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「MOSFET」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

東芝 TCK42xGシリーズ:
過電圧防止対応のMOSFETゲートドライバーICを拡充
東芝デバイス&ストレージは、過電圧防止機能を備えたMOSFETゲートドライバーIC「TCK42xG」シリーズに、5製品を追加した。1.2×0.8mmのWCSP6Gパッケージで提供し、小型機器の5〜24V電源ラインに対応する。(2022/6/27)

PCIM Europe 2022:
第3世代SiC-MOSFET搭載車載モジュールなど、富士電機
富士電機は、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2022」(2022年5月10〜12日、ドイツ)に出展、産業、自動車分野向けの第7世代IGBTおよびSiC(炭化ケイ素)搭載パワーモジュールなどを展示した。(2022/5/27)

中堅技術者に贈る電子部品“徹底”活用講座(66):
半導体(7) ―― MOSFETのゲート駆動回路の注意点(2)
今回はパワーMOSFETの構造とそれに起因する寄生容量について説明するとともに、引き続きゲート駆動回路を中心にした使い方の注意事項を説明します。前回の記事と併せて読んでいただければ理解も深まると思います。(2022/5/27)

Apex Microtechnology:
ゲートドライバーを統合したSiCモジュール
Apex Microtechnologyは、SiC MOSFETを用いて性能と電力密度を向上させたデバイスファミリーを立ち上げた。同社は米国アリゾナ州に本社を構え、産業機器や計測/テスト、医療、航空宇宙/防衛、半導体製造装置といった幅広い分野向けに、アナログ/パワー製品を提供している。(2022/5/23)

PCIM 2022、Wolfspeed:
高温動作を実現、新世代SiC MOSFETダイとパッケージング技術
Wolfspeed(旧Cree)は、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2022」(2022年5月10〜12日、ドイツ)に出展し、同社が開発する新世代(Gen 3+)車載用SiC(炭化ケイ素)MOSFETのダイおよび先端パッケージング技術と組み合わせたソリューションなどを紹介した。(2022/5/20)

SiCはエンドツーエンドの提供を強調:
TOLL採用650V耐圧SiC MOSFETなど新製品展示、onsemi
onsemiは、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2022」(2022年5月10〜12日、ドイツ)に出展し、TO-Leadless(TOLL)パッケージを採用した耐圧650VのSiC(炭化ケイ素)MOSFET「NTBL045N065SC1」などを展示した。(2022/5/18)

電動化:
デンソーに続きルネサスも車載用パワー半導体を国内生産、投資額は900億円
ルネサス エレクトロニクスは2022年5月17日、2014年10月に閉鎖した甲府工場(山梨県甲斐市)に900億円の設備投資を行い、2024年からIGBTやパワーMOSFETを生産すると発表した。EV(電気自動車)など電動化で需要が急拡大することに対応して、パワー半導体の生産能力を強化する。(2022/5/18)

PCIM2022:
2kV耐圧のSiC MOSFETとダイオードを発表、Infineon
Infineon Technologiesは2022年5月10日(ドイツ時間)、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2022」において2kV耐圧のSiC MOSFETおよびダイオードを発表した。需要が高まる1500VDCのアプリケーション向けで、「出力密度向上とシステムコスト低減を実現し、次世代の太陽光発電、電気自動車(EV)チャージャー、エネルギー貯蔵システムの基盤を提供する」としている。(2022/5/16)

従来製品に比べ体積を60%削減:
オンセミ、TOLL採用の650V耐圧SiC MOSFETを発表
オンセミ(onsemi)は、TO-Leadless(TOLL)パッケージを採用した耐圧650VのSiC(炭化ケイ素)MOSFET「NTBL045N065SC1」を発表した。従来製品に比べ小型で、より信頼性の高い電源設計が可能となる。(2022/5/13)

三社電機製作所 FMG50AQ120N6:
1200V耐圧SiC MOSFETディスクリート製品
三社電機製作所は、電流容量50Aの1200V耐圧SiC MOSFETディスクリート製品「FMG50AQ120N6」を発表した。独自の低損失内部配線と4ピン構造のTO-247パッケージにより、高速スイッチングと低損失を両立している。(2022/4/28)

