パナソニックがスマホ向けパワーデバイスを小型化、実装面積は3分の1以下に：ET2012

パナソニックは、ET2012で、MOSFETやショットキーバリアダイオード（SBD）などのパワーデバイス向けに新た開発したパッケージ技術「PMCP（Power Mount CSP）」を展示した。実装面積を従来比で70％削減しながら、放熱特性も向上できるという。

[朴尚洙，MONOist]

　パナソニックは、「Embedded Technology 2012/組込み総合技術展（ET2012）」（2012年11月14〜16日、パシフィコ横浜）において、MOSFETやショットキーバリアダイオード（SBD）などのパワーデバイス向けに新た開発したパッケージ技術「PMCP（Power Mount CSP）」を展示した。小型化や放熱特性の向上が求められているスマートフォンやタブレット端末、ノートPC向けの製品への適用を始めている。

　PMCPは、MOSFETやSBDのダイをCSP（Chip Scale Package）でパッケージングした半導体チップの上側の端子に、銅クリップタイプのリードフレームを接着したパッケージである。同社の既存のパワーデバイス向けパッケージ（HSSO8）で使用している、樹脂モールドやリードフレーム、ボンディグワイヤーが不要になり、大幅な小型化が実現できるという。

「PMCP」の概要。パッケージの大幅な小型化とともに、放熱特性も向上できる。（クリックで拡大） 出典：パナソニック

　2012年10月から量産中のPMCPを用いたMOSFETは、外形寸法が1.6×1.8×0.33mm。これに対して、既存のHSSO8を用いたMOSFETは3.1×3.1×0.85mmである。つまり、実装面積が70％、高さが61％、占有体積が88％削減されていることになる。

HSSO8（左）と「PMCP」を適用したMOSFETのサイズ比較（クリックで拡大）

　さらに、半導体チップからの放熱についても、銅クリップから空気中に放熱できるので、開発中の機器の熱設計に余裕を持たせられるという。

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