「ダイオード」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

京都大学 工学研究科 教授 木本恒暢氏：
SiCの20年　ウエハーは「中国が世界一」に、日本の強みは何か
次世代パワー半導体材料として注目度が高まる炭化ケイ素（SiC）。SiCパワーデバイスの研究開発は2000年代以降、飛躍的に進展してきた。SiCのこれまでの研究開発やパワーデバイス実用化の道のり、さらなる活用に向けた今後の課題について、京都大学 工学研究科 教授 木本恒暢氏に聞いた。（2025/9/29）

920MHz帯で電力変換効率は5.2％：
有機半導体によるUHF帯整流ダイオードを開発、東大ら
東京大学と物質・材料研究機構（NIMS）、岡山大学、ジョージア工科大学および、コロラド大学ボルダー校の国際共同研究グループは、有機半導体を用い周波数920MHz（UHF帯）の交流電力を、5.2％という高い効率で直流電力に変換できる「整流ダイオード」を開発した。IoT向け無線通信などへの応用を視野に入れる。（2025/9/25）

福田昭のデバイス通信（503） EETimes Japan 20周年記念寄稿（その4）：
創刊前の20年間（1985年〜2005年）で最も驚いたこと：「高輝度青色発光ダイオード」（後編）
前回に続き、20周年記念寄稿として発光ダイオード（LED）、特に「高輝度青色発光ダイオード」に焦点を当てます。高輝度青色LEDの誕生に至る「低温バッファ層」技術の偶然と必然、研究者の挑戦と快進撃を振り返ります。（2025/9/26）

DCグリッドの安全性を担う：
PR：DC遮断を次世代へ導く――インフィニオンが「CoolSiC」ブランド初のJFETを投入
エネルギー損失が少ない送電／配電網として、注目度が高まっている直流（DC）グリッド。この次世代のグリッドではDC電流をいかに高速に遮断できるかが重要になる。そこで脚光を浴び始めているのが炭化ケイ素（SiC）JFETだ。なぜSiC JFETがDC電流遮断に向くのか。SiCデバイスを長年手掛けるインフィニオン テクノロジーズが解説する。（2025/9/25）

次世代LEDや太陽電池向けに：
室温で紫〜橙色に光るp型／n型半導体を実現、東京科学大
東京科学大の研究チームは、考案した独自の設計指針に基づき、p型／n型半導体特性や光学特性を広範囲に制御できる材料を開発した。開発したスピネル型硫化物は、高効率の緑色LEDや太陽電池に向けた新材料として有用であることを実証した。（2025/9/24）

蓄電・発電機器：
マグネシウム蓄電池向け正極材を新開発、室温で200回以上の充放電に成功
東北大学の研究グループと物質・材料研究機構（NIMS）が、マグネシウム蓄電池向けた酸化物正極材料を開発。これを用いて試作した電池で、室温環境下で200回以上の繰り返し充放電ができることを確認したという。（2025/9/22）

生成AIに関心集まる：
欧州家電市場から脱落する日本メーカー──主役は韓国・中国製に
欧州最大の家電・IT見本市「IFA」。現地を取材したIT分野の調査・コンサルティング会社、MM総研の関口和一代表取締役所長がレポートする。（2025/9/22）

非晶質の酸化物正極材料を開発：
室温で作動する高起電力マグネシウム蓄電池、東北大が試作
東北大学の研究グループは、物質・材料研究機構（NIMS）と共同で、マグネシウム蓄電池（RMB）に向けた非晶質の酸化物正極材料を開発した。これを用いて試作したRMBは、室温で200回以上も繰り返し充放電ができることを確認した。（2025/9/19）

単線用、二線用の2種類：
低熱抵抗の車載向けESD保護ダイオード、ビシェイ
ビシェイ・インターテクノロジーは、SOT-23パッケージを採用した、車載グレードのESD保護ダイオードを発表した。単線用「VGSOTxx」シリーズと二線用「VGSOTxxC」シリーズの2種で、動作電圧は3.3〜36Vに対応する。（2025/9/18）

