「SiC」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

中心部でしきい値電圧のばらつき0.07V以下：
SiC IC実用化へ前進！ 6インチ全面でJFET作製、京大
京都大学とフェニテックセミコンダクターらは、6インチ炭化ケイ素（SiC）ウエハー全面にn型／p型の接合型電界効果トランジスタ（JFET）を一括作製し、正常動作を確認した。ウエハー中心部では、しきい値電圧のばらつきを標準偏差0.07V以下に抑えた。高温環境向けSiC集積回路（IC）の実用化に向けた成果だという。（2026/9/30）

米国での製造プロセス確立目指す：
Navitasが1万V級SiC IGBT開発へ　米陸軍が選定
Navitas Semiconductorが、10kV（1万V）級の次世代炭化ケイ素（SiC）IGBTを開発する米陸軍の「ALATTIS」プログラムに選定された。同社は独自の「Trench-Assisted Planar（TAP）」構造を活用し、SiC MOSFETから超高耐圧のSiC IGBTへと技術領域を広げる。（2026/9/29）

最大2MHzで試験、時間を75％短縮：
SiC特有の「データシートに載らない劣化」を測定、OKI
OKIエンジニアリングは、SiC MOSFET特有の劣化モード「AC-BTI」を評価する試験サービスを強化する。カスタムメイドの新たな試験装置を導入し、評価可能なデバイスや試験条件を拡大したほか、試験時間を従来比最大75％短縮。欧州の車載向け信頼性試験規格「AQG 324」2025年版にも対応する。（2026/9/29）

電動化：
ロームのSiCパワーデバイスがBMWの次世代EV向け電動パワートレインに採用
ロームのSiCパワーデバイスがBMWの次世代EV向け電動パワートレインに採用された。高効率化や高性能化に貢献する。（2026/9/29）

FAニュース：
SiCウエハーを水のみで加工、ノリタケがスラリー要らずの研磨パッド開発
ノリタケは、SiCウエハーなどの研磨工程で使用するダイヤモンド砥粒内包型研磨パッド「LumiDia」を開発した。独自構造で効率よく作用し、水のみで高い研磨性能を発揮する。（2026/9/29）

第3世代SiC MOSFET搭載：
高サージ電流耐量の3300V SiC MOSFETモジュール
東芝デバイス＆ストレージは、同社の第3世代炭化ケイ素（SiC）MOSFETチップを搭載した3300V／800AのデュアルSiC MOSFETモジュール「IX800FXF2YMS4」を発表した。SiCチップ設計の最適化により、I2t特性として300kA2sを実現している。（2026/9/29）

金属溶湯脱成分法を用い：
ナノポーラスβ-SiCを低い温度で作製、東北大
東北大学金属材料研究所の研究グループは、金属溶湯脱成分法（LMD）を用い、800℃（1073K）という比較的低い温度で、「ナノポーラスβ-炭化ケイ素（SiC）」の作製に成功した。（2026/9/29）

MONOist新着記事PickUp：
世界から見た日本製造業の人件費／ファナックがAI溶接エージェントのデモを披露
2026年9月28日に公開されたMONOistの新着記事をピックアップしてお届けします。（2026/9/28）

モノづくり総合版メルマガ 編集後記：
日本は「課題先進国」だけど「導入後進国」なのか
（2026/9/25）

サンプル出荷を開始：
住友金属鉱山、「世界初」300mm貼り合わせSiC基板開発
住友金属鉱山が、300mmの貼り合わせ炭化ケイ素（SiC）基板の開発に成功し、半導体メーカーへのサンプル出荷を行った。同社によれば、貼り合わせSiC基板として300mmを実現したのは世界初という。（2026/9/25）

名大の山本教授が主導：
日本の技術力を結集！ Teslaより70％軽いインバーター
2026年9月9〜11日にかけて開催された「第5回 ネプコンジャパン 秋」（幕張メッセ）で、名古屋大学の山本真義教授が主導する産学連携プロジェクト「フェザーインバーター」の実機が世界初公開された。日本企業の技術力を結集し、Tesla「Cybertruck」用インバーターと同等の性能を有しつつ、70％の小型軽量化を実現している。（2026/9/25）

