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「MOSFET」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

耐圧1200V品と1700V品:
東芝、Dual SiC MOSFETモジュール2製品を発表
東芝デバイス&ストレージは、産業用機器向けにSiC(炭化ケイ素)MOSFETチップを搭載したDual SiC MOSFETモジュール2製品を発表した。(2022/1/28)

全ての負荷範囲で高い効率を実現:
サンケン電気、スイッチング電源用パワーICを量産
サンケン電気は、パワーMOSFETと電流モード型PWM制御ICを1パッケージに集積したPWM型スイッチング電源用パワーIC「STR6A153MVD」を開発、量産を始めた。(2022/1/26)

SiC採用のための電源回路シミュレーション(1):
SiCパワーMOSFETのデバイスモデル、オン時の容量考慮で精度が大幅向上
スイッチング動作が極めて高速なSiCパワーMOSFETを用いた電源回路設計では、回路シミュレーションの必要性に迫られることになるが、従来のモデリング手法を用いたデバイスモデルでは精度面で課題があった。本連載では、この課題解決に向けた技術や手法について紹介する。(2022/1/24)

STマイクロ 第3世代SiCパワーMOSFET:
次世代EVや産業向け第3世代SiCパワーMOSFET
STマイクロエレクトロニクスは、第3世代SiCパワーMOSFETを発表した。電力密度や電力効率、信頼性を必要とする車載用および産業用途に適する。(2022/1/21)

モノづくり最前線レポート:
独立分社する東芝デバイスカンパニーの成長をけん引するパワー半導体技術の実力
東芝デバイス&ストレージがパワー半導体技術について説明。東芝から独立分社するデバイスカンパニーの成長をけん引することが期待されているパワー半導体事業だが、低耐圧と高耐圧のMOSFETで業界トップの性能を実現しており、次世代パワー半導体として期待されているSiCデバイスやGaNデバイスの開発にも注力している。(2022/1/11)

オンセミ SUPERFET V:
サーバやテレコムの電源向け600V耐圧MOSFET
オンセミは、サーバやテレコムの電源向けに、優れたスイッチング特性と低ゲートノイズを提供する600V MOSFET「SUPERFET V」ファミリーを発表した。「80 PLUS Titanium」の要件を満たす電源を可能にする。(2021/12/22)

東芝 TLP5705H、TLP5702H:
ピーク出力電流が大きいIGBT/MOSFET駆動用フォトカプラー
東芝デバイス&ストレージは、IGBTおよびMOSFETのゲート駆動向けフォトカプラー「TLP5705H」「TLP5702H」の出荷を開始した。ピーク出力電流定格が大きく、従来品よりも薄型で容易に置き換えられる。(2021/12/16)

インフィニオン OptiMOS 6 100V:
高スイッチング周波数用途向け第6世代のMOSFET
インフィニオン テクノロジーズは、高スイッチング周波数アプリケーション向けMOSFET「OptiMOS 6 100V」ファミリーを発表した。伝導損失とスイッチング損失の低減を両立し、部品の並列化を最小限に抑える。(2021/12/6)

界面の欠陥低減と平たん性向上で:
SiC-MOSFETの性能が6〜80倍に、トレンチ型に応用可能
京都大学 大学院 工学研究科の木本恒暢教授、立木馨大博士後期課程学生らのグループは2021年10月27日、SiC半導体の課題である界面の欠陥を大幅に削減し、SiC-MOSFETの性能を6〜80倍に向上することに成功したと発表した。(2021/10/27)

UnitedSiCが9製品を新たに追加:
オン抵抗6mΩ品など耐圧750VのSiC FETを発表
米国UnitedSiCは、耐圧750Vでオン抵抗が6mΩと小さいSiC(炭化ケイ素)FETを発表した。競合するSiC MOSFET製品に比べオン抵抗は半分以下で、短絡保証時間定格は5マイクロ秒を実現している。(2021/9/15)

