　本技術をALDプロセスに適用してゲート酸化膜の一種である酸化ハフニウム（HfO₂）膜を形成したところ、従来のオゾンガスのみを用いた場合と比較して、膜内の炭素や窒素などの不純物を約100分の1に低減できた。これにより、リーク電流による半導体素子の誤動作や消費電力の増大を抑えるための絶縁特性向上が見込める。

（左）事前混合、HfO2膜内残留量の比較出所：明電舎

　本技術は150℃以上の温度域における半導体製造プロセスで利用可能だ。既存のALD装置に対しては、濃度80vol％以上の高濃度で純度が高いピュアオゾンガスを供給するピュアオゾンジェネレーターと、簡易なガス配管機構を追加するだけで導入できる。

　近年のAI（人工知能）や高度情報処理の進展に伴い半導体の高性能化と高集積化が進む中、絶縁性を維持した薄膜化が課題となっていた。同社は今後、半導体デバイスへの適用検証を進めて量産プロセスへの導入を目指すほか、HfO₂以外の先端半導体材料への応用も検討していく。

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