　従来のパッケージング工程では、ウエハーの切断を行った後に取り出した半導体チップを基板に固定して、ワイヤ接続や樹脂封止などを行うのに対し、WLCSPはウエハー上でこうしたパッケージ処理を実施して、最終的にウエハーを切断した後、基板に直接チップを実装する。これにより、チップの大きさがそのままパッケージとなり、小型化／軽量化を実現できることから、スマートフォンやPCにもWLCSPの技術が採用されている。

　WLCSPは構造上、基板接続用の電極として突起状のバンプが形成されており、熱による変形や応力などの負荷が掛かると、この部分にクラック（亀裂）が生じる。そこで、リンテックでは突起状の電極を樹脂で保護することでこれを抑制し、半導体チップの耐久性や信頼性を向上させるバンプ保護フィルムを開発した。

　今回のバンプ保護フィルムは、温度によって樹脂の粘度が変化する設計になっており、バンプを形成した回路面に加熱しながら貼り付けることで、空気が入ることなく凹凸面に追従させることが可能だ。このフィルムはバックグラインド（ウエハー裏面を研削し、薄型化する）工程の際に表面を保護し、研削水／研削くずの浸入による回路面の汚染を防ぐ機能も兼ね備えている。

　バックグラインド工程の後、このフィルムの表層を剥がすとバンプを保護する樹脂のみが残る仕様になっている。新たな装置の導入や製造プロセスの変更を必要とせず、フィルム自体はバンプの形状や大きさの違いに応じたカスタマイズにも対応している。

左から、バンプ保護フィルムと半導体ウエハー、半導体チップの断面図、半導体チップの断面図（バンプ保護フィルムの貼付イメージ）　出典：リンテック

半導体の製造プロセス（後工程）と同社のバンプ保護フィルム　出典：リンテック

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