　半導体の需要動向については、今後の市場成長はAI技術によって進展するという予測を示した。ASMLの分析によれば、2021年から2030年までの10年間において、従来のメモリや計算用途などの非AI分野における年平均成長率は6～7％程度にとどまる。一方で、AI関連分野の半導体市場は年率20％を超える成長が予測されている。内訳としては、大容量データのやりとりを担うAIメモリ分野が年平均24～28％、複雑な処理を担うAI計算分野が年平均約22％の成長を見込んでおり、半導体産業全体をけん引していく予想である。

ASMLによる今後10年間の市場予測［クリックで拡大］出所：ASMLジャパン

　増加する計算需要と消費電力の課題を解決するためには、半導体の微細化と露光装置の進化が不可欠である。露光光源の波長は436nmのG線から徐々に短縮されており、現在、最先端半導体に使われている極端紫外線（EUV）の波長は13.5nmである。ASMLジャパンテクニカルマーケティングディレクターの永原誠司氏は技術の進展について、「露光波長が短くなるほど微細化が進む。現在では最先端のEUVが世界の最先端半導体の製造に使われている」と説明した。

ASMLの露光技術の歴史［クリックで拡大］出所：ASMLジャパン

　現在量産で使用されているEUV露光装置のNA（開口数）は0.33であり、解像度は13nmである。永原氏によると、これは「文字に置き換えると、切手ほどの大きさにWikipediaの全文と地域の図書館の蔵書を収められる程度」だという。ASMLはさらなる微細化に向け、今後10年でNAを0.55に高めた「High-NA EUV」への移行により、8nmの解像度実現を目指している。

EUV製品ロードマップ［クリックで拡大］出所：ASMLジャパン

　生産性の面でも、0.33NAのシステムにおいて1時間当たり160～260枚以上、0.55NAのシステムでは段階的に210枚以上のウェーハ処理能力を目標に置いている。2030年代に向けては、ロジック半導体の1.4nm、1.0nm、0.7nmノードへの拡張を見据え、メタルピッチの縮小や新しいレジスト材料に対応するための開発を進める方針である。

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