AIやデータセンター向け用途での採用拡大を背景に、半導体の3次元積層構造の採用が進む中、微細な回路形成を可能にする「クライオエッチング」が注目されている。そこで、レゾナックはこの先端技術に必要な高純度フッ化水素ガスの需要増に対応するため、徳山事業所での新規製造を決定した。
レゾナックは2026年6月25日、徳山事業所(山口県周南市)で、半導体回路のエッチング工程に使用される「高純度フッ化水素ガス(HFガス)」の製造を2026年内に新たに開始し、川崎事業所(神奈川県川崎市)と合わせた国内2拠点体制にする予定だと発表した。
HFガスは、半導体の微細な回路を高精度に加工する「クライオエッチング」をはじめとする先端技術で需要が高まっており、同社は安定供給体制の強化を図る。
高純度ガスは、半導体ウエハーの回路形成(前工程)で使われる材料で、近年の半導体市場の拡大に伴い需要が増加している。特にデータセンターやAI(人工知能)用途の拡大を背景に、半導体チップを3次元的に高密度に積層する構造の採用が進んでおり、積層された多数の層を貫く微細で深い回路を高精度に形成する技術が求められている。
こうしたニーズに対応する技術として注目されているのがクライオエッチングだ。クライオエッチングは、ウエハーを極低温に冷却した状態でエッチングを行うことで側壁を保護しながら加工でき、従来よりも深く滑らかな微細構造を高精度に形成できる技術とされている。
HFガスは、この先端エッチングプロセスにおいて酸化膜の除去などに使用される重要な材料であり、クライオエッチング技術の普及に伴い、より高い純度と安定した供給が求められている。同製品は、こうした先端プロセスの要求に対応し、微細で深い回路構造の形成を支える材料として、今後需要の拡大が見込まれている。
このような市場環境を考慮し、同社は需要拡大に対応できる供給体制の強化を目的として、徳山事業所での同製品の年内製造開始を予定している。さらに、半導体製造工程で使用される高純度ガスを幅広く展開しており、エッチングや成膜工程に対応した製品群もラインアップしている。
レゾナックがアンモニア原料を「プラごみ由来水素100%」に、2030年稼働
レゾナックの最注力は半導体の後工程材料、6G向け半導体の新材料も開発
レゾナックが黒字転換、通期予想も上方修正
レゾナックが石油化学事業のパーシャルスピンオフを検討、上場も視野に
レゾナックのリチウムイオン電池用バインダーがトヨタのハイブリッド車に採用Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
コーナーリンク