十数年ぶりに刷新!:
PR:進化し続ける“強い”汎用パワーMOSFET、価格性能比を徹底追及した新世代の「StrongIRFET」が登場
パワーMOSFETを十数年手掛けるインフィニオン テクノロジーズ。汎用パワーMOSFET「StrongIRFET」と、より用途に特化したパワーMOSFET「OptiMOS」を合わせると、耐圧20〜300Vの製品だけで2000種を超える。2021年3月には第2世代となるStrongIRFETが登場した。汎用パワーMOSFETとしての使い勝手の良さはそのままに、価格性能比を徹底的に追及。第1世代のStrongIRFETと高性能のOptiMOSのギャップを埋める、強力な汎用パワーMOSFETが、インフィニオンの製品群に加わった。(2021/9/6)

Nexperia PSMN4R2-80YSE、PSMN4R8-100YSE:
5G、48Vサーバに適した特定用途向けMOSFET
Nexperiaは、特定用途向けMOSFET(ASFET)として、80V耐圧の「PSMN4R2-80YSE」と100V耐圧の「PSMN4R8-100YSE」を発表した。同社の前世代品と比較して、安全動作領域を166%拡大した。(2021/8/25)

部品点数を半減、効率は30%向上:
3相MOSFETゲートドライバーICを発表、TRINAMIC
TRINAMIC Motion Controlは、ブラシレスDCモーターや永久磁石同期モーター(PMSM)に向けた3相MOSFETゲートドライバーIC「TMC6140-LA」を発表した。従来システムに比べ部品点数を半減し、電力効率を30%向上させることができるという。(2021/8/23)

マイクロチップ 1700V SiC MOSFET:
1700V SiC MOSFETのパワーソリューション
マイクロチップ・テクノロジーは、1700V SiC MOSFETのダイ、ディスクリートおよびパワーモジュールを発表した。同製品群をIGBTから置き換えることで、充電ステーションの小型化やバッテリー駆動車両の走行距離、動作時間の延長が可能になる。(2021/8/5)

2個のパワーMOSFETを搭載:
新電元工業、車載ECU向けLF Dualシリーズを開発
新電元工業は、車載用ECUに向けて1パッケージに2個のパワーMOSFETを搭載した「LF Dual」シリーズを開発した。既にサンプル出荷を始めていて、2021年12月から量産を行う。(2021/7/15)

耐圧40V/60Vの12製品を発売:
ローム、低オン抵抗のデュアルMOSFETを開発
ロームは2021年7月、24V入力に対応した低オン抵抗のデュアルMOSFET「QH8Mx5/SH8Mx5シリーズ(Nch+Pch)」を発表した。FA機器や基地局装置のファンモーター用途に向ける。(2021/7/2)

Qrr性能指数を平均で61%も低減:
Nexperia、80V/100V MOSFETを新ラインで製造
Nexperia(ネクスペリア)は、オン抵抗が小さく、逆回復電荷が低い耐圧80V/100VのシリコンMOSFETを発表した。新製品は英国マンチェスターの新たな8インチウエハーラインで製造する、初めての製品だという。(2021/6/29)

高温環境下で高信頼と電力損失低減:
東芝、SiC MOSFETのデバイス構造を最適化
東芝デバイス&ストレージは、SiC(炭化ケイ素)MOSFETの新たなデバイス構造を開発した。新構造を採用することで、高温環境下における素子の信頼性向上と電力損失の低減を実現した。(2021/6/25)

耐圧1700VのSiC MOSFETを内蔵:
ローム、面実装のAC-DCコンバーターICを開発
ロームは、耐圧1700VのSiC MOSFETを内蔵したAC-DCコンバーターIC「BM2SC12xFP2-LBZ」を開発し、サンプル出荷を始めた。面実装が可能な小型パッケージ(TO263-7L)で供給する。(2021/6/21)

オンセミ NXH010P120MNF1、NXH006P120MNF2:
EV充電向けのSiC MOSFETモジュール
オン・セミコンダクターは、EV充電ステーション向けの1200VフルSiC MOSFET 2パックモジュール「NXH010P120MNF1」「NXH006P120MNF2」を発表した。プレーナー技術を活用し、18〜20Vの駆動電圧に対応する。(2021/6/18)

ビシェイ SiSS52DN:
低オン抵抗の30V耐圧NチャンネルパワーMOSFET
ビシェイ・インターテクノロジーは、30V耐圧NチャンネルTrenchFET Gen VパワーMOSFET「SiSS52DN」を発表した。絶縁、非絶縁型トポロジー向けに高電力密度と高効率を提供する。(2021/6/14)