中堅技術者に贈る電子部品“徹底”活用講座(65):
半導体(6) ―― ゲート駆動回路の注意点
今回も引き続き、パワーMOSFETの使い方の失敗事例を紹介します。ただ、当時の日本ではどこも採用していなかったパワーMOSFETの使用方法に関するものですから厳密には失敗事例とはいえないかもしれません。(2022/4/26)

東芝 TPH9R00CQH:
低オン抵抗の150V耐圧NチャンネルパワーMOSFET
東芝デバイス&ストレージは、150V耐圧NチャンネルパワーMOSFET「TPH9R00CQH」の販売を開始した。オン抵抗が最大9.0mΩと低く、素子構造を最適化することでオン抵抗とゲートスイッチ電荷量、出力電荷量のトレードオフを改善している。(2022/4/25)

熱性能の改善なども:
EV急速充電器など向けの1200V耐圧SiC MOSFET、Infineon
Infineon Technologiesは2022年4月13日(ドイツ時間)、高い信頼性を損なうことなくスイッチング動作条件を拡張するなどした新しい1200V耐圧SiC(炭化ケイ素)MOSFET「CoolSiC MOSFET 1200 V M1H」シリーズを発表した。電気自動車(EV)急速充電器や太陽光発電システムなど幅広い産業用アプリケーションでの採用を狙う。同月20日、同社日本法人インフィニオン テクノロジーズ ジャパンが同製品についての説明を行った。(2022/4/22)

インフィニオン OptiMOS 5 25V/30V:
低オン抵抗の2×2mmPQFNパッケージパワーMOSFET
インフィニオン テクノロジーズは、パワーMOSFETの「OptiMOS 5 25V」「OptiMOS 5 30V」ファミリーを発表した。低いオン抵抗を特長とし、2×2mmPQFNパッケージの採用によりフットプリントを削減して、PCBの配線自由度を高める。(2022/4/5)

SiC採用のための電源回路シミュレーション(3):
SiCパワーMOSFETを採用した電源回路、配線レイアウトの考慮が高精度解析に不可欠
SiCパワーMOSFETを採用した電源回路の回路シミュレーションを実行する際は、設計したプリント基板の配線レイアウトを解析し、その寄生インダクタンスや寄生キャパシタンスを分布定数として高精度で抽出する必要がある。(2022/3/24)

ローム、600V耐圧R60xxVNxシリーズ:
パワーMOSFET、最速逆回復時間と低オン抵抗を両立
ロームは、耐圧600VのSuperJunction MOSFETとして、業界最速の逆回復時間と低オン抵抗を両立させた「R60xxVNxシリーズ」7機種を開発した。EV充電ステーション、サーバ、通信基地局などの電源回路や、エアコンなど白物家電のモーター駆動といった用途に向ける。(2022/3/22)

ビシェイ SiJH600E、SiJH800E:
低オン抵抗のNチャンネルTrenchFET MOSFET
ビシェイ・インターテクノロジーは、テレコムおよび産業向けに、低オン抵抗のNチャンネルTrenchFET MOSFET「SiJH600E」「SiJH800E」を発表した。電源、モーター駆動制御、バッテリー管理などの同期整流に適する。(2022/3/3)

東芝 TCK42xGシリーズ:
過電圧防止機能搭載のMOSFETゲートドライバIC
東芝デバイス&ストレージは、外部NチャンネルMOSFETのバックトゥバック接続に対応したMOSFETゲートドライバIC「TCK42xG」シリーズ第1弾として、20V電源ライン向け「TCK421G」の出荷を開始した。(2022/2/28)

ハイレベルマイコン講座【ホットキャリア編】:
ホットキャリアによるマイコンの不良
すでにマイコンを使い込まれている上級者向けの技術解説の連載「ハイレベルマイコン講座」。今回は、マイコン内のMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor:以下MOS)で生じる不良の1つ「ホットキャリア注入(Hot Carrier Injection:以下HCI)」について、その発生原因やマイコンに与える影響などを解説する。(2022/3/1)

SiC採用のための電源回路シミュレーション(2):
SiCパワーMOSFETのスイッチング特性、大電流/高電圧領域の測定で解析精度が向上
SiCパワーMOSFETのデバイスモデルの精度向上には、「大電流/高電圧領域のId-Vd特性」および「オン抵抗の温度依存性」を考慮しデバイスモデルに反映させることも重要となる。今回はこの2点に関する解説を行う。(2022/2/21)