福田昭のデバイス通信（502） EETimes Japan 20周年記念寄稿（その3）：
創刊前の20年間（1985年〜2005年）で最も驚いたこと：「高輝度青色発光ダイオード」（前編）
今回は、20周年記念寄稿として発光ダイオード（LED）、特に「高輝度青色発光ダイオード」に焦点を当てます。青色LED開発のブレークスルーを紹介します。（2025/9/17）

インバーター基板の小型化を可能に：
実装面積を削減できるパワー半導体モジュール、三菱電機
三菱電機は、パワー半導体モジュール「Compact DIPPM」シリーズとして2製品を開発、サンプル出荷を始める。従来製品に比べモジュールの床面積を約53％に縮小した。パッケージエアコンなどに搭載されるインバーター基板を小型化できる。（2025/9/12）

モノづくり総合版メルマガ 編集後記：
面発光レーザー技術にドラマあり、開発者が語る実用化への道筋
「プロジェクトX」のような話でした。（2025/9/11）

温度精度±1.0℃、電圧精度±1.5％：
2nm対応の電圧／温度センサー　AIや車載向け
イスラエルproteanTecsは、2nmプロセスノードに対応したVDDコア専用LVTS（Local Voltage and Thermal Sensor）を発表した。高い精度と統合性を実現した電圧・温度センサーとして、次世代AIやクラウド、自動車などの用途に提案していく。（2025/9/12）

名古屋大学 天野浩氏が技術顧問：
AlN適用のUV-Cレーザーダイオード実用化へ　旭化成がULTEC設立
旭化成は、旭化成発スピンアウトベンチャー「ULTEC（ウルテック）」を設立した。窒化アルミニウム（AlN）を用いた超ワイドギャップ半導体技術をベースに、名古屋大学の天野・本田研究室と共同研究してきた「深紫外線レーザーダイオード（UV-C LD）」などの早期実用化と市場拡大を目指す。（2025/8/27）

製造マネジメントニュース：
旭化成発のスピンアウトベンチャーがUV-C LD市場拡大に挑む、ノーベル賞学者も参加
旭化成発のスピンアウトベンチャーが設立された。その名は「ULTEC」。同社は、ノーベル賞受賞者である天野浩氏の協力のもと、窒化アルミニウムを用いたウルトラワイドギャップ半導体技術を基盤に、紫外線レーザーダイオードなどの開発／事業化を進める。（2025/8/27）

TIが性能向上とコスト低減にまい進：
PR：データセンター省エネ化の立役者になるか　GaNデバイスがサーバ用電源を変える
小型で高効率な電源システムを実現できるGaNパワーデバイスの採用領域は、データセンターや自動車に広がりつつある。特に省電力が喫緊の課題となっているデータセンターでは、GaNに大きな期待が寄せられている。日本テキサス・インスツルメンツは、2025年7月に開催された「TECHNO-FRONTIER」で登壇し、データセンターにおけるGaNの活用について語った。（2025/8/25）

過酷な電気環境下でも保護可能：
クランピング電圧を15％低減したTVSダイオード、リテルヒューズ
リテルヒューズは、DC電源ラインの過電圧過渡保護向けTVSダイオード「5.0SMDJ-FB」シリーズを発表した。同社従来品と比較して、クランピング電圧が最大15％低減している。（2025/8/22）

IV族混晶半導体のみでDBSを形成：
室温動作の共鳴トンネルダイオードを試作
名古屋大学は、IV族混晶半導体のみで高品質の二重障壁構造（DBS）を形成する技術を開発した。この技術を用い、テラヘルツ（THz）発振に必要な共鳴トンネルダイオード（RTD）を試作し、室温（300K）での動作実証に成功した。（2025/8/22）

クイズで学ぶ！　半導体／電子部品の基礎知識：
【問題】極性を持つ電子部品は？
EDN Japanの記事からクイズを出題！　半導体／エレクトロニクス技術の知識を楽しく増やしていきましょう。今回の問題は「電子部品の極性」についてです。（2025/8/15）

