「SiC」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

反りを抑え、低温かつ無加圧で接合：
小型で高出力密度、3D SiCパワーモジュール
住友ベークライトは、東北大学との共同研究により小型で高出力密度を実現した「3D SiC-MOSFETパワーモジュール」を開発した。樹脂絶縁2層構造にしたことで、パワーモジュールのサイズを従来品の約半分に抑えた。しかも、300kVA/Lというインバーター出力密度に対応する。（2026/8/21）

アナログ半導体も重要に：
ロームが見る「1ラック1MW時代」のAIサーバ　Si／SiC／GaNは共存へ
AIサーバの高性能化に伴い、消費電力が急増している。ロームは、次世代AIサーバでは電源の高電圧化が進み、シリコン（Si）／炭化ケイ素（SiC）、窒化ガリウム（GaN）など異なるパワーデバイスが1つのシステム内で使われる「共存」の時代になるとみる。（2026/8/20）

材料技術：
EV向けパワーユニットの体積を半減、住友ベークライトが次世代モジュール開発
住友ベークライトは東北大学と共同で、EV向けパワーユニットの体積を約半分にする「3D SiC-MOSFETパワーモジュール」を開発した。この強みは、パワーエレクトロニクス分野における競争優位性を高める重要な要素であり、将来的な成長と収益性の向上に寄与すると確信しているという。（2026/8/20）

生成AI利用を支えるベンダー：
GPUから光接続まで、AI基盤の「本命5社」　Gartnerが選んだ理由
生成AIの本番利用が広がる中、その処理を支えるAIインフラ分野の競争も激しさを増している。Gartnerは、AI半導体ベンダーの現在の競争における「Companies to Beat」（分野をリードする本命企業）を特定した。（2026/8/18）

クランプ回路を内蔵：
1200V／3A駆動のガルバニック絶縁ゲートドライバー
STマイクロエレクトロニクスは、ガルバニック絶縁ゲートドライバー「STGAP3S」ファミリーに、最大駆動電流3Aの「STGAP3S3」シリーズを追加した。すでに量産を開始している。（2026/8/18）

マルツエレック 代表取締役社長　土谷耕作氏：
PR：「SPICEモデルのサブスク」で試作を高速化　部品調達だけではないマルツエレックの強み
マルツエレックは、半導体／電子部品のECサイト「マルツオンライン」や実店舗を通じて、販売・調達サービスと設計開発・試作・少量量産を一気通貫で支援するサービスを提供している。2026年8月には、パワーデバイスやバッテリーのSPICEモデルをサブスクリプションで提供するサービスを開始した。顧客の回路設計、さらには試作の高速化に貢献する。（2026/8/18）

CEOはルネサス元幹部：
Navitasがルネサスを提訴　GaN特許侵害で
GaN／SiCパワー半導体を手掛けるNavitas Semiconductorが、ルネサス エレクトロニクスを特許侵害で提訴した。「SuperGaN」を含む主要GaN製品群が、Navitasの米国特許4件を侵害していると主張している。Navitasの現CEOはルネサスのパワー事業を統括した経歴を持つ。ルネサスは「現時点で当社からのコメントはない」としている。（2026/8/12）

通期業績も増益修正：
レゾナック26年度上期は156.5％増益　後工程材料が大幅成長
レゾナックは、2026年12月期中間期（2026年1〜6月）の決算を発表した。売上高は6768億5200万円で前年同期比5.4％増、営業利益（国際会計基準［IFRS］ではコア営業利益）は887億5300万円で同156.5％増、純利益は484億5100万円で同146.5％増だった。けん引するのが半導体・電子材料で、特に後工程材料はAI需要などで前年同期比46％増収を果たした。（2026/8/12）

電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記：
ドイツ人がエアコンを買い始めた 猛暑で膨らむ市場と中国勢の攻勢
熱波に襲われた欧州。エアコン需要が急速に高まる中、存在感を示しているのが中国メーカーです。（2026/8/10）