東芝 TLX9160T:
最大阻止電圧1500Vの車載フォトリレー
東芝デバイス&ストレージは、車載フォトリレー「TLX9160T」の販売を開始した。高耐圧MOSFETを採用することで最大阻止電圧が1500Vに達し、バッテリー電圧1000Vまでの車載用途に適している。(2022/2/16)

IGBTとSiCパワーMOSFET向け:
ガルバニック絶縁型ゲートドライバーICを発表
STマイクロエレクトロニクスは、デュアルチャネルのガルバニック絶縁型ゲートドライバーICとして2製品を発表した。IGBT向け「STGAP2HD」と、SiC(炭化ケイ素)パワーMOSFET向け「STGAP2SICD」である。(2022/2/9)

耐圧1200V品と1700V品:
東芝、Dual SiC MOSFETモジュール2製品を発表
東芝デバイス&ストレージは、産業用機器向けにSiC(炭化ケイ素)MOSFETチップを搭載したDual SiC MOSFETモジュール2製品を発表した。(2022/1/28)

全ての負荷範囲で高い効率を実現:
サンケン電気、スイッチング電源用パワーICを量産
サンケン電気は、パワーMOSFETと電流モード型PWM制御ICを1パッケージに集積したPWM型スイッチング電源用パワーIC「STR6A153MVD」を開発、量産を始めた。(2022/1/26)

SiC採用のための電源回路シミュレーション(1):
SiCパワーMOSFETのデバイスモデル、オン時の容量考慮で精度が大幅向上
スイッチング動作が極めて高速なSiCパワーMOSFETを用いた電源回路設計では、回路シミュレーションの必要性に迫られることになるが、従来のモデリング手法を用いたデバイスモデルでは精度面で課題があった。本連載では、この課題解決に向けた技術や手法について紹介する。(2022/1/24)

STマイクロ 第3世代SiCパワーMOSFET:
次世代EVや産業向け第3世代SiCパワーMOSFET
STマイクロエレクトロニクスは、第3世代SiCパワーMOSFETを発表した。電力密度や電力効率、信頼性を必要とする車載用および産業用途に適する。(2022/1/21)

モノづくり最前線レポート:
独立分社する東芝デバイスカンパニーの成長をけん引するパワー半導体技術の実力
東芝デバイス&ストレージがパワー半導体技術について説明。東芝から独立分社するデバイスカンパニーの成長をけん引することが期待されているパワー半導体事業だが、低耐圧と高耐圧のMOSFETで業界トップの性能を実現しており、次世代パワー半導体として期待されているSiCデバイスやGaNデバイスの開発にも注力している。(2022/1/11)

オンセミ SUPERFET V:
サーバやテレコムの電源向け600V耐圧MOSFET
オンセミは、サーバやテレコムの電源向けに、優れたスイッチング特性と低ゲートノイズを提供する600V MOSFET「SUPERFET V」ファミリーを発表した。「80 PLUS Titanium」の要件を満たす電源を可能にする。(2021/12/22)

東芝 TLP5705H、TLP5702H:
ピーク出力電流が大きいIGBT/MOSFET駆動用フォトカプラー
東芝デバイス&ストレージは、IGBTおよびMOSFETのゲート駆動向けフォトカプラー「TLP5705H」「TLP5702H」の出荷を開始した。ピーク出力電流定格が大きく、従来品よりも薄型で容易に置き換えられる。(2021/12/16)

インフィニオン OptiMOS 6 100V:
高スイッチング周波数用途向け第6世代のMOSFET
インフィニオン テクノロジーズは、高スイッチング周波数アプリケーション向けMOSFET「OptiMOS 6 100V」ファミリーを発表した。伝導損失とスイッチング損失の低減を両立し、部品の並列化を最小限に抑える。(2021/12/6)

界面の欠陥低減と平たん性向上で:
SiC-MOSFETの性能が6〜80倍に、トレンチ型に応用可能
京都大学 大学院 工学研究科の木本恒暢教授、立木馨大博士後期課程学生らのグループは2021年10月27日、SiC半導体の課題である界面の欠陥を大幅に削減し、SiC-MOSFETの性能を6〜80倍に向上することに成功したと発表した。(2021/10/27)