2in1モジュールも開発：
RC-IGBTとSiC、ダイでもモジュールでも 東芝の車載パワー半導体
東芝の欧州現地法人であるToshiba Electronics Europeは、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo&Conference 2025」で、逆導通IGBT（RC-IGBT）搭載の2in1両面冷却モジュールや2in1のSiCモジュールのサンプルおよび、それぞれのベアダイなどの電動車（xEV）インバーター向け製品を公開。この市場をフルラインアップで攻める姿勢を示していた。（2025/8/7）

「世界最小パッケージ」1200V SBDで攻める：
タイワン・セミコンダクターがSiCパワー半導体市場に参入、その狙いは
Taiwan Semiconductorが、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体事業に参入。1200V耐圧品としては「世界最小パッケージ」（同社）となるSiCショットキーバリアダイオード（SBD）製品群を販売開始した。TSCのプロダクトマーケティング担当バイスプレジデントを務めるSam Wang氏に話を聞いた。（2025/8/6）

研究開発の最前線：
イオン注入によりr-GeO2半導体にn型導電性を付与することに成功
Patentixは、イオン注入により、r-GeO2に対してn型導電性を付与することに成功した。r-GeO2は、p型、n型の両方の導電制御を可能とする次世代パワー半導体材料だ。（2025/8/5）

従来比で効率向上、ノイズ低減：
保護機能充実　白物家電向けの高圧3相モーター用ドライバー、サンケン電気
サンケン電気は、白物家電向けの高圧3相モーター用ドライバー「SCM127xMB」シリーズを発表した。出力素子、プリドライバー、制限抵抗付きのブートストラップダイオードを1パッケージに統合している。（2025/8/4）

たった2つの式で始めるDC/DCコンバーターの設計（19）：
反転形DC/DCコンバーターの設計（5）連続モードのリップル電圧計算
今回はチョーク電流連続でキャパシターへの充電期間tcがtc＝toffとなるMode I動作時のリップル電圧とキャパシターに流れるリップル電流の計算の仕方について説明していきます。（2025/7/28）

Wired, Weird：
CEマーキングの亡霊　懸念されるPFC電源の焼損事故
知人からPFC電源の焼損の相談があった。半導体工場で装置の電源部品の焼損事故が発生して、装置内に煙が充満したようだ。今回、その原因や対策を紹介する。（2025/7/24）

福田昭のデバイス通信（501） EETimes Japan 20周年記念寄稿（その2）：
創刊前の20年間（1985年〜2005年）で最も驚いたこと：「高温超伝導フィーバー」
EE Times Japan 創刊20周年を記念した特別寄稿。本稿では、40年以上にわたり半導体技術／電子技術を見守り、フリーの技術ジャーナリストとして活躍されている福田昭氏が、1980年代の「高温超伝導フィーバー」を振り返ります。（2025/7/9）

50Aの大電流対応：
順方向降下電圧40％低減、車載オルタネーター用ダイオード　サンケン電気
サンケン電気は、車載オルタネーター用ダイオード「SG-K17VLEFGR」「SG-K17VLEFGS」の量産を開始した。両製品は極性が逆で、組み合わせて使用することでブリッジ回路を省スペースで構成できる。（2025/7/8）

MOSFETでノーマリーオフ10A超の動作：
最大の壁、p層を克服！酸化ガリウムでFLOSFIAが達成した「世界初」
FLOSFIAが、「世界で初めて」（同社）酸化ガリウム（α-Ga2O3）MOSFETでノーマリーオフ特性を有する10A超の大電流動作を実現した。酸化ガリウムパワー半導体開発において、最大の課題とされてきた「p層」（導電型p型半導体層）の改良に成功した。（2025/7/2）

名古屋にも拠点設立：
自動車48V化に対応　日本のMOSFET市場に本格参入する台湾セミコンダクター
Taiwan Semiconductorは日本のMOSFET市場に本格参入すると発表し、「PerFET80Vシリーズ」「PerFET100Vシリーズ」の販売を開始した。発表に合わせて同社は日本のメディア向けに説明会を開催した。（2025/6/27）

