「SiC」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

数十億ユーロを投資し製造能力強化：
ボッシュ、第3世代SiCチップを開発　性能20％向上
ボッシュは、同社として第3世代となる炭化ケイ素（SiC）チップを開発し、サンプル出荷を始めた。従来品に比べ性能を20％向上させつつ、チップサイズの小型化を図った。製造能力も強化し、ドイツと米国の製造拠点で数十億ユーロを投資する。（2026/5/9）

組み込み開発ニュース：
パワーデバイスの損失や温度上昇を数秒で検証できる高速シミュレーターを公開
ロームは、パワーデバイスの動作をWeb上で高速にシミュレーションできる「ROHM PLECS Simulator」を公開した。回路設計の初期段階において、最適なデバイス選定にかかる工数を大幅に削減する。（2026/5/8）

AIサーバ、車載など向け：
SiC／GaNモジュールにも好適　78ピコ秒PWM搭載のDSC
マイクロチップ・テクノロジーは、AIサーバやデータセンター、車載、産業機器向けDSC「dsPIC33AK256MPS306」を発表した。78ピコ秒の分解能を有するPWMを搭載している。（2026/5/7）

2026年5月20日（水）／視聴無料：
SiC／GaNの最新動向からEMCまで――「パワーデバイスセミナー」開催！
EE Times Japan／EDN Japanは2026年5月20日（水）、オンラインセミナー「パワーデバイスセミナー 2026 春 『省エネの主役』に躍り出たパワー半導体の最前線」を開催いたします。（2026/5/1）

2025年比で95.7％増に：
パワー半導体世界市場、2035年は7兆円超え　酸化ガリウムも一定規模に
富士経済は2026年4月、パワー半導体世界市場の予測を発表した。2030年ごろから次世代パワー半導体の実用本格化が進み、市場が大幅に拡大。2035年には、2025年比で95.7％増となる7兆3495億円になると予測する。（2026/5/1）

ローム、東芝との統合協議にも言及：
パワー停滞も光デバイス堅調、三菱電機の半導体部門
三菱電機は2025年度通期（2025年4月〜2026年3月）業績を発表した。半導体部門（セミコンダクター・デバイスセグメント）の売上高は前年度比7億円増の2871億円、営業利益は同69億円増の475億円だった。パワー半導体の需要停滞は継続したが、通信用光デバイスが堅調に推移した。（2026/4/30）

「関西ネプコン」で12インチSiCエピウエハーを国内初展示：
PR：「中国SiC技術を使いこなせ」――マルエム商会が示すパワー分野の現実解
マルエム商会が、炭化ケイ素（SiC）ビジネスに本格参入する。同社のパートナーである国内外企業のSiCパワーデバイス関連技術／製品を、日本企業の要求に合うよう組み合わせ、ソリューションとして提案する。特に、近年著しく成長している中国／台湾のSiC関連企業の技術や製品を活用できるようになることが大きな利点だ。（2026/4/30）

EE Exclusive：
次世代パワー半導体　「期待の5材料」の現在地
AIデータセンターや電動車（xEV）の普及によって電力需要が増大する中、電力変換効率を左右するパワー半導体の重要性が高まっている。炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）は既に実用化され市場を拡大している一方、ダイヤモンドや酸化ガリウム、二酸化ゲルマニウムといった「次々世代」材料の研究も進む。次世代パワー半導体として期待される5つの材料の現状と課題を整理する。（2026/4/30）

車載機器や産業機器向け：
ロームが第5世代SiC MOSFET、高温時のオン抵抗30％低減
ロームが同社にとって第5世代「SiC MOSFET」を開発した。第4世代品に比べ高温動作時のオン抵抗を約30％低減した。電動車（xEV）用トラクションインバーターやAIサーバ用電源などの用途に向ける。（2026/4/24）

複数のトポロジーに対応：
過酷環境での電力変換向けSiCモジュール、マイクロチップ
マイクロチップ・テクノロジーは、過酷な環境下での電力変換用途向けSiCパワーモジュール「BZPACK mSiC」を発表した。高温、高湿環境下での信頼性規格「HV-H3TRB」に適合している。（2026/4/23）

世界で戦える企業体に：
三菱電機、ローム・東芝との統合は「非常にポジティブ」
三菱電機は2026年4月15日、パワーデバイス製作所福岡地区（福岡市）に新工場棟「パワーデバイスA棟（PA棟）」を建設し、竣工式を行った。現地では同社半導体・パワーデバイス事業本部長の竹見政義氏が、ローム、東芝とのパワー半導体事業統合についても語った。（2026/4/17）

