「SiC」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

中国勢も急伸、Yole調べ：
パワー半導体企業ランキング、日本勢は三菱電機ら5社がトップ20入り
フランスの市場調査会社Yole Groupは、2025年のパワー半導体メーカー売上高ランキングトップ20を公表した。日本勢は4位の三菱電機を筆頭に、富士電機、東芝、ローム、ルネサス エレクトロニクスの5社がランクインした。中国メーカーも5社がトップ20入りを果たし、存在感を高めている。（2026/7/10）

「根拠なき訴訟に失望」とNavitas：
WolfspeedがNavitasを特許侵害で提訴、主力のGaN／SiC製品対象に
Wolfspeedは、Navitas Semiconductor（以下、Navitas）が特許を侵害したとして、米国デラウェア地区連邦地方裁判所に提訴した。Wolfspeedが保有する炭化ケイ素（SiC）および窒化ガリウム（GaN）パワー半導体関連の5件の米国特許を、Navitasが侵害していると主張している。（2026/7/9）

「CoolSiC G2」ベース：
EV充電やAI電源向け　750V耐圧のSiC双方向スイッチ
インフィニオン テクノロジーズは、750V耐圧の「CoolSiC G2」技術をベースとした、炭化ケイ素（SiC）双方向スイッチ（BDS）を発表した。2つのパワースイッチを1つのデバイスに統合している。（2026/7/8）

フラックスゲート方式を採用：
SiC／GaNインバーター向け 高周波、大電流対応プローブ
日置電機は、高周波かつ大電流領域の電流波形観測に対応した電流プローブ「CT6704」「CT6705」を発売した。SiC／GaNインバーターやDC-DCコンバーターなどの電流波形観測に使用できる。（2026/7/7）

ライフタイム制御技術を採用：
損失抑制でシステム信頼性を向上　ビシェイの高耐圧ダイオード
ビシェイ・インターテクノロジーは、SMPC HVパッケージを採用した高耐圧ダイオード「eSMP」シリーズ6製品を発表した。逆回復時間は50ナノ秒、逆回復電荷は標準値105nCまで。（2026/7/6）

AI関連技術にも高い関心：
キオクシアやソニーの技術開発に注目　2026年6月の記事ランキング
「EE Times Japan 2026年6月の人気記事ランキング トップ10」をお届けします！（2026/7/2）

40〜650Vの範囲に対応：
オンセミがGaNポートフォリオ発表　磁気部品の小型化に貢献
オンセミは、GaNパワーポートフォリオ「GaNEXUS」を発表した。同社発表によると、AIサーバの低、中電圧システムにおいて約30〜60％、高電圧用途の高周波AC-DCおよび共振ステージで最大約60％、磁気部品を小型化できるという。（2026/7/2）

電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記：
GaNアンプはどんな音がする？ Siアンプと聴き比べたら
DACチップの音の違いを楽しむ世界なので、音で増幅素子を選べるようになったらもっと楽しくなりそうです。（2026/6/29）

環境規制に対応しランニングコストも削減：
水銀ランプ同等の照度をLEDで　ウシオ電機の一括投影露光装置
ウシオ電機は、LED光源を搭載したウエハー向け一括投影露光装置「UX-44101SCB」「UX-45114SCB」を発表した。照度が従来の水銀ランプと同等レベルに達したとする。（2026/6/29）

電子ブックレット（組み込み開発）：
「Matter」によるスマートホームの“理想郷”／Rapidusの顧客獲得が進捗
MONOistやEE Times Japanに掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は2026年1〜3月に公開した組み込み開発関係のニュースをまとめた「組み込み開発ニュースまとめ（2026年1〜3月）」をお送りする。（2026/6/29）

週末の「気になるニュース」一気読み！：
IBMが世界初のサブ1nm半導体チップ技術を発表／LenovoがノートPC向けで世界初となる“1000Wh／L”バッテリーの詳細を明らかに
うっかり見逃していたけれど、ちょっと気になる――そんなニュースを週末に“一気読み”する連載。今回は、6月21日週を中心に公開された主なニュースを一気にチェックしましょう！（2026/6/28）