福田昭のデバイス通信（500） EETimes Japan 20周年記念寄稿（その1）：
創刊前の20年間（1985年〜2005年）で最も驚いたこと：1985年の「不可能」二題
EE Times Japan 創刊20周年に合わせて、半導体業界を長年見てきたジャーナリストの皆さまや、EE Times Japanで記事を執筆していただいている方からの特別寄稿を掲載しています。今回は、40年以上にわたり半導体技術／電子技術を見守り、フリーの技術ジャーナリストとして活躍されている福田昭氏にご寄稿いただきます。EE Times Japan創刊からさらに20年さかのぼり、1985年の話からスタートします。（2025/6/25）

6Gなどに向け2026年の量産目指す：
フォトダイオードをSiC上に接合、高出力テラヘルツデバイスを実現
OKIとNTTイノベーティブデバイスは共同で、異種材料接合によって高出力テラヘルツデバイスを高い歩留まりで量産できる技術を確立した。この技術を用い、6Gや非破壊センシングに用いられるテラヘルツデバイスの量産を2026年より始める。（2025/6/11）

人とくるまのテクノロジー展2025レポート：
「人とくるまのテクノロジー展2025」に見るカーエレクトロニクスの進化
クルマの電子化および電動化を背景にカーエレクトロニクスの進化が著しい。「人とくるまのテクノロジー展2025 YOKOHAMA」でも多くの半導体／電子部品メーカーが出展し、カーエレクトロニクス関連のさまざまな提案を行っていた。（2025/6/9）

高サージにも対応：
小型のまま1600V耐圧に　新電元の民生機器向けダイオード
新電元工業は、高電圧対応の面実装パッケージ「CGパッケージ」を開発した。第1弾製品として、外形寸法は従来品と同じで端子間距離を5.6mmに拡大した民生機器向けダイオード「D3CG160V」を発売する。（2025/6/4）

知財ニュース：
全国発明表彰で、旭化成の電極長寿命化技術が「恩賜発明賞」受賞
発明協会は、令和7年度（2025年度）全国発明表彰の受賞者を発表した。最も優れた発明に贈られる「恩賜発明賞」には、旭化成の船川明恭氏および蜂谷敏徳氏による「ニッケルを用いた電極長寿命化技術」が選ばれた。（2025/5/30）

暗色カバーガラス背面にも設置可能：
AEC-Q100準拠の高分解能照度センサー、ビシェイ
ビシェイ・インターテクノロジーは、AEC-Q100準拠の照度センサー「VEML4031X00」を発表した。ALSおよび高感度IRフォトダイオードを内蔵し、光源の識別も可能だ。（2025/5/29）

AIインフラ向けなどに取り組む：
InGaAsを300mmウエハー上で　量子ドットレーザーで気を吐く新興
米スタートアップのAelumaが、短波長赤外（SWIR）センサーや量子ドットレーザーの分野で革新を起こそうとしている。300mmウエハーを用いたシリコンフォトニクス技術と融合し、これまでは特殊な分野でしか用いられてこなかったSWIRセンサー／量子ドットレーザーを、民生機器などにも広げようとしている。（2025/5/28）

たった2つの式で始めるDC/DCコンバーターの設計（17）：
反転形DC/DCコンバーターの設計（3）主要半導体部品の要求仕様
反転形DC/DCコンバーターで使用する主要部品の要求仕様について検討します。今回は入出力仕様からチョークの仕様を決めていきます。（2025/5/29）

25億円で、26年1月予定：
「成長の起爆剤に」新電元が京セラのパワー半導体事業買収へ
新電元工業（以下、新電元）が京セラのパワー半導体事業を買収する。京セラが2025年10月に新会社を設立して同事業を移管、この新会社の株式を新電元が2026年1月に25億円で買収する計画だ。新電元は買収による製品ラインアップ拡充および、新たな製品／研究開発の加速などによって、シェア拡大と競争力強化を狙う。（2025/5/21）

今岡通博の俺流！組み込み用語解説（13）：
「コイル」は受動素子ナンバーワンの不思議ちゃん
今岡通博氏による、組み込み開発に新しく関わることになった読者に向けた組み込み用語解説の連載コラム。第13回は、受動素子ナンバーワンの不思議ちゃんである「コイル」を紹介する。（2025/5/19）