TEDとアイテスが協業：
SiCデバイスの潜在欠陥、ウエハーレベルで可視化へ
東京エレクトロン デバイス（TED）とアイテスは、SiCデバイスの潜在欠陥をウエハーレベルで可視化する検査ソリューション分野で協業する。UVレーザー技術を用いた新製品「SiC潜在欠陥検査装置／通電劣化シミュレーターITS-SCX100」の開発などを行っていく。（2026/4/17）

大山聡の業界スコープ（99）：
ローム・東芝・三菱電機のパワー半導体はどうなるか
2026年3月は日本国内のパワー半導体業界を揺るがす報道が続いた。今回は、国内パワー半導体の再編の動きの現状、や背景、今後の見通しを整理してみる。（2026/4/17）

高効率と高電力密度を実現：
AIサーバ向け1200V対応SiC MOSFETモジュール、SemiQ
SemiQは、液冷AIデータセンター向けに、高効率と高電力密度を実現する1200V対応SiC MOSFETモジュール「QSiC Dual3」を発表した。小型化と熱性能向上によって、幅広い高電力用途に対応する。（2026/4/17）

モノづくり総合版メルマガ 編集後記：
日の丸パワー半導体狂想曲の行く末　エルピーダルネサスJDIを他山の石に
“日の丸××”には苦い記憶が。にんともかんとも……。（2026/4/16）

早稲田大学や物質・材料研究機構ら：
自然界に存在しない構造を持つ2次元酸化鉄を作製
早稲田大学や物質・材料研究機構（NIMS）、日本原子力研究開発機構、東京大学および、名古屋大学の研究グループは、自然界には存在しない構造を持った2次元酸化鉄を作製することに成功した。（2026/4/15）

ローム買収は「広く検討」：
「技術を束ねて高価値システムに」　デンソーが2030年中計発表
デンソーは中期経営計画説明会「DENSO DIALOG DAY 2026」で、新たな中期経営計画「CORE 2030」の策定を発表した。3本の柱を成長戦略に、2030年の売上高8兆円以上、営業利益10％以上を目指す。（2026/4/13）

湯之上隆のナノフォーカス（89-1）：
ヘリウム調達停止――AIブームを崩壊させる「見えない臨界点」（前編）
米国とイスラエルによるイラン攻撃に端を発した中東問題は、半導体業界にも多大な影響をもたらす。その最たるものがヘリウム（He）の供給停止だ。本稿では、ヘリウム調達停止が半導体業界に与える影響を前後編に分けて詳細に解説、考察する。【訂正あり】（2026/4/9）

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック：
EVに吹く逆風　デンソーの焦りとロームが求める勝機とは
日本のパワー半導体業界では、デンソーによるローム買収提案や、ローム／東芝／三菱電機の3社連合など、再編にまつわる話題が相次いだ。今回は、電気自動車（EV）市場に関する各半導体メーカーの見解を振り返りながら、パワー半導体の新たな成長市場についても考察する。（2026/4/8）

電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記：
中国の「猛烈なキャッチアップ」　なぜ可能なのか
「数十年前の日本」なのかもしれません。（2026/4/6）

電力損失50％以上低減：
ローム、8インチSiC MOSFET開発の技術目標を2年前倒しで達成
ロームは2026年4月2日、新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）のグリーンイノベーション基金事業のもとで取り組んできた「8インチ次世代SiC MOSFETの開発」の技術目標を達成したと発表した。技術目標は「電力損失50％以上の低減」「低コスト化」で、当初の予定から2年前倒しで達成した。（2026/4/3）

モノづくり総合版メルマガ 編集後記：
「世界2位」は実現するか、ローム、東芝、三菱電機とデンソーの選択は
ロームと東芝、三菱電機がパワー半導体事業の統合に向けた協議を開始。3社のパワー半導体の世界シェアを単純合算すれば世界2位の規模になります。一方、買収提案をしているデンソーからは新たな発言も。業界再編の行方は……。（2026/4/2）

製造マネジメントニュース：
デンソーが新中計「CORE 2030」を発表、3本柱の成長戦略で営業利益率10％必達へ
デンソーが2026〜2030年度の中期経営計画「CORE 2030」について説明。「商品づくりの強化」「モノづくりの革新」「人づくり・パートナー協創」という3本柱の成長戦略に基づき、2030年度に売上高8兆円以上、営業利益率10％以上、ROE11％以上などの目標達成を目指す。（2026/4/1）

メイコーの最新技術とは：
高多層や部品内蔵で高密度化　DX要求に応える基板の進化
電子回路基板（PCB）を手掛けるメイコーは、プレス向けセミナーを開催。高密度配線のニーズに向けて開発を進める、モジュール／パッケージ基板や高多層基板、部品内蔵基板などの技術について紹介した。（2026/3/31）