PCIM Expo & Conference 2026：
ヒートシンクに直接実装、高耐圧SiC新パッケージ　Navitasが初公開
Navitas Semiconductorは、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」（2026年6月9〜11日／ドイツ・ニュルンベルク）において、高耐圧SiC MOSFET用の新パッケージ「UHV-TO-247-4-ISO」を初公開した。絶縁構造を組み込むことで、1200〜3300VクラスのディスクリートSiC MOSFETをヒートシンクに直接リフロー実装可能にした。（2026/6/26）

インフィニオンが解説：
高効率が音にも好影響？ GaN採用オーディオアンプのメリットとは
インフィニオン テクノロジーズ ジャパン（以下、インフィニオン）は2026年6月17日、窒化ガリウム（GaN）や炭化ケイ素（SiC）といった次世代パワー半導体を用いたオーディオ用クラスDアンプのメディア向け説明会を開催した。パワー半導体と同様の理屈でクラスDアンプにも好影響を与えることを紹介。オーディオイベントでは試聴展示も行われた。（2026/6/25）

独自トレンチ構造を採用：
オン抵抗25％低減　三菱電機の第5世代SiC-MOSFET
三菱電機は、xEV向けの第5世代SiC-MOSFETチップ「WF0007Q-1200AA」「WF0005Q-0750AA」のサンプル提供を開始する。同社前世代品と比べてオン抵抗が低減している。（2026/6/25）

6000V超の絶縁性能を実現：
高耐圧SiC MOSFET向けTO-247パッケージ、Navitas
Navitas Semiconductorは、1200V〜3300Vの炭化ケイ素（SiC） MOSFET向けに6000V超の絶縁性能を備えた「UHV-TO-247-4-ISO」を開発した。熱性能やEMI特性を改善し、高電圧用途に対応する。（2026/6/24）

PCIM Expo & Conference 2026：
「まだ革新の余地」プレーナー技術を磨くWolfspeed、第5世代SiC MOSFET投入
Wolfspeedは世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」において、同社の第5世代炭化ケイ素（SiC）MOSFETを紹介した。1200V品で業界最低クラスという特性オン抵抗を実現したほか、高温時の安定したスイッチング特性や逆回復特性を強化している。（2026/6/23）

Yoleの最新予測：
車載は「新たな成長段階に」　SiCパワー半導体市場、5年後110億ドル規模へ
フランスの市場調査会社Yole Group（以下、Yole）の最新予測によると、炭化ケイ素（SiC）パワーデバイス市場は2025〜2031年まで年平均成長率（CAGR）20％で成長し、2031年には110億米ドルに達する見込みだという。800Vアーキテクチャ電気自動車（EV）の普及拡大などが成長をけん引する。（2026/6/23）

モノづくり総合版メルマガ 編集後記：
PCIMで感じたGaNパワー半導体競争の変化
ここ数年GaNは注目されてきましたが、ことしはさらに際立っていました。（2026/6/18）

高出力密度化に対応：
Tg 230℃の高耐熱性　SiC向けエポキシ樹脂封止材
住友ベークライトは、SiCパワーモジュール向け固形エポキシ樹脂封止材料「EME-G785」シリーズの量産を開始した。ガラス転移温度は230℃で、SiCモジュールでの絶縁信頼性向上に寄与する。（2026/6/18）

低損失と高信頼を両立：
東芝が新SiCパワーモジュール技術、インバーター電力損失30％減
東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は、データセンターの電源システムなどに搭載される高周波インバーター向け炭化ケイ素（SiC）パワーモジュール技術を開発した。高周波動作によりインバーターの総電力損失を約30％低減できることを確認した。（2026/6/17）