Nexperia BUK7S0R5-40H、PSMNR55-40SSH:
低オン抵抗、高電力密度の40V MOSFET
Nexperiaは、40VパワーMOSFETの新製品として、車載向けの「BUK7S0R5-40H」と産業機器向けの「PSMNR55-40SSH」を発表した。オン抵抗が0.55mΩと低く、電力密度も向上している。(2021/6/9)

縦型MOSFETとCMOSを1チップに:
産総研、SiCモノリシックパワーICの開発に成功
産業技術総合研究所(産総研)は、SiC(炭化ケイ素)半導体を用い、縦型MOSFETとCMOS駆動回路をワンチップに集積したSiCモノリシックパワーICを開発、そのスイッチング動作を確認した。SiCモノリシックパワーICを実現したのは世界で初めてという。(2021/6/2)

インフィニオン FF11MR12W1M1_B70、FF6MR12W2M1_B70:
窒化アルミニウム採用のSiC MOSFET
インフィニオン テクノロジーズは、1200VファミリーのEasyDUAL CoolSiC MOSFETモジュールに、窒化アルミニウムセラミックを採用した「FF11MR12W1M1_B70」「FF6MR12W2M1_B70」を追加した。(2021/5/24)

航続距離を5%以上伸ばせる:
EVのインバーター向けSiC-MOSFETパワーモジュール
Infineon Technologiesの日本法人インフィニオン テクノロジーズ ジャパンは2021年5月19日、電気自動車(EV)やハイブリッド自動車(HEV)といった電動車両のトラクションインバーター向けに、SiC-MOSFETを搭載したパワーモジュール「HybridPACK Drive CoolSiC」を発表した。(2021/5/21)

ビシェイ SQJA81EP:
車載グレードの80V PチャンネルMOSFET
ビシェイ・インターテクノロジーは、車載用規格「AEC-Q101」に準拠した80VのPチャンネルMOSFET「SQJA81EP」を発表した。10Vでのオン抵抗が前世代品と比較して31%低く、この低オン抵抗によって導通時の電力損失を抑え、電力密度を高める。(2021/4/20)

工場ニュース:
東芝、生産能力増強に向け300mmウエハー対応製造ラインを導入
東芝デバイス&ストレージは、300mmウエハー対応製造ラインを加賀東芝エレクトロニクス構内に導入すると発表した。導入により、低耐圧MOSFETやIGBTの生産能力を増強する。(2021/3/31)

東芝 DTMOSVIシリーズ:
650V耐圧のスーパージャンクションパワーMOSFET
東芝デバイス&ストレージは、650V耐圧のスーパージャンクションパワーMOSFET「DTMOSVI」シリーズの量産出荷を開始した。薄型かつ小型の表面実装TOLLパッケージを採用し、従来から約27%実装面積を縮小している。(2021/3/24)

ネクスペリア BUK7V4R2-40H、BUK9V13-40H:
定格40Vの車載向けハーフブリッジMOSFET
ネクスペリアは、定格40Vの車載向けハーフブリッジMOSFET「BUK7V4R2-40H」「BUK9V13-40H」を発表した。MOSFET間を内部クリップ接続することで、寄生インダクタンスを60%低減し、基板上の配線も不要なため、実装面積を30%削減できる。(2021/3/10)

東芝 MG800FXF2YMS3:
産業機器向けデュアルSiC MOSFETモジュール
東芝デバイス&ストレージは、電圧定格3300V、電流定格800AのデュアルSiC MOSFETモジュール「MG800FXF2YMS3」を発表した。鉄道車両向け電力変換装置や再生可能エネルギー発電システムなどでの利用を見込む。(2021/3/5)

組み込み開発ニュース:
Fin状トレンチ型SiC-MOSFETを製品化、サンプル出荷開始へ
日立パワーデバイスは、Fin状トレンチ型SiC-MOSFET「TED-MOS」を製品化した。2021年3月よりサンプル出荷を開始する。デバイス設計の自由度が向上したほか、耐久性と低消費電力を両立した。(2021/2/17)