材料技術：
住友金属鉱山が12インチSiC基板を開発、サンプル出荷へ
住友金属鉱山は、12インチ（300mm）の貼り合わせSiC基板「SiCkrest」の開発に成功し、サンプル出荷を開始した。（2026/9/28）

5分で分かる！ 今週のエレクトロニクス業界：
SiCの開発と実装が進む 300mm化から次世代EV採用まで
2026年9月14〜18日のエレクトロニクス業界の主な動きを、EE Times Japanの記事とともに振り返ります。（2026/9/19）

第6世代「Neue Klasse」に：
ロームのSiCパワー半導体、BMWがEVに採用
ロームは2026年9月17日、BMWの次世代電気自動車（EV）コンセプト「Neue Klasse（ノイエ・クラッセ）」の電動パワートレインにおいて、ロームの炭化ケイ素（SiC）パワー半導体が採用されたと発表した。ロームは、車載インバーター向けを中心に、SiCパワー半導体の展開を強化している。（2026/9/17）

競争活発化、中国勢ら存在感：
レゾナックが300mm SiC単結晶基板を開発
レゾナックは2026年9月15日、直径300mmの炭化ケイ素（SiC）単結晶の成長と基板加工に成功したと発表した。SiC基板では6インチから8インチへの移行が本格化する中、既に中国や米国のメーカーらがその先の300mm品について、相次いで開発成果を示していた。（2026/9/16）

いまさら聞けない 半導体後工程（2）：
「ダイシング」を知らずに後工程は語れない〜ウエハーがチップへ変わる出発点〜
本連載では、半導体の高性能化において重要性が増す後工程を中心に解説する。前回は、半導体製造工程全体のイメージをつかむため、「前工程」を紹介した。今回は、後工程の入り口となる「ダイシング」について紹介する。（2026/9/16）

材料技術：
パワー半導体の熱問題に解、高熱伝導と低熱膨張を両立させた複合放熱素材
アドバンスコンポジットは、熱伝導率580W/m・Kという高い放熱性能と、低い熱膨張率を両立したグラファイトアルミ複合素材「ACM-H6」を開発した。（2026/9/15）

工作機械：
中村留が「半導体・光学事業部」発足、ウエハーのエッジ加工装置など展開
中村留精密工業は、新事業部「半導体・光学事業部」を発足した。半導体材料加工技術と光学分野の精密加工技術を融合させることで、次世代半導体産業の発展に貢献する。（2026/9/14）

ソーラーエッジと協業拡大：
インフィニオン、800VDC AIデータセンター用SSCB開発強化
インフィニオン テクノロジーズは、SolarEdge Technologies（以下、ソーラーエッジ）との協業を拡大する。AIデータセンターやハイパースケールデータセンターに向けた高電圧DC配電用ソリッドステートサーキットブレーカー（SSCB）の技術開発を加速させる。（2026/9/14）

低リーク電流と高速スイッチング実現：
3300V対応SiC MOSFETリレー、Aratas America
Aratas Americaの「G3VH」は、1800Vまたは3300Vの高電圧スイッチングに対応する炭化ケイ素（SiC）MOSFETリレーだ。低リーク電流と高速スイッチングを実現し、半導体テスト装置などに適する。（2026/9/10）

PiNダイオードの通電特性を再現：
SiC-IGBT向け高精度シミュレーション技術を開発
電力中央研究所は、炭化ケイ素（SiC）パワーデバイスの特性を予測できるシミュレーション技術を開発した。この技術を活用すれば、耐電圧10kV超級SiC-IGBTの特性予測精度を向上でき、開発期間短縮にもつながる。（2026/9/9）

電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記：
GaN市場でInfineonが5位から2位に急浮上　AIが変える勢力図
5位から2位へ――。GaNパワーデバイス市場でInfineon Technologiesが急速にシェアを伸ばしています。（2026/9/7）