ボルテックスのピン止め効果が起源：
強磁場で超伝導ダイオード効果を示す素子を開発
大阪大学と東北大学の共同研究グループは、鉄系超伝導体であるセレン化・テルル化鉄「Fe（Se,Te）」を用いた薄膜素子を作製し、1〜15テスラという強い磁場中で、「超伝導ダイオード効果」を観測した。（2025/5/16）

組み込み開発ニュース：
世界初となるショットキーダイオード内蔵の産業用GaNパワートランジスタ
Infineon Technologiesは、ショットキーダイオード内蔵の産業用GaNトランジスタとしては世界初となる「CoolGaNトランジスタG5」ファミリーを発表した。デッドタイム損失を低減し、システムの高効率化に寄与する。（2025/5/13）

31か国から650社／団体以上が出展：
世界最大規模のパワエレ展示会「PCIM」が開幕
世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo＆Conference」が、ドイツ・ニュルンベルクで開幕。31カ国から集まった650以上の企業／団体がパワーエレクトロニクス分野の最新技術を紹介している。（2025/5/7）

マテリアルズインフォマティクス：
半導体薄膜の材料分析にAIを活用　原料ガス量の自動提案に成功
NTTは半導体物性の知識を用いたベイズ最適化手法を活用し目的とする組成の結晶を成膜するための原料ガス量を自動提案するエンジンを開発したと発表した。（2025/5/7）

たった2つの式で始めるDC/DCコンバーターの設計（16）：
反転形DC/DCコンバーターの設計（2）部品の定格
今回は反転形コンバーターに使用する部品の定格の要点について説明、検討していきます。（2025/4/25）

濃色カバーガラスにも対応：
AEC-Q100認定のRGB-IRカラーセンサー、ビシェイ
ビシェイ・インターテクノロジーは、自動車グレード対応「AEC-Q100」認定RGB-IRカラーセンサー「VEML6046X00」を発表した。高感度フォトダイオード、低ノイズアンプ、16ビットA-Dコンバーターを搭載している。（2025/4/24）

従来比10倍で光を検知可能：
AI演算高速化に「磁気」で勝負、TDKが光検知素子を開発
TDKは、高速で光を検知できる独自の素子「Spin Photo Detector（スピンフォトディテクター）」を開発し、原理実証に成功した。小型の光トランシーバーを実現できる可能性があり、今後AIデータセンターでの導入が必要とされる光電融合分野に適用できる技術だとする。（2025/4/23）

大型産業機器向け：
耐圧3.3kVのパワー半導体、スイッチング損失を15％減　三菱電機
三菱電機は、鉄道車両などの大型産業機器向け大容量パワー半導体「HVIGBTモジュールXBシリーズ」の新製品として耐電圧3.3kV、定格電流1500Aタイプを発売する。（2025/4/23）

産業向けに：
ショットキーダイオード内蔵GaNパワートランジスタ、Infineonが開発
　Infineon Technologiesが、「世界初」（同社）となる、ショットキーダイオード内蔵の産業用GaNパワートランジスタ「CoolGaN Transistors G5」ファミリーを開発した。デッドタイム損失を低減することで電力システムの性能を向上し、システム全体の高効率化を進めると同時に、パワーステージ設計簡素化による部品表（BOM）コスト低減も実現するとしている。（2025/4/14）

理想に近い整流特性と低オン抵抗：
ルチル型二酸化ゲルマニウムによる初の縦型SBD開発
京都工芸繊維大学らの研究グループは、超ワイドバンドギャップ半導体の「ルチル型二酸化ゲルマニウム」を用いた「縦型ショットキーバリアダイオード（SBD）」の開発に初めて成功した。作製したSBDは、理想に近いダイオード特性と低オン抵抗であることを確認した。（2025/4/9）

研究開発の最前線：
データ駆動型レーザー加工技術　ガラス表面ナノ加工時の欠損率を30分の1に
産業技術総合研究所は、レーザー加工により、ガラス表面に低欠損でナノメートルサイズの周期構造を形成するデータ駆動型レーザー加工技術を開発した。ガラス表面へのナノ加工時の欠損率を従来法の約30分の1に低減している。（2025/4/7）