Power Diamond Systems 藤嶌辰也氏／宇田川昌和氏：
「究極の半導体」ダイヤモンドを社会へ　動態展示も実現の早大発新興
電力需要の増大でパワー半導体の性能向上の重要性が高まる中、次世代パワー半導体の研究開発が進んでいる。中でも優れた物性値を誇り、「究極の半導体材料」と称されるのがダイヤモンドだ。ダイヤモンド半導体の研究を進めるPower Diamond Systems（PDS） Co-Founder&CEOの藤嶌辰也氏、同社 事業連携統括 宇田川昌和氏に、ダイヤモンド半導体の社会実装に向けた同社の取り組みについて聞いた。（2026/3/30）

AIデータセンターなど向け：
第5世代トレンチアシストプレーナーSiC MOSFET、Navitas
Navitas Semiconductorは第5世代「GeneSiC」プラットフォームを発表した。トレンチアシストプレーナー構造によって損失を低減し、高効率と高信頼性を実現するものである。（2026/3/27）

次世代SiCアプリケーションに対応：
オプトエミュレーター入力搭載の絶縁ゲートドライバー、Infineon
Infineon Technologiesのシングルチャンネル絶縁ゲートドライバー「1ED301xMC121」シリーズは、フォトカプラベースの設計とピン互換性のある製品だ。（2026/3/26）

日本担当カントリーマネージャー　高桑浩一郎氏：
PR：自動車と産機を軸に成長加速へ、データセンター用電源が追い風に　STマイクロエレクトロニクス
長引く調整局面を乗り越え、2025年第4四半期に前年同期比プラスへ転換したSTマイクロエレクトロニクス。NXP SemiconductorsのMEMS事業買収や、AIアクセラレーター搭載マイコンの市場投入、800V直流アーキテクチャ用電源の開発など、次々と打ち手を講じている。STマイクロエレクトロニクス 日本担当カントリーマネージャーを務める高桑浩一郎氏に、各事業分野の注目製品や日本での戦略を聞いた。（2026/3/26）

知っておきたいSiCパワー半導体：
SiCパワー半導体とは？　大電力製品の小型・軽量化にむけて
今回はSiCパワー半導体の基本特性やSiとの比較、活用例などについて説明します。（2026/3/23）

材料技術：
2nmノードのGAAトランジスタの製造課題を解消する3機種
アプライドマテリアルズジャパンは、プレスラウンドテーブル「次世代トランジスタ技術によるAI性能の最大化」を開催し、2nmノードのGAAトランジスタの製造課題を解消する3機種を紹介した。（2026/3/19）

13部門で審査：
EDN、2025年「Product of the Year」発表〜センサー/電源編〜
米EDNが2025年の「Product of the Year Awards」の受賞製品を発表した。13部門で100超の製品を審査している。前編となる今回は、センサーや電源などのカテゴリーでの受賞製品を紹介する。（2026/3/19）

電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記：
「再編待ったなし」のパワー半導体業界
基礎研究から実用化までをいかにスピードアップできるかが、鍵だと思います。（2026/3/16）

モビリティメルマガ 編集後記：
ローム買収を検討するデンソーは半導体メーカーになり切れるのか
半導体を作ってるだけでは半導体メーカーとはいえません。（2026/3/11）

最新世代SiC MOSFET採用：
Vishay、1200V対応SiCパワーモジュール5製品
Vishayが1200V対応SiCパワーモジュール5製品を発表した。SOT-227パッケージで既存ソリューションのドロップイン置き換えに対応し、EV充電器や太陽光インバーターなどで高効率化を実現する。（2026/3/11）

電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記：
ロームとデンソー、東芝、三菱電機……国内パワー半導体再編の行方
デンソーがロームに対して買収提案を行った――。2026年3月6日、日本経済新聞が報じたこのニュースは、国内パワー半導体業界に大きな波紋を広げました。（2026/3/9）

知っておきたいGaNパワー半導体：
GaNパワー半導体とは？　SiCとの住み分け／性能比較／設計時の注意点を解説
今回はGaNパワー半導体の基本特性やSi、SiCとの性能比較、用途ごとの住み分け、設計時の注意点について説明します。（2026/3/9）

2029年に本格量産へ：
150mm酸化ガリウムウエハーをサンプル出荷、ノベルクリスタル
ノベルクリスタルテクノロジーは、次世代パワー半導体に向けて直径150mm（6インチ）酸化ガリウム（β-Ga2O3）ウエハーのサンプル出荷を始める。2027年には150mm β-Ga2O3エピウエハーのサンプル出荷を開始し、2029年の本格量産を目指す。（2026/3/3）

組み込み採用事例：
インフィニオンのSiCデバイスがトヨタ自動車の新型「bZ4X」に採用
Infineon Technologies（インフィニオン）は、同社のSiCパワーMOSFET「CoolSiC」が、トヨタ自動車の新型「bZ4X」に採用されたと発表した。車載充電器などに搭載され、航続距離の延伸や充電時間の短縮に貢献する。（2026/3/2）

EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版 2026年2月号：
「CES 2026」 フィジカルAI黎明期――電子版2026年2月号
「EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版」の2026年2月号を発行しました。EE Exclusive（電子版限定先行公開記事）は『「CES 2026」 フィジカルAI黎明期』です。（2026/2/27）

EE Exclusive：
半導体業界 2026年の注目技術
編集部が選んだ2026年の注目技術を紹介する。（2026/2/27）

製造マネジメントニュース：
レゾナックがコア営業利益で増益、半導体材料事業がAI需要を捉える
レゾナック・ホールディングスは、2025年12月期の連結業績で、AIサーバ向け先端材料の高い需要を背景に、半導体／電子材料セグメントのコア営業利益が過去最高を更新したと発表した。（2026/2/25）

新工場は26年7月に開所：
Infineon、AI電源事業が驚異的成長 「売り上げ3年で10倍に」
Infineon Technologiesはドイツ・ドレスデンにおける300mmウエハー新工場の建設が前倒しで進んでいて、開所は2026年7月2日になると明かした。3年で10倍の成長を見込むAIデータセンター向け電源事業の需要に対応するため、フル稼働時には年50億ユーロ程度の売上高を見込むとする同工場の生産立ち上げを加速していく。（2026/2/24）

6／8／10A品を用意：
突入電流耐量を強化した650V対応SiC SBD、トレックス
トレックス・セミコンダクターは、突入電流やサージ電流に対する耐量を高めた650V対応の炭化ケイ素（SiC）ショットキーバリアダイオード（SBD）「XBSC41」「XBSC42」「XBSC43」シリーズを発表した。（2026/2/19）

台湾企業と提携：
オキサイドが半導体後工程向け装置事業を本格化
オキサイドは2026年2月、レーザー微細加工装置メーカーである台湾Boliteとの業務提携に基本合意した。今回の合意に基づき両社は、半導体後工程に向けたレーザー微細加工装置事業を本格的に展開していく。（2026/2/19）

新型SiCモジュールの導入を支援：
SiC用いる3相インバーター回路用参照設計図、ロームが公開
ロームは、新型SiCモジュールを搭載した「3相インバーター回路向けレファレンスデザイン」を自社のウェブサイト上に公開した。設計者はこの設計データを用いて駆動回路用基板を作製し、SiCモジュールと組み合わせることで、実機による評価工数を削減することが可能となる。（2026/2/18）

EVやデータセンター用電源を小型化：
SiCのスイッチング損失28％削減！　東芝の新ゲートドライバー技術
東芝は、炭化ケイ素（SiC）パワーデバイスの性能を高める2つの次世代ゲートドライバー技術を発表した。電気自動車（EV）やデータセンター向け電源で用いられるSiCパワーデバイスの高効率化／小型化／信頼性向上を実現するものだ。（2026/2/18）

組み込み開発ニュース：
東芝の2つの次世代ゲート駆動技術がSiCデバイスの損失削減に寄与、ISSCCで発表
東芝がSiCデバイスの性能を最大限に引き出す次世代ゲートドライバ技術として「フィードバック型アクティブゲートドライバー」と「低損失ゲートドライバー」の2つを開発。フィードバック型アクティブゲートドライバーは28％の損失低減と58％のサージ抑制、低損失ゲートドライバーは84％の駆動損失削減をそれぞれ試作回路で確認したという。（2026/2/17）

電子ブックレット：
再興目指す「日の丸半導体」の現在地
「EE Times Japan」に掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、再興に向けて注目を集める「日の丸半導体」をテーマに、日本の半導体業界を巡る市場動向や企業の取り組み、世界から見た現状に関する記事をまとめた。（2026/2/17）

オートモーティブワールド2026レポート：
進化を止めない車載ネットワーク、第3世代CANが登場し車載SerDesは12Gbpsへ
「オートモーティブワールド2026」の構成展の一つである「第18回 ［国際］カーエレクトロニクス技術展」で披露された、車載ネットワークをはじめとするカーエレクトロニクス関連の展示レポートをお送りする。（2026/2/16）

深刻化するデータセンターの電力問題：
PR：デルタ電子とロームがHVDCに本腰を入れる理由
AIの世界的な普及を背景に、爆増するデータセンターの消費電力。これによって現在、2つの深刻な問題が引き起こされている。それは、電力が足りなくなっていることと、データセンター内での電力供給が困難になっていることだ。デルタ電子（Delta Electronics／以下、デルタ）とロームは、これらの問題を解決すべく協業体制を強化した。デルタのPower and System Business Groupの責任者を務めるAres Chen氏と、ロームでパワーデバイス事業担当の常務執行役員を務める伊野和英氏が、両社の目指す未来を議論した。（2026/2/18）