SiCは9702億円規模に：
中国パワー半導体市場、35年に3兆2742億円規模に　価格競争さらに激化
富士経済によれば、中国のパワー半導体市場規模は2035年に3兆2742億円となる見通し。このうち、SiC（炭化ケイ素）パワー半導体市場は9702億円になると予測した。（2026/8/6）

26年度1Qは増収増益：
AIサーバ向け「生産キャパシティー超える受注」ローム
ロームの2026年度第1四半期業績は、売上高が前年同期比16.8％増の1357億円、営業利益は同4825.6％増の96億円、純利益は203.6％増の90億円で増収増益となった。インバーター向け炭化ケイ素（SiC）デバイスも欧州向け中心に売り上げが伸長するなど自動車向けが好調だったほか、パワーデバイスやLSIを中心にAIサーバ向け事業も拡大した。（2026/8/5）

身近な製品でどう使われる？：
パワー半導体とは？ 基礎知識や将来性を分かりやすく解説
今回はパワー半導体の役割や使われ方、種類、将来性などを解説します。（2026/8/4）

工場ニュース：
ルネサスが高崎工場を閉鎖へ、かつてはSiCデバイス生産の計画も
ルネサス エレクトロニクスは、半導体製造子会社であるルネサス セミコンダクタマニュファクチュアリングの高崎工場について、段階的に生産終了した上で閉鎖する方針を決定したと発表した。（2026/8/3）

貴金属フリーで高品質、低コスト：
高価なるつぼ不要、3.5インチ酸化ガリウム単結晶の新手法
東北大学発ベンチャーのFOXやC＆A、東北大学および、三重大学の研究グループは、OCCC法と呼ぶ新たな結晶育成手法により、直径3.5インチの「酸化ガリウム単結晶」を作製することに成功した。開発した育成手法は、高価なイリジウムるつぼなどを使わなくて済むという。（2026/7/30）

PCIM Expo & Conference 2026：
三菱電機、第5世代SiC MOSFETの核　オン抵抗25％減の独自構造
三菱電機は、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」で、最新の第5世代炭化ケイ素（SiC）MOSFETを公開した。従来の第4世代品からオン抵抗を約25％低減したもので、PCIMでは同社パワーデバイス製作所Chief Expertの多留谷政良氏がその概要を語った。（2026/7/29）

PCIM Expo & Conference 2026：
三菱電機、OBC用SiCモジュール初公開　ディスクリート4個を置き換え
三菱電機は世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」において、開発中の車載オンボードチャージャー（OBC）向け炭化ケイ素（SiC）MOSFETモジュールを初公開した。絶縁型2-in-1 SiC MOSFETモジュールで、従来4個のディスクリートデバイスで構成していた回路を1パッケージで置き換えられ、設計の簡素化や実装面積の削減が実現する。（2026/7/28）

組み込み開発ニュース：
上面放熱構造により高放熱と高耐圧を両立したSiC-MOSFETの新パッケージ
ロームは、放熱面を上面に配置したSiC-MOSFET向けの新パッケージ「TSC3PAK」を開発した。自動実装が可能な面実装品でありながら、従来の挿入型と同等の高い放熱性能を提供する。（2026/7/24）

PCIM Expo & Conference 2026でデモ：
SiC MOSFET×ゲートドライバーの最適解を数秒で、onsemiが新ツール
onsemiは炭化ケイ素（SiC） MOSFETとゲートドライバーの最適な組み合わせを自動で提案する新ツール「Elite Pairing Studio」を発表した。データシートの比較やシミュレーションを繰り返していた従来のデバイス選定を自動化。設計初期段階で最適な組み合わせを導き出すことで、設計期間の短縮につながるという。（2026/7/17）

挿入型と同等レベルの放熱性能：
ローム、新型の上面放熱パッケージ採用SiC MOSFET
ロームは、放熱面をパッケージ上面に配置した新型パッケージを採用することで、高い放熱性と耐圧を両立させた炭化ケイ素（SiC）MOSFETを開発し、量産を始めた。（2026/7/15）

