　マスクの複雑な回路パターンに素早く均一に充填するため、ナノメートルレベルの回路パターンを短時間で忠実に転写、形成できる。優れた離型性も備え、UV照射による硬化後にマスクを高速で剥がしても、レジストに転写された回路パターンに欠損が生じない。スループット向上と低欠陥による歩留まり改善により、先端半導体製造のコスト低減と省電力化に貢献する。

　また、インクジェット方式で最適な液滴量をウエハー表面に塗布できる処方設計により、現在の製造プロセスで用いられるスピンコート法に比べてレジスト使用量を約100分の1に削減できる。環境や生態系への影響懸念から、使用規制の動きが進む有機フッ素化合物（PFAS）も含んでいない。

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