極限環境向け集積回路の実現へ：
600℃で動作する新構造のSiC素子、京都大
京都大学は、炭化ケイ素（SiC）を用いて新構造のトランジスタ素子を開発し、600℃という高温環境での動作を実証した。ジェットエンジン内部や地熱井の底など、極限の高温環境でも動作するセンサーや制御回路に適応できるとみている。（2026/9/3）

電動化：
新型「レクサスNX」がハイブリッドシステムを刷新、PHEVのEV走行距離は140kmに
トヨタ自動車がレクサスブランドの小型SUV「NX」の新モデルを公開。ハイブリッドシステムの刷新やボディー剛性の大幅な向上、シャシーと車両制御のチューニングなど大幅な改良を施したビッグマイナーチェンジの位置付けとなる。（2026/9/2）

組み込み開発ニュース：
データ転送速度20Mbpsに対応するCAN XLトランシーバーを発売
Texas Instruments（TI）は、データ転送速度最大20Mbpsおよびフレーム当たり最大2048バイトのペイロードに対応するCAN XLトランシーバー「TCAN6062」の販売を開始した。（2026/8/31）

1週間を凝縮！ 今週の製造業ニュース：
キオクシア5兆円投資、日米中韓の半導体投資競争はどこへゆく
2026年8月24日〜28日に公開された記事の中から、MONOist編集部が厳選した今週のニュースをお届けします。（2026/8/29）

インド拠点の強化も狙う：
Infineon、AI向け電源IC企業C2iを買収　垂直給電を強化
Infineon Technologiesは、AIデータセンター向けのデジタル電力管理技術を手掛けるインドC2i Semiconductorsを買収する。C2iが持つマルチフェーズコントローラーやスマートパワーステージ、垂直給電に関する技術を取り込み、AIサーバ向けの電力供給ソリューションを強化する。（2026/8/28）

10kVや20kV SiC IGBTも計画：
6.5kV SiC MOSFETを開発、NoMIS Power
NoMIS Powerは、8kV超のブロック電圧と90mΩのオン抵抗、55Aのドレイン電流を実現した6.5kV 炭化ケイ素（SiC）MOSFETを開発した。（2026/8/31）

組み込み開発ニュース：
中国パワー半導体市場規模は2035年に3兆2742億円へ、SiCとGaNは5倍増に
富士経済は、中国のパワー半導体市場に関する調査結果を発表した。2035年の同市場規模について、自動車や民生機器、エネルギー分野での需要拡大が成長をけん引し、2025年比1.9倍の3兆2742億円に拡大すると予測する。（2026/8/25）

CAN FD／CAN SICと下位互換：
「業界初」商用CAN XLトランシーバー　ヒューマノイドなど想定
Texas Instruments（TI）は、CAN XL（Controller Area Network extended data-field length）対応トランシーバー「TCAN6062」を発売した。データレートは最大20Mビット/秒で、1フレーム当たり最大2048バイトのペイロードに対応する。商用CAN XLトランシーバーは「業界で初めて」（TI）だという。（2026/8/25）

ニューフレアテクノロジー 代表取締役社長 齊藤匡人氏／常務取締役 大歳研司氏：
PR：「真のニーズ」を捉えて次世代品の開発加速――顧客価値を磨くニューフレアテクノロジー
フォトマスクに回路パターンを生成するマスク描画装置などを手掛けるニューフレアテクノロジー。2026年4月1日には、新社長に齊藤匡人氏が就任した。先端プロセス向けのマスク描画装置ではAI需要の追い風を生かしてシェア維持／拡大を目指す一方、マスク検査装置やエピタキシャル成長装置では新たな市場開拓を強化する。齊藤氏と常務取締役 大歳研司氏に、事業戦略の詳細を聞いた。（2026/8/24）

