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» 2022年11月17日 13時00分 公開

次世代半導体製造工程向け、6μmの極微細レーザー穴あけ加工技術を開発FAニュース

三菱電機ら4法人は、次世代半導体製造工程向けの極微細レーザー穴あけ加工技術を開発した。パッケージ基板へ6μm以下の穴あけ加工が可能になり、次世代半導体のさらなる微細化への貢献が期待できる。

[MONOist]

 三菱電機は2022年10月24日、次世代半導体製造工程向けの極微細レーザー穴あけ加工技術を開発したと発表した。東京大学が運用している「TACMIコンソーシアム」において、三菱電機、味の素ファインテクノ、スペクトロニクスが連携した成果だ。

 次世代の半導体製造工程では、パッケージ基板に径10μm以下の穴あけ加工が必要になるが、実際の製造に耐える技術開発が課題となっていた。今回の成果では、6μm以下のレーザー穴あけ加工技術を開発し、高い品質と生産性を維持できることを実証した。

 パッケージ基板のビルドアップ工法には、味の素ファインテクノが製造するABF(味の素ビルドアップフィルム)が広く使われている。このABFに対し、スペクトロニクスが開発した波長266nm、パルス幅ピコ秒の深紫外短パルスレーザーを、三菱電機が次世代レーザープロセス用開発機に組み込み、東京大学のレーザー加工プロセスのCPS(サイバーフィジカルシステム)化技術を活用して、6μm以下の穴をあけることに成功した。

キャプション 4法人の技術を集結して開発[クリックで拡大] 出所:三菱電機
キャプション 6μm以下の穴あけに成功(青丸は40μm穴に相当するサイズ) 出所:三菱電機

 開発した技術では、6μm以下の微細穴を1秒に数千個あけることができ、高品位加工用のパラメーターにより、6μmの直径でのテーパー度(上面の穴径と下面の穴径の比)が品質基準値の75%を満たすなど、次世代半導体製造パッケージ基板への要求に十分に応えられる。

 同技術は、微細化する半導体、複雑化するチップレット技術への適用をはじめ、消費電力の削減やポスト5G、EV(電気自動車)対応などへの貢献が期待される。4法人は、次世代半導体産業における日本の競争力強化を目指し、今後も連携を続け、半導体パッケージ基板のさらなる微細化や高品位化を進めていく。

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