組み込み開発ニュース：
最大205℃の連続動作に対応した車載向けSiCパワーモジュール
Infineon Technologiesは、最大205℃までの連続動作に対応するEV用インバーター向けの1300V耐電圧SiCパワーモジュールを発売した。既存のプラットフォームへのシームレスな組み込みが可能で、システムの高出力化や低コスト化に貢献する。（2026/6/16）

PCIM Expo & Conference 2026：
SiCパワー素子をPCBに埋め込んだ超薄型モジュール、東芝
東芝の欧州現地法人であるToshiba Electronics Europeは世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」（2026年6月9〜11日／ドイツ・ニュルンベルク）において炭化ケイ素（SiC）MOSFETをプリント基板（PCB）に埋め込んだパワーモジュールの試作品を初公開した。（2026/6/16）

26年中に量産開始：
Infineonがノーマリオフ対応SiC JFET、AIデータセンター向け
インフィニオン テクノロジーズは、AIデータセンターや産業用途に向け、ノーマリオフ対応品やパッケージオプションなど「CoolSiC JFET」の製品群を拡充すると発表した。新製品は2026年中にも量産を始める予定だ。（2026/6/16）

100〜300Aレンジをカバー：
AIデータセンター向け　SST対応3.3kV SiCパワーモジュール
マイクロチップ・テクノロジーは、AIハイパースケールデータセンターや高電圧電源向けに、SST対応の3.3kV SiCパワーモジュール「HV-D3 mSiC」の提供を開始した。100〜300Aレンジをカバーし、EV充電インフラや鉄道および大型輸送機器の補助電源などの用途も想定する。（2026/6/16）

Wolfspeedがサンプル提供開始：
高電圧エネルギーインフラ向けの3.3kV SiCパワーモジュール
Wolfspeedは、高電圧エネルギーインフラ向けに3.3kV SiCパワーモジュール2製品を発表した。2kV以上のDCリンクアーキテクチャに対応し、電力変換段数の削減と2レベルトポロジーの簡素化を可能にする。（2026/6/11）

「望んだ性能が続くか」が重要な競争軸に：
三菱電機、SiC MOSFETのAC特性変動「世界最小」級と実証
SiC MOSFETの採用拡大が本格化する中、実際の使用環境に近いAC動作を繰り返すことでゲートしきい値電圧（Vth）が変動し、設計時に想定した損失や熱特性が変化する課題が注目されている。こうした特性変動を評価するDGS試験において、三菱電機は同社SiC MOSFETの特性変動量が「世界最小クラス」（同社）であることを実証したという。（2026/6/10）

注目しておきたいテーマ：
「TECHNO-FRONTIER 2026」の歩き方
2026年7月15日（水）〜17日（金）にかけて、「TECHNO-FRONTIER（テクノフロンティア） 2026」が東京ビッグサイトで開催される。今回の見どころを編集部の視点で探る。（2026/7/8）

電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記：
半導体市場は踊る、されど続かず？
さすがに、このままのペースで成長するとは考えにくいです。（2026/6/8）

電子ブックレット：
「TECHNO-FRONTIER」2025年プレイバック
「EE Times Japan」に掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、開催を間近に控えた専門技術展「TECHNO-FRONTIER」の、2025年の展示の模様をまとめた。（2026/6/8）

中国大手と提携で開発も製造も加速：
PR：「初めてのGaN」はSTで！　設計しやすさを追求した豊富な製品群
電源システムの小型高密度化や高効率化に向けて期待が高まるGaNパワーデバイス。しかし、「設計が難しい」「製品ラインアップが限られる」といった理由から、導入に踏み切れないケースも少なくない。こうした課題に対し、STマイクロエレクトロニクスは使いやすさを追求した製品群とパートナー戦略で、GaN導入を後押しする。（2026/6/8）

組み込み開発ニュース：
三菱電機が第5世代SiC-MOSFETを開発、オン抵抗を25％削減し業界トップクラスに
三菱電機が第5世代に当たるSiC-MOSFETを開発。新開発の独自トレンチ構造などにより、従来品から25％削減した「業界トップクラス」（同社）の低オン抵抗を実現したという。（2026/6/5）