ローム 第5世代Pch MOSFETシリーズ:
−40V、−60V耐圧の低オン抵抗Pch MOSFET
ロームは、産業機器や大型民生機器向けに、24V入力対応の−40Vおよび−60V耐圧Pチャンネル(Pch) MOSFETのシングル品および、デュアル品計24製品を開発した。オン抵抗は、−40V耐圧品で同社従来品比62%減、−60V耐圧品で同52%減となっている。(2020/12/25)

STマイクロ VIPer31:
小型の高電圧オフラインコンバーター
STマイクロエレクトロニクスは、高電圧コンバーター「VIPerPlus」シリーズに、小型で高電圧のオフラインコンバーター「VIPer31」を追加した。内蔵のパワーMOSFETは800Vのアバランシェ耐性を備える。(2020/12/21)

価格はシリコンと同水準、UnitedSiC:
「業界最高の性能指数を実現」する750V耐圧SiC FET
米国UnitedSiCは2020年12月1日(現地時間)、同社の「第4世代SiC FET」として、750V耐圧の新製品を発表した。同社は、単位面積当たりのオン抵抗やスイッチング性能など、「業界最高の性能指数」を実現したと説明している。またコスト面でも、「スーパージャンクション(SJ)構造のシリコンMOSFETのプレミアム品とほぼ同水準の価格だ」という。(2020/12/4)

インフィニオン CoolSiC MOSFET:
1200V対応、自然冷却のパワーMOSFET
インフィニオン テクノロジーズは、SiCパワーMOSFETファミリー「CoolSiC MOSFET」に1200V用に最適化された新製品を追加した。自然空冷を可能にしたことで冷却ファンや関連設備を不要とし、損失も従来比で最大80%削減できる。(2020/11/26)

三菱電機 SiC-MOSFET 1200V-Nシリーズ TO-247-4パッケージ:
4端子構成パッケージのSiC-MOSFET
三菱電機は、「SiC-MOSFET 1200V-Nシリーズ TO-247-4パッケージ」6品種のサンプル提供を2020年11月に開始する。4端子パッケージ採用により、従来品と比較してスイッチング損失を約30%低減した。(2020/11/17)

機器の電力損失を大幅に削減:
東芝、耐圧1200VのSiC MOSFETを発売
東芝デバイス&ストレージは、耐圧1200VのSiC(炭化ケイ素)MOSFET「TW070J120B」を開発、出荷を始めた。産業機器向けAC-DCコンバーターや太陽光インバーター、大容量の双方向DC-DCコンバーターなどの用途に向ける。(2020/10/21)

ローム RV8C010UN、RV8L002SN、BSS84X:
実装信頼性の高い1010サイズの車載向けMOSFET
ロームは、車載規格AEC-Q101に準拠した超小型MOSFET「RV8C010UN」「RV8L002SN」「BSS84X」を発表した。はんだの実装信頼性が高く、小型化と高放熱化を両立しており、車載ECUやADASに適している。(2020/10/14)

リチウムイオン電池の保護回路用:
小型で低オン抵抗のドレインコモンMOSFETを発売
東芝デバイス&ストレージは、小型形状でオン抵抗が小さいドレインコモン構造の12V耐圧nチャネルMOSFET「SSM6N951L」を開発、出荷を始めた。リチウムイオン電池パックのバッテリー保護回路用途に向ける。(2020/10/9)

京大が再び快挙:
SiC-MOSFETの電子移動度が倍増、20年ぶりに大幅向上
京都大学が、SiCパワー半導体の研究で再び快挙を成し遂げた。京都大学 工学研究科 電子工学専攻の木本恒暢教授と同博士課程学生の立木馨大氏らの研究グループは2020年9月8日、新たな手法による酸化膜形成により、SiCと酸化膜(SiO2)の界面に発生する欠陥密度を低減し、試作したn型SiC-MOSFETにおいて従来比2倍の性能を実現したと発表した。(2020/9/9)

30年来の課題に光明:
新手法の酸化膜形成でSiC-MOSFETの性能が10倍に
SiCパワー半導体で30年来の課題となっていた欠陥の低減が、大きく前進しようとしている。京都大学と東京工業大学(東工大)は2020年8月20日、SiCパワー半導体における欠陥を従来よりも1桁低減し、約10倍の高性能化に成功したと発表した。(2020/8/21)