自作治具や評価用基板の課題を解消：
PR：パワーデバイス開発に「専用テストソケット」という選択肢！　過酷な条件でも安定した評価を実現
パワーデバイスの開発現場における特性評価では、評価用基板への実装や自作治具が多く用いられていて、コストや手間、測定の安定性、安全性などが課題となっている。SDKは、AC 4kV／DC 5.5kV、−20〜＋200℃に対応する開発現場専用のテストソケット「パワーデバイス用高電圧ソケット」を開発した。過酷な条件下でも安定した評価を可能にし、デバイス本来の性能を正確に把握するための新たな選択肢を提案する。（2026/9/1）

反りを抑え、低温かつ無加圧で接合：
小型で高出力密度、3D SiCパワーモジュール
住友ベークライトは、東北大学との共同研究により小型で高出力密度を実現した「3D SiC-MOSFETパワーモジュール」を開発した。樹脂絶縁2層構造にしたことで、パワーモジュールのサイズを従来品の約半分に抑えた。しかも、300kVA/Lというインバーター出力密度に対応する。（2026/8/21）

アナログ半導体も重要に：
ロームが見る「1ラック1MW時代」のAIサーバ　Si／SiC／GaNは共存へ
AIサーバの高性能化に伴い、消費電力が急増している。ロームは、次世代AIサーバでは電源の高電圧化が進み、シリコン（Si）／炭化ケイ素（SiC）、窒化ガリウム（GaN）など異なるパワーデバイスが1つのシステム内で使われる「共存」の時代になるとみる。（2026/8/20）

材料技術：
EV向けパワーユニットの体積を半減、住友ベークライトが次世代モジュール開発
住友ベークライトは東北大学と共同で、EV向けパワーユニットの体積を約半分にする「3D SiC-MOSFETパワーモジュール」を開発した。この強みは、パワーエレクトロニクス分野における競争優位性を高める重要な要素であり、将来的な成長と収益性の向上に寄与すると確信しているという。（2026/8/20）

生成AI利用を支えるベンダー：
GPUから光接続まで、AI基盤の「本命5社」　Gartnerが選んだ理由
生成AIの本番利用が広がる中、その処理を支えるAIインフラ分野の競争も激しさを増している。Gartnerは、AI半導体ベンダーの現在の競争における「Companies to Beat」（分野をリードする本命企業）を特定した。（2026/8/18）

クランプ回路を内蔵：
1200V／3A駆動のガルバニック絶縁ゲートドライバー
STマイクロエレクトロニクスは、ガルバニック絶縁ゲートドライバー「STGAP3S」ファミリーに、最大駆動電流3Aの「STGAP3S3」シリーズを追加した。すでに量産を開始している。（2026/8/18）

マルツエレック 代表取締役社長　土谷耕作氏：
PR：「SPICEモデルのサブスク」で試作を高速化　部品調達だけではないマルツエレックの強み
マルツエレックは、半導体／電子部品のECサイト「マルツオンライン」や実店舗を通じて、販売・調達サービスと設計開発・試作・少量量産を一気通貫で支援するサービスを提供している。2026年8月には、パワーデバイスやバッテリーのSPICEモデルをサブスクリプションで提供するサービスを開始した。顧客の回路設計、さらには試作の高速化に貢献する。（2026/8/18）

CEOはルネサス元幹部：
Navitasがルネサスを提訴　GaN特許侵害で
GaN／SiCパワー半導体を手掛けるNavitas Semiconductorが、ルネサス エレクトロニクスを特許侵害で提訴した。「SuperGaN」を含む主要GaN製品群が、Navitasの米国特許4件を侵害していると主張している。Navitasの現CEOはルネサスのパワー事業を統括した経歴を持つ。ルネサスは「現時点で当社からのコメントはない」としている。（2026/8/12）

通期業績も増益修正：
レゾナック26年度上期は156.5％増益　後工程材料が大幅成長
レゾナックは、2026年12月期中間期（2026年1〜6月）の決算を発表した。売上高は6768億5200万円で前年同期比5.4％増、営業利益（国際会計基準［IFRS］ではコア営業利益）は887億5300万円で同156.5％増、純利益は484億5100万円で同146.5％増だった。けん引するのが半導体・電子材料で、特に後工程材料はAI需要などで前年同期比46％増収を果たした。（2026/8/12）

