　新製品のサイズは、基板が1×1～30×30mm、ウエハーが1インチ、厚さは0.03～4mmとなる。結晶面は（100）、（110）、（111）面で、指定のない場合は3度のオフ角を有する。なお、（110）、（111）面はサイズが限定される。熱伝導率は2000W/m・Kで、従来の基板と同じように扱える。

　ダイヤモンドは優れた半導体特性を持ち、大電力制御用パワーデバイスや高周波高出力デバイスへの適用が期待される。同社はダイヤモンド単結晶の大型化に取り組んでおり、2025年4月に1インチウエハーを製品化。しかし、これまで製品化したダイヤモンド単結晶の多くは、窒素含有量が最大8ppmだった。

　今回、デバイス開発で多く利用される（100）基板でも、窒素含有量0.5ppm以下を達成。窒素含有量が多いと応用範囲が限定される場合もあり、低窒素基板とウエハーを製品化したことで、市場ニーズに対応する。

　新製品は、従来品と同様にパワーデバイスや高周波デバイスなどに対応する。窒素含有量が少ないことから疑似n型としての特性は低下するが、耐電圧特性は従来品と同等だ。また、500nm以下の波長で透過率が向上しており、光学部品として使用する場合は青色光と紫外光の透過性が改善している。

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