）の高静電容量10nFを両立。車載と一般用の両グレードを用意し、2024年12月に量産を開始する予定だ。（2024/10/9）

顧客も強く意識：
「半導体メーカーもサステナビリティ戦略は必須」　onsemi CMO
サステナビリティ戦略は半導体メーカーにとっても重要になっている。onsemiでシニアバイスプレジデント兼CMO（Chief Marketing Officer）を務めるFelicity Carson氏は、「顧客は半導体サプライヤーのサステナビリティ戦略を強く意識している。プロダクトカーボンフットプリントなどの情報提供を求める声も強くなっている」と語る。（2024/10/8）

ルネサスの海外販売戦略に柔軟かつ即座に対応：
PR：Avnet、日本でルネサス製品の取り扱い開始　需要創出と物流で強力に支援
Avnet（アヴネット）がルネサス エレクトロニクス製品の取り扱いを日本で開始した。M＆Aを経て製品群が大幅に増加したルネサスは、ラインカードが多く物流ネットワークにも強いAvnetに大きな期待を寄せる。AvnetのAsia Pacific and Japanでプレジデントを務めるPrince Yun氏と、ルネサス グローバル・リージョナル＆日本アジアパシフィック統括でバイスプレジデントを務める長谷川夕也氏が、ルネサスとしてAvnetを選択した背景やルネサスとAvnetのパートナーシップがエンジニアにもたらす価値について語った。（2024/10/16）

工場ニュース：
サイコックスが貼り合わせSiC基板の8インチ量産ラインを構築決定
サイコックスは、サイコックス大口工場（鹿児島県伊佐市）で、貼り合わせSiC基板「SiCkrest）」の8インチ量産ラインを構築することを決定した。（2024/10/2）

Axus Technologyが開発：
SiCを低コスト化できるか　米装置メーカーのCMP技術
米Axus Technologyが提供するCMP（化学機械研磨）装置は、SiCウエハーのコストを大幅に下げる可能性がある。（2024/10/1）

組み込み開発ニュース：
STマイクロが第4世代SiC-MOSFETを発表、第5世代以降のロードマップも
STマイクロエレクトロニクスが従来と比べて電力効率や電力密度、堅牢性を大幅に向上する第4世代SiC-MOSFETを発表。2025年第1四半期以降に提供を開始する予定で、その後2027年に向けてプレーナー構造をベースにした第5世代の開発や、高温動作時に極めて低いオン抵抗を実現する技術の導入などを進めていく方針である。（2024/9/30）

固有の劣化モードを評価：
SiCパワー半導体の劣化試験サービスを開始、OEG
OKIエンジニアリング（OEG）は2024年9月、SiC（炭化ケイ素）パワー半導体固有の劣化モードを評価する「AC-BTI試験サービス」を始めた。SiCパワー半導体の開発やデバイス選択、応用製品の設計などを支援していく。（2024/9/30）

「電脳メガネ」ついに実現？　Meta、真のARグラス「Orion」を披露　“筋肉の信号で操作”も可能に
アニメ作品「電脳コイル」に登場する「電脳メガネ」のようなARメガネを、Metaがお披露目した。同社のカンファレンス「Meta Connect 2024」で発表したもので、10年の歳月を経て作り上げた、単体動作できる真のARメガネとアピールする。（2024/9/26）

750Vおよび1200V品を予定：
STが最新世代SiC MOSFETを発表、EVインバーター向けに最適化
STMicroelectronicsが、最新世代となる第4世代SiC MOSFET技術を開発した。定格電圧750Vおよび1200Vの製品を提供予定。電力効率や電力密度、堅牢性を向上し、特に次世代のEV（電気自動車）トラクションインバーター向けに最適化されているという。（2024/9/26）

SMCが生産能力を大幅拡大：
中国でパワー半導体の新工場稼働　着工からわずか21カ月で
米国資本の半導体メーカーであるSMC Diode Solutions（SMC）は、中国 南京で2つ目のパワーディスクリート工場の稼働を開始した。総面積は2.8万平方メートルで、建設には30億人民元（約615億円）を投じた。高性能／高電圧整流器を製造する予定で、SMCの生産能力は大幅に増大していくとみられる。（2024/9/26）

材料技術：
レゾナックがソイテックとSiCパワー半導体向け貼り合わせ基板の共同開発契約締結
レゾナックは、先進的な半導体基板材料を製造するフランスのソイテックと、パワー半導体に使用される8インチの炭化ケイ素SiCエピウエハーの材料となる8インチSiC貼り合わせ基板の共同開発契約を締結した。（2024/9/26）

生産性向上に向け：
レゾナック、Soitecと8インチSiC貼り合わせ基板を共同開発へ
レゾナックは2024年9月24日、半導体基板材料を製造するフランスのSoitecと、パワー半導体に使用される8インチSiC（炭化ケイ素）エピタキシャルウエハーの材料となるSiC貼り合わせ基板に関する共同開発契約を締結したと発表した。（2024/9/26）

組み込み開発ニュース：
普及するSiCパワー半導体固有の劣化検査サービス開始、正しい省エネ性能を確保へ
OKIエンジニアリングは、SiCパワー半導体固有の劣化モードに対する評価サービスを開始する。JEITAやJEDECにおける規格に準拠した「AC-BTI試験サービス」を実施する。（2024/9/24）

組み込み開発ニュース：
Siパワー半導体でSiCと同等レベルの低損失を実現、シャープのFCR回路技術
シャープは、技術展示イベント「SHARP Tech-Day'24」において、Siパワー半導体を用いて次世代に位置付けられるSiCパワー半導体と同等レベルの低損失を実現できるFCR回路技術に関する参考展示を行った。（2024/9/19）

工場建設も続々：
「欧州半導体法」で主導権争いに加わるEU　世界シェア20％を目指す
EUは「欧州半導体法」を制定し、半導体業界における競争力とレジリエンス強化を目指している。同法に基づいて430億ユーロの資金が調達される予定で、既に複数の工場や研究開発施設の建設プロジェクトが進行している。（2024/9/19）

AI／半導体ソリューションの展望語る：
キーサイト新社長は開発部門生え抜きの寺澤氏　「日本の顧客支えたい」
キーサイト・テクノロジーの新社長に開発部門出身の寺澤紳司氏が就任した。開発部門出身者が同社の社長に就くのは初めて。就任記者会見ではAI（人工知能）戦略や半導体向けソリューションの展望を語った。（2024/9/17）

2025年3Qに完成予定：
レゾナック、山形にSiC基板とエピウエハー生産の新拠点設置へ
レゾナックは2024年9月13日、山形県東根市の山形工場にパワー半導体向けSiC（炭化ケイ素）ウエハーの生産建屋を新設すると発表した。2025年第3四半期の完成を予定している。（2024/9/13）