電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記：
ドイツ人がエアコンを買い始めた 猛暑で膨らむ市場と中国勢の攻勢
熱波に襲われた欧州。エアコン需要が急速に高まる中、存在感を示しているのが中国メーカーです。（2026/8/10）

SiCは9702億円規模に：
中国パワー半導体市場、35年に3兆2742億円規模に　価格競争さらに激化
富士経済によれば、中国のパワー半導体市場規模は2035年に3兆2742億円となる見通し。このうち、SiC（炭化ケイ素）パワー半導体市場は9702億円になると予測した。（2026/8/6）

26年度1Qは増収増益：
AIサーバ向け「生産キャパシティー超える受注」ローム
ロームの2026年度第1四半期業績は、売上高が前年同期比16.8％増の1357億円、営業利益は同4825.6％増の96億円、純利益は203.6％増の90億円で増収増益となった。インバーター向け炭化ケイ素（SiC）デバイスも欧州向け中心に売り上げが伸長するなど自動車向けが好調だったほか、パワーデバイスやLSIを中心にAIサーバ向け事業も拡大した。（2026/8/5）

身近な製品でどう使われる？：
パワー半導体とは？ 基礎知識や将来性を分かりやすく解説
今回はパワー半導体の役割や使われ方、種類、将来性などを解説します。（2026/8/4）

工場ニュース：
ルネサスが高崎工場を閉鎖へ、かつてはSiCデバイス生産の計画も
ルネサス エレクトロニクスは、半導体製造子会社であるルネサス セミコンダクタマニュファクチュアリングの高崎工場について、段階的に生産終了した上で閉鎖する方針を決定したと発表した。（2026/8/3）

貴金属フリーで高品質、低コスト：
高価なるつぼ不要、3.5インチ酸化ガリウム単結晶の新手法
東北大学発ベンチャーのFOXやC＆A、東北大学および、三重大学の研究グループは、OCCC法と呼ぶ新たな結晶育成手法により、直径3.5インチの「酸化ガリウム単結晶」を作製することに成功した。開発した育成手法は、高価なイリジウムるつぼなどを使わなくて済むという。（2026/7/30）

PCIM Expo & Conference 2026：
三菱電機、第5世代SiC MOSFETの核　オン抵抗25％減の独自構造
三菱電機は、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」で、最新の第5世代炭化ケイ素（SiC）MOSFETを公開した。従来の第4世代品からオン抵抗を約25％低減したもので、PCIMでは同社パワーデバイス製作所Chief Expertの多留谷政良氏がその概要を語った。（2026/7/29）

PCIM Expo & Conference 2026：
三菱電機、OBC用SiCモジュール初公開　ディスクリート4個を置き換え
三菱電機は世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」において、開発中の車載オンボードチャージャー（OBC）向け炭化ケイ素（SiC）MOSFETモジュールを初公開した。絶縁型2-in-1 SiC MOSFETモジュールで、従来4個のディスクリートデバイスで構成していた回路を1パッケージで置き換えられ、設計の簡素化や実装面積の削減が実現する。（2026/7/28）

組み込み開発ニュース：
上面放熱構造により高放熱と高耐圧を両立したSiC-MOSFETの新パッケージ
ロームは、放熱面を上面に配置したSiC-MOSFET向けの新パッケージ「TSC3PAK」を開発した。自動実装が可能な面実装品でありながら、従来の挿入型と同等の高い放熱性能を提供する。（2026/7/24）

PCIM Expo & Conference 2026でデモ：
SiC MOSFET×ゲートドライバーの最適解を数秒で、onsemiが新ツール
onsemiは炭化ケイ素（SiC） MOSFETとゲートドライバーの最適な組み合わせを自動で提案する新ツール「Elite Pairing Studio」を発表した。データシートの比較やシミュレーションを繰り返していた従来のデバイス選定を自動化。設計初期段階で最適な組み合わせを導き出すことで、設計期間の短縮につながるという。（2026/7/17）