UnitedSiCが9製品を新たに追加:
オン抵抗6mΩ品など耐圧750VのSiC FETを発表
米国UnitedSiCは、耐圧750Vでオン抵抗が6mΩと小さいSiC(炭化ケイ素)FETを発表した。競合するSiC MOSFET製品に比べオン抵抗は半分以下で、短絡保証時間定格は5マイクロ秒を実現している。(2021/9/15)

十数年ぶりに刷新!:
PR:進化し続ける“強い”汎用パワーMOSFET、価格性能比を徹底追及した新世代の「StrongIRFET」が登場
パワーMOSFETを十数年手掛けるインフィニオン テクノロジーズ。汎用パワーMOSFET「StrongIRFET」と、より用途に特化したパワーMOSFET「OptiMOS」を合わせると、耐圧20〜300Vの製品だけで2000種を超える。2021年3月には第2世代となるStrongIRFETが登場した。汎用パワーMOSFETとしての使い勝手の良さはそのままに、価格性能比を徹底的に追及。第1世代のStrongIRFETと高性能のOptiMOSのギャップを埋める、強力な汎用パワーMOSFETが、インフィニオンの製品群に加わった。(2021/9/6)

Nexperia PSMN4R2-80YSE、PSMN4R8-100YSE:
5G、48Vサーバに適した特定用途向けMOSFET
Nexperiaは、特定用途向けMOSFET(ASFET)として、80V耐圧の「PSMN4R2-80YSE」と100V耐圧の「PSMN4R8-100YSE」を発表した。同社の前世代品と比較して、安全動作領域を166%拡大した。(2021/8/25)

部品点数を半減、効率は30%向上:
3相MOSFETゲートドライバーICを発表、TRINAMIC
TRINAMIC Motion Controlは、ブラシレスDCモーターや永久磁石同期モーター(PMSM)に向けた3相MOSFETゲートドライバーIC「TMC6140-LA」を発表した。従来システムに比べ部品点数を半減し、電力効率を30%向上させることができるという。(2021/8/23)

マイクロチップ 1700V SiC MOSFET:
1700V SiC MOSFETのパワーソリューション
マイクロチップ・テクノロジーは、1700V SiC MOSFETのダイ、ディスクリートおよびパワーモジュールを発表した。同製品群をIGBTから置き換えることで、充電ステーションの小型化やバッテリー駆動車両の走行距離、動作時間の延長が可能になる。(2021/8/5)

2個のパワーMOSFETを搭載:
新電元工業、車載ECU向けLF Dualシリーズを開発
新電元工業は、車載用ECUに向けて1パッケージに2個のパワーMOSFETを搭載した「LF Dual」シリーズを開発した。既にサンプル出荷を始めていて、2021年12月から量産を行う。(2021/7/15)

耐圧40V/60Vの12製品を発売:
ローム、低オン抵抗のデュアルMOSFETを開発
ロームは2021年7月、24V入力に対応した低オン抵抗のデュアルMOSFET「QH8Mx5/SH8Mx5シリーズ(Nch+Pch)」を発表した。FA機器や基地局装置のファンモーター用途に向ける。(2021/7/2)

Qrr性能指数を平均で61%も低減:
Nexperia、80V/100V MOSFETを新ラインで製造
Nexperia(ネクスペリア)は、オン抵抗が小さく、逆回復電荷が低い耐圧80V/100VのシリコンMOSFETを発表した。新製品は英国マンチェスターの新たな8インチウエハーラインで製造する、初めての製品だという。(2021/6/29)

高温環境下で高信頼と電力損失低減:
東芝、SiC MOSFETのデバイス構造を最適化
東芝デバイス&ストレージは、SiC(炭化ケイ素)MOSFETの新たなデバイス構造を開発した。新構造を採用することで、高温環境下における素子の信頼性向上と電力損失の低減を実現した。(2021/6/25)

耐圧1700VのSiC MOSFETを内蔵:
ローム、面実装のAC-DCコンバーターICを開発
ロームは、耐圧1700VのSiC MOSFETを内蔵したAC-DCコンバーターIC「BM2SC12xFP2-LBZ」を開発し、サンプル出荷を始めた。面実装が可能な小型パッケージ(TO263-7L)で供給する。(2021/6/21)