米国に5年で最大75億ドル投資へ：
Bosch、米国8インチSiC工場でサンプル生産開始　26年中に量産へ
Boschが、米国カリフォルニア州ローズビルの8インチ炭化ケイ素（SiC）ウエハー工場において、サンプル生産を開始したと発表した。（2026/7/14）

中国勢も急伸、Yole調べ：
パワー半導体企業ランキング、日本勢は三菱電機ら5社がトップ20入り
フランスの市場調査会社Yole Groupは、2025年のパワー半導体メーカー売上高ランキングトップ20を公表した。日本勢は4位の三菱電機を筆頭に、富士電機、東芝、ローム、ルネサス エレクトロニクスの5社がランクインした。中国メーカーも5社がトップ20入りを果たし、存在感を高めている。（2026/7/10）

「根拠なき訴訟に失望」とNavitas：
WolfspeedがNavitasを特許侵害で提訴、主力のGaN／SiC製品対象に
Wolfspeedは、Navitas Semiconductor（以下、Navitas）が特許を侵害したとして、米国デラウェア地区連邦地方裁判所に提訴した。Wolfspeedが保有する炭化ケイ素（SiC）および窒化ガリウム（GaN）パワー半導体関連の5件の米国特許を、Navitasが侵害していると主張している。（2026/7/9）

「CoolSiC G2」ベース：
EV充電やAI電源向け　750V耐圧のSiC双方向スイッチ
インフィニオン テクノロジーズは、750V耐圧の「CoolSiC G2」技術をベースとした、炭化ケイ素（SiC）双方向スイッチ（BDS）を発表した。2つのパワースイッチを1つのデバイスに統合している。（2026/7/8）

フラックスゲート方式を採用：
SiC／GaNインバーター向け 高周波、大電流対応プローブ
日置電機は、高周波かつ大電流領域の電流波形観測に対応した電流プローブ「CT6704」「CT6705」を発売した。SiC／GaNインバーターやDC-DCコンバーターなどの電流波形観測に使用できる。（2026/7/7）

ライフタイム制御技術を採用：
損失抑制でシステム信頼性を向上　ビシェイの高耐圧ダイオード
ビシェイ・インターテクノロジーは、SMPC HVパッケージを採用した高耐圧ダイオード「eSMP」シリーズ6製品を発表した。逆回復時間は50ナノ秒、逆回復電荷は標準値105nCまで。（2026/7/6）

AI関連技術にも高い関心：
キオクシアやソニーの技術開発に注目　2026年6月の記事ランキング
「EE Times Japan 2026年6月の人気記事ランキング トップ10」をお届けします！（2026/7/2）

40〜650Vの範囲に対応：
オンセミがGaNポートフォリオ発表　磁気部品の小型化に貢献
オンセミは、GaNパワーポートフォリオ「GaNEXUS」を発表した。同社発表によると、AIサーバの低、中電圧システムにおいて約30〜60％、高電圧用途の高周波AC-DCおよび共振ステージで最大約60％、磁気部品を小型化できるという。（2026/7/2）

電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記：
GaNアンプはどんな音がする？ Siアンプと聴き比べたら
DACチップの音の違いを楽しむ世界なので、音で増幅素子を選べるようになったらもっと楽しくなりそうです。（2026/6/29）

環境規制に対応しランニングコストも削減：
水銀ランプ同等の照度をLEDで　ウシオ電機の一括投影露光装置
ウシオ電機は、LED光源を搭載したウエハー向け一括投影露光装置「UX-44101SCB」「UX-45114SCB」を発表した。照度が従来の水銀ランプと同等レベルに達したとする。（2026/6/29）

電子ブックレット（組み込み開発）：
「Matter」によるスマートホームの“理想郷”／Rapidusの顧客獲得が進捗
MONOistやEE Times Japanに掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は2026年1〜3月に公開した組み込み開発関係のニュースをまとめた「組み込み開発ニュースまとめ（2026年1〜3月）」をお送りする。（2026/6/29）