インフィニオン TLE956xシリーズ:
電源と通信インタフェースを統合したマルチハーフブリッジMOSFETドライバ
インフィニオン テクノロジーズは、車載用小型電気モーター制御システム向けのモーターシステムIC「TLE956x」シリーズを発表した。電源と通信インタフェースを統合した「世界初」(同社)のマルチハーフブリッジMOSFETドライバとなる。(2020/8/6)

従来技術に比べ10倍以上に:
新デバイス構造でSiC MOSFETの信頼性を向上
東芝デバイス&ストレージは、SiC MOSFETの内部にSBDを搭載する新たなデバイス構造を開発した。従来技術に比べて、オン抵抗の上昇を抑えつつSiC MOSFETの信頼性を10倍以上も高めることが可能だという。(2020/8/3)

パワー・インテグレーションズ InnoSwitch3-AQ:
車載用フライバックスイッチング電源
パワー・インテグレーションズは、750V耐圧のMOSFETおよび二次側検出回路を搭載した、車載用フライバックスイッチング電源「InnoSwitch3-AQ」を発売した。AEC-Q100認証を取得している。(2020/7/31)

PCIM Europe digital days 2020、ローム:
バーチャルブースで第4世代SiC-MOSFETなど展示
ロームは、オンライン開催となったパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe digital days 2020」(2020年7月7〜8日、ドイツ時間)に出展。バーチャルブースを用意し、第4世代SiC-MOSFETなどの製品を紹介していた。(2020/7/17)

車載半導体:
オン抵抗を40%、スイッチング損失を50%低減したSiC-MOSFETを開発
ロームは、車載パワートレインシステムや産業機器用電源向けに「1200V 第4世代SiC MOSFET」を開発した。短絡耐量時間を短縮せずにオン抵抗を従来品と比較して約40%、スイッチング損失を約50%低減した。(2020/7/15)

組み込み開発ニュース:
SiCパワー半導体の回路シミュレーションを高精度化、三菱電機から新SPICEモデル
三菱電機は2020年7月9日、同社が開発したSiCパワー半導体「SiC-MOSFET」のスイッチング速度を高精度でシミュレーション可能な独自のSPICE(Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis)モデルを新開発したと発表した。実測とほぼ同等のシミュレーションが可能となり、SiC-MOSFETを搭載したパワーエレクトロニクス機器の回路設計作業を効率化できる、(2020/7/13)

回路設計効率化に貢献:
三菱電機、SiC-MOSFETの高精度SPICEモデルを開発
三菱電機は、SiC-MOSFET「1200V-Nシリーズ」を用いた回路設計時のシミュレーションに有用な、高精度の「SPICEモデル」を開発した。実測とほぼ同じシミュレーション結果が得られるという。(2020/7/10)

ルネサス HIP2211、HIP2210:
100V耐圧ハーフブリッジMOSFETドライバIC
ルネサス エレクトロニクスは、100V耐圧のハーフブリッジMOSFETドライバIC「HIP2211」「HIP2210」を発売した。高性能かつ堅牢で、HI、LI入力、トライステートPWM入力に対応するため、電源供給やモーター駆動機器の設計を簡略化する。(2020/7/10)

三菱電機 SiC-MOSFET 1200V-N:
低電力損失と高い誤動作耐量を備えるSiC-MOSFET
三菱電機は、パワー半導体の新製品「SiC-MOSFET 1200V-N」シリーズ6品種のサンプル提供を開始する。低電力損失と高い誤動作耐量を両立しており、車載充電器や太陽光発電などの電源システムの低消費電力化、小型化に貢献する。(2020/7/8)


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にわかに地球規模のトピックとなった新型コロナウイルス。健康被害も心配だが、全国規模での臨時休校、マスクやトイレットペーパーの品薄など市民の日常生活への影響も大きくなっている。これに対し企業からの支援策の発表も相次いでいるが、特に今回は子供向けのコンテンツの無料提供の動きが顕著なようだ。一方産業面では、観光や小売、飲食業等が特に大きな影響を受けている。通常の企業運営においても面会や通勤の場がリスク視され、サーモグラフィやWeb会議ツールの活用、テレワークの実現などテクノロジーによるリスク回避策への注目が高まっている。