キオクシアにも注目：
日本企業の競争力を探る　2026年5月の記事ランキング
「EE Times Japan 2026年5月の人気記事ランキング トップ10」をお届けします！（2026/6/4）

日本展開にも意欲：
軍需譲りの高耐久／高信頼が強み　米Knowlesの車載MLCC
米Knowles Electronicsの日本法人であるノウルズ・エレクトロニクス・ジャパンは「人とくるまのテクノロジー展 2026 YOKOHAMA」（2026年5月27〜29日、パシフィコ横浜）に出展し、車載向けMLCC製品を紹介した。軍需産業向けで培った耐久性、信頼性の高さが車載でも活用されているという。（2026/6/3）

材料技術：
業界初！　住友ベークライトが230℃耐熱のSiC向け封止材を量産
住友ベークライトは、SiCパワーモジュール向けに業界最高水準のガラス転移温度230℃を実現したエポキシ樹脂封止材料「EME-G785シリーズ」の量産を開始した。（2026/6/2）

従来に比べオン抵抗を約25％低減：
トレンチゲート型SiC MOSFETで低損失と短絡耐量を両立、東芝D＆S
東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は、トレンチゲート型炭化ケイ素（SiC） MOSFETにおいて、「短絡耐量の向上」と「低損失」を両立する技術を開発した。研究成果の一部を用いて1200V耐圧トレンチゲート型SiC MOSFET「TW007D120E」を開発、サンプル出荷を始めた。（2026/6/1）

1週間を凝縮！ 今週の製造業ニュース：
デンソー新型SiCなど世界初公開23件！　「人テク展」が映す自動車技術の現在地
2026年5月25〜29日に公開された記事の中から、MONOist編集部が厳選した今週の注目ニュースをお届けします。「人とくるまのテクノロジー展2026」が開催されました。（2026/5/30）

モノづくり総合版メルマガ 編集後記：
近くて遠い中国　日本の半導体業界はどう付き合うか
他国との交流は政治、ビジネス、文化などさまざまな形があります。どれかがうまくいかないことがあっても他の形はしっかり続いてほしいなと思います。（2026/5/28）

東芝D＆Sがサンプル出荷開始：
次世代データセンター向け1200V SiC MOSFET、オン抵抗58％削減
東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は2026年5月21日、1200V耐圧トレンチゲート型炭化ケイ素（SiC）MOSFET「TW007D120E」を発表した。独自のトレンチゲート構造の採用によって「単位面積当たりで、業界トップクラスの低オン抵抗」（同社）を実現し、既存製品と比較してオン抵抗を約58％削減している。（2026/5/28）

人とくるまのテクノロジー展2026：
新型「bZ4X」の走行距離が伸びた理由、デンソーの「世界初」と「世界最高」が貢献
デンソーは、「人とくるまのテクノロジー展2026 YOKOHAMA」において、「世界初」となる独自3次元構造のSiCパワー半導体と、「世界最高」の出力密度とするコアモジュールを組み込んだ新型インバーターを披露した。（2026/5/28）

26年度中の適用目指す：
立体配線でSiCの体積／損失を半減　富士電機の新パッケージ技術
富士電機は2026年5月26日、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体の小型化／低損失化を実現する立体配線構造を開発したと発表した。従来比で製品体積を約5割削減できたほか、モジュール内部回路配線のインダクタンスを約7割、スイッチング損失を約5割低減したという。（2026/5/28）

最大400Vのスタンドオフ電圧：
高電圧車載レール用TVSダイオード、GaN／SiCデバイスの保護用途に
Littelfuseは、最大400Vのスタンドオフ電圧に対応するTVSダイオードを発表した。GaN／SiC MOSFETやIGBTを高エネルギー過渡現象から保護する。（2026/5/28）