週末の「気になるニュース」一気読み！：
IBMが世界初のサブ1nm半導体チップ技術を発表／LenovoがノートPC向けで世界初となる“1000Wh／L”バッテリーの詳細を明らかに
うっかり見逃していたけれど、ちょっと気になる――そんなニュースを週末に“一気読み”する連載。今回は、6月21日週を中心に公開された主なニュースを一気にチェックしましょう！（2026/6/28）

PCIM Expo & Conference 2026：
ヒートシンクに直接実装、高耐圧SiC新パッケージ　Navitasが初公開
Navitas Semiconductorは、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」（2026年6月9〜11日／ドイツ・ニュルンベルク）において、高耐圧SiC MOSFET用の新パッケージ「UHV-TO-247-4-ISO」を初公開した。絶縁構造を組み込むことで、1200〜3300VクラスのディスクリートSiC MOSFETをヒートシンクに直接リフロー実装可能にした。（2026/6/26）

インフィニオンが解説：
高効率が音にも好影響？ GaN採用オーディオアンプのメリットとは
インフィニオン テクノロジーズ ジャパン（以下、インフィニオン）は2026年6月17日、窒化ガリウム（GaN）や炭化ケイ素（SiC）といった次世代パワー半導体を用いたオーディオ用クラスDアンプのメディア向け説明会を開催した。パワー半導体と同様の理屈でクラスDアンプにも好影響を与えることを紹介。オーディオイベントでは試聴展示も行われた。（2026/6/25）

独自トレンチ構造を採用：
オン抵抗25％低減　三菱電機の第5世代SiC-MOSFET
三菱電機は、xEV向けの第5世代SiC-MOSFETチップ「WF0007Q-1200AA」「WF0005Q-0750AA」のサンプル提供を開始する。同社前世代品と比べてオン抵抗が低減している。（2026/6/25）

6000V超の絶縁性能を実現：
高耐圧SiC MOSFET向けTO-247パッケージ、Navitas
Navitas Semiconductorは、1200V〜3300Vの炭化ケイ素（SiC） MOSFET向けに6000V超の絶縁性能を備えた「UHV-TO-247-4-ISO」を開発した。熱性能やEMI特性を改善し、高電圧用途に対応する。（2026/6/24）

PCIM Expo & Conference 2026：
「まだ革新の余地」プレーナー技術を磨くWolfspeed、第5世代SiC MOSFET投入
Wolfspeedは世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」において、同社の第5世代炭化ケイ素（SiC）MOSFETを紹介した。1200V品で業界最低クラスという特性オン抵抗を実現したほか、高温時の安定したスイッチング特性や逆回復特性を強化している。（2026/6/23）

Yoleの最新予測：
車載は「新たな成長段階に」　SiCパワー半導体市場、5年後110億ドル規模へ
フランスの市場調査会社Yole Group（以下、Yole）の最新予測によると、炭化ケイ素（SiC）パワーデバイス市場は2025〜2031年まで年平均成長率（CAGR）20％で成長し、2031年には110億米ドルに達する見込みだという。800Vアーキテクチャ電気自動車（EV）の普及拡大などが成長をけん引する。（2026/6/23）

モノづくり総合版メルマガ 編集後記：
PCIMで感じたGaNパワー半導体競争の変化
ここ数年GaNは注目されてきましたが、ことしはさらに際立っていました。（2026/6/18）

高出力密度化に対応：
Tg 230℃の高耐熱性　SiC向けエポキシ樹脂封止材
住友ベークライトは、SiCパワーモジュール向け固形エポキシ樹脂封止材料「EME-G785」シリーズの量産を開始した。ガラス転移温度は230℃で、SiCモジュールでの絶縁信頼性向上に寄与する。（2026/6/18）

低損失と高信頼を両立：
東芝が新SiCパワーモジュール技術、インバーター電力損失30％減
東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は、データセンターの電源システムなどに搭載される高周波インバーター向け炭化ケイ素（SiC）パワーモジュール技術を開発した。高周波動作によりインバーターの総電力損失を約30％低減できることを確認した。（2026/6/17）

