パワー半導体量産へ前進！ 6インチSiウエハー上にr-GeO2の成膜に成功：材料技術

Patentixは、6インチ基板対応の成膜装置を新たに開発し、次世代パワー半導体材料のルチル型二酸化ゲルマニウム薄膜を6インチSiウエハー上へ成膜することに成功した。

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　Patentixは2026年5月13日、ジェイテクトサーモシステムと共同で、6インチ基板対応の成膜装置を新たに開発したと発表した。同装置を用いて、次世代パワー半導体材料のルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO₂）薄膜を6インチSiウエハー上へ成膜することに成功した。

6インチSiウエハー上のr-GeO2薄膜［クリックで拡大］ 出所：Patentix

　同社は基板の大口径化に対応するため、大口径基板での成膜に適した成膜手法として「チムニー法」を開発している。この手法を用いて、ジェイテクトサーモシステムと共同で6インチ基板対応成膜装置の開発、製造を進めてきた。

　今回、同装置を用いて、6インチSiウエハー上へのr-GeO₂薄膜の成膜に成功。Si基板上のr-GeO₂膜は表面が滑らかで、鏡面となっている。基板面内に目立った干渉縞はなく、比較的均一な膜厚分布での成膜に成功したと考えられる。

　同社はこれまでに、r-GeO₂の成膜に適した「PhantomSVD法」を開発しているが、成膜は最大20mm角サイズの小片基板上に限定されていた。新開発の成膜装置により、パワーデバイスの量産に必要な6インチ（152.4mm）サイズの基板の実用化に向けて大きく前進した。早期市場投入に向けてr-GeO₂膜の高品質化に取り組み、2027年にはサンプルの試作を目指すとしている。

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