技術商社が日本企業に提言：
中国SiCの進化「日本は追い付けないレベル」　競わず活用を
技術商社のマルエム商会が炭化ケイ素（SiC）ビジネスに本格参入する。同社が正規代理店を務める国内外メーカーのSiC関連製品や技術を組み合わせ、日本の顧客に提案するという。同社は記者会見を開催し、同社のSiCビジネスについて説明したほか、急速に進展している中国SiC業界の現状についても解説した。（2026/5/27）

東京大学とNTTが開発：
SiCの理論限界に迫る低損失　AlN系SBDの動作実証に成功
東京大学とNTTは、損失が極めて小さい窒化アルミニウム（AlN）系ショットキーバリアダイオード（SBD）を開発し、動作実証に成功した。作製した素子は、AlN系デバイスの中で世界最小となるオン抵抗0.34mΩcm2および、逆方向耐圧400V（最大破壊電界8MV/cm）を達成した。この値はSiCやGaNの理論限界に迫るものだという。（2026/5/27）

組み込み開発ニュース：
2035年のパワー半導体市場は7兆3495億円に倍増、酸化ガリウムが149億円規模に
富士経済は、パワー半導体の世界市場調査結果を発表した。2035年の市場規模は2025年比95.7％増の7兆3495億円に達する予測だ。次世代製品の実用化が市場をけん引する。（2026/5/22）

素材／化学メルマガ 編集後記：
中国式市場経済は「多産多死」と「神の見える手」で成長、どゆこと？
今回は、マルエム商会のSiC製品ビジネスに関連する中国の市場動向について、つらつら語っています。（2026/5/22）

製造マネジメントニュース：
中国製SiCウエハーの安さと驚く生産規模　技術商社が仕掛ける新しい「右から左」
低コストと大規模な生産能力で注目される中国のSiC製品。日本企業に対し、老舗技術商社のマルエム商会が「Best-Fitナビゲーター」として、SiCパワー半導体で必要な中国のSiC製品を提供する。「単なる『右から左へ』の商社ではない」という同社のビジネスモデルとは……。（2026/5/22）

京都大学 工学研究科 准教授 金子光顕氏：
SiC LSIの事業化に挑む　28年以降ADCのサンプル出荷へ
京都大学 工学研究科 准教授の金子光顕氏は、炭化ケイ素（SiC）を用いた高温動作LSIの研究開発と事業化に取り組んでいる。まずは高温環境向けのA-Dコンバーター（ADC）開発を進め、2028〜2029年ごろのサンプル出荷を目指す。SiC LSIの可能性や社会実装に向けた課題、事業化の展望について聞いた。（2026/5/19）

組み込み開発ニュース：
高温時のオン抵抗を3割削減、ロームの「第5世代SiC MOSFET」
ロームは、パワー半導体の新世代品「第5世代SiC MOSFET」を開発した。ジャンクション温度175℃でのオン抵抗を同サイズ同耐圧の第4世代品比で約30％低減しており、車載、産業機器の高効率化、小型化に寄与する。（2026/5/15）

上期業績予想も上方修正：
レゾナック26年1Qは126.4％増益　後工程材料が絶好調
レゾナックは2026年5月13日、2026年12月期第1四半期（2026年1〜3月）の決算を発表した。売上高は3079億円で前年同期比4.1％減、営業利益（国際会計基準［IFRS］ではコア営業利益）は336億円で同126.4％増、純利益は153億円で同74.6％増だった。減収も半導体・電子材料の好調やケミカルの赤字縮小などで増益した。（2026/5/14）

26年度は増収増益、黒字転換へ：
「膿み出し切った」SiC関連減損で過去最大1584億円赤字　ローム
ロームの2025年度通期業績は、純損益1584億円と過去最大の赤字となった。赤字は前期から2年連続。SiCパワー半導体の生産設備を中心に1936億円の減損損失を計上した結果で、同社社長の東克己氏は「（これまでの『膿み』は）今回の減損で出し切れたとみている。これからは上げていく方向だけに注力できる」と述べた。（2026/5/13）