オンセミ NXH010P120MNF1、NXH006P120MNF2:
EV充電向けのSiC MOSFETモジュール
オン・セミコンダクターは、EV充電ステーション向けの1200VフルSiC MOSFET 2パックモジュール「NXH010P120MNF1」「NXH006P120MNF2」を発表した。プレーナー技術を活用し、18〜20Vの駆動電圧に対応する。(2021/6/18)

ビシェイ SiSS52DN:
低オン抵抗の30V耐圧NチャンネルパワーMOSFET
ビシェイ・インターテクノロジーは、30V耐圧NチャンネルTrenchFET Gen VパワーMOSFET「SiSS52DN」を発表した。絶縁、非絶縁型トポロジー向けに高電力密度と高効率を提供する。(2021/6/14)

Nexperia BUK7S0R5-40H、PSMNR55-40SSH:
低オン抵抗、高電力密度の40V MOSFET
Nexperiaは、40VパワーMOSFETの新製品として、車載向けの「BUK7S0R5-40H」と産業機器向けの「PSMNR55-40SSH」を発表した。オン抵抗が0.55mΩと低く、電力密度も向上している。(2021/6/9)

縦型MOSFETとCMOSを1チップに:
産総研、SiCモノリシックパワーICの開発に成功
産業技術総合研究所(産総研)は、SiC(炭化ケイ素)半導体を用い、縦型MOSFETとCMOS駆動回路をワンチップに集積したSiCモノリシックパワーICを開発、そのスイッチング動作を確認した。SiCモノリシックパワーICを実現したのは世界で初めてという。(2021/6/2)

インフィニオン FF11MR12W1M1_B70、FF6MR12W2M1_B70:
窒化アルミニウム採用のSiC MOSFET
インフィニオン テクノロジーズは、1200VファミリーのEasyDUAL CoolSiC MOSFETモジュールに、窒化アルミニウムセラミックを採用した「FF11MR12W1M1_B70」「FF6MR12W2M1_B70」を追加した。(2021/5/24)

航続距離を5%以上伸ばせる:
EVのインバーター向けSiC-MOSFETパワーモジュール
Infineon Technologiesの日本法人インフィニオン テクノロジーズ ジャパンは2021年5月19日、電気自動車(EV)やハイブリッド自動車(HEV)といった電動車両のトラクションインバーター向けに、SiC-MOSFETを搭載したパワーモジュール「HybridPACK Drive CoolSiC」を発表した。(2021/5/21)

ビシェイ SQJA81EP:
車載グレードの80V PチャンネルMOSFET
ビシェイ・インターテクノロジーは、車載用規格「AEC-Q101」に準拠した80VのPチャンネルMOSFET「SQJA81EP」を発表した。10Vでのオン抵抗が前世代品と比較して31%低く、この低オン抵抗によって導通時の電力損失を抑え、電力密度を高める。(2021/4/20)

工場ニュース:
東芝、生産能力増強に向け300mmウエハー対応製造ラインを導入
東芝デバイス&ストレージは、300mmウエハー対応製造ラインを加賀東芝エレクトロニクス構内に導入すると発表した。導入により、低耐圧MOSFETやIGBTの生産能力を増強する。(2021/3/31)

東芝 DTMOSVIシリーズ:
650V耐圧のスーパージャンクションパワーMOSFET
東芝デバイス&ストレージは、650V耐圧のスーパージャンクションパワーMOSFET「DTMOSVI」シリーズの量産出荷を開始した。薄型かつ小型の表面実装TOLLパッケージを採用し、従来から約27%実装面積を縮小している。(2021/3/24)


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にわかに地球規模のトピックとなった新型コロナウイルス。健康被害も心配だが、全国規模での臨時休校、マスクやトイレットペーパーの品薄など市民の日常生活への影響も大きくなっている。これに対し企業からの支援策の発表も相次いでいるが、特に今回は子供向けのコンテンツの無料提供の動きが顕著なようだ。一方産業面では、観光や小売、飲食業等が特に大きな影響を受けている。通常の企業運営においても面会や通勤の場がリスク視され、サーモグラフィやWeb会議ツールの活用、テレワークの実現などテクノロジーによるリスク回避策への注目が高まっている。