組み込み開発ニュース：
最大205℃の連続動作に対応した車載向けSiCパワーモジュール
Infineon Technologiesは、最大205℃までの連続動作に対応するEV用インバーター向けの1300V耐電圧SiCパワーモジュールを発売した。既存のプラットフォームへのシームレスな組み込みが可能で、システムの高出力化や低コスト化に貢献する。（2026/6/16）

PCIM Expo & Conference 2026：
SiCパワー素子をPCBに埋め込んだ超薄型モジュール、東芝
東芝の欧州現地法人であるToshiba Electronics Europeは世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo & Conference 2026」（2026年6月9〜11日／ドイツ・ニュルンベルク）において炭化ケイ素（SiC）MOSFETをプリント基板（PCB）に埋め込んだパワーモジュールの試作品を初公開した。（2026/6/16）

26年中に量産開始：
Infineonがノーマリオフ対応SiC JFET、AIデータセンター向け
インフィニオン テクノロジーズは、AIデータセンターや産業用途に向け、ノーマリオフ対応品やパッケージオプションなど「CoolSiC JFET」の製品群を拡充すると発表した。新製品は2026年中にも量産を始める予定だ。（2026/6/16）

100〜300Aレンジをカバー：
AIデータセンター向け　SST対応3.3kV SiCパワーモジュール
マイクロチップ・テクノロジーは、AIハイパースケールデータセンターや高電圧電源向けに、SST対応の3.3kV SiCパワーモジュール「HV-D3 mSiC」の提供を開始した。100〜300Aレンジをカバーし、EV充電インフラや鉄道および大型輸送機器の補助電源などの用途も想定する。（2026/6/16）

Wolfspeedがサンプル提供開始：
高電圧エネルギーインフラ向けの3.3kV SiCパワーモジュール
Wolfspeedは、高電圧エネルギーインフラ向けに3.3kV SiCパワーモジュール2製品を発表した。2kV以上のDCリンクアーキテクチャに対応し、電力変換段数の削減と2レベルトポロジーの簡素化を可能にする。（2026/6/11）

「望んだ性能が続くか」が重要な競争軸に：
三菱電機、SiC MOSFETのAC特性変動「世界最小」級と実証
SiC MOSFETの採用拡大が本格化する中、実際の使用環境に近いAC動作を繰り返すことでゲートしきい値電圧（Vth）が変動し、設計時に想定した損失や熱特性が変化する課題が注目されている。こうした特性変動を評価するDGS試験において、三菱電機は同社SiC MOSFETの特性変動量が「世界最小クラス」（同社）であることを実証したという。（2026/6/10）

注目しておきたいテーマ：
「TECHNO-FRONTIER 2026」の歩き方
2026年7月15日（水）〜17日（金）にかけて、「TECHNO-FRONTIER（テクノフロンティア） 2026」が東京ビッグサイトで開催される。今回の見どころを編集部の視点で探る。（2026/7/8）

電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記：
半導体市場は踊る、されど続かず？
さすがに、このままのペースで成長するとは考えにくいです。（2026/6/8）

電子ブックレット：
「TECHNO-FRONTIER」2025年プレイバック
「EE Times Japan」に掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、開催を間近に控えた専門技術展「TECHNO-FRONTIER」の、2025年の展示の模様をまとめた。（2026/6/8）

中国大手と提携で開発も製造も加速：
PR：「初めてのGaN」はSTで！　設計しやすさを追求した豊富な製品群
電源システムの小型高密度化や高効率化に向けて期待が高まるGaNパワーデバイス。しかし、「設計が難しい」「製品ラインアップが限られる」といった理由から、導入に踏み切れないケースも少なくない。こうした課題に対し、STマイクロエレクトロニクスは使いやすさを追求した製品群とパートナー戦略で、GaN導入を後押しする。（2026/6/8）