　現在普及しているArF液浸露光向けのフォトレジストは、微細な回路パターンの描画に必要な酸を反応をさせたり、ウエハー上に残った水滴による欠陥を抑制するためにレジスト表面に撥水性を持たせたりする目的で、PFASが利用されている。一方、環境や生態系への影響が懸念されているため、PFAS使用規制の動きが進んでおり、PFASを利用しない新規材料の開発が求められている。

　そこで、富士フイルムは高純度有機溶剤を活用したネガ型現像プロセスの開発で培った知見を生かし、PFASを利用せずに微細な回路の形成とパターンの欠陥抑制を実現するネガ型ArF液浸レジストを開発した。

　このネガ型ArF液浸レジストは、富士フイルムが銀塩写真の研究開発で培った機能性分子の設計技術に加え、フォトレジストなどの半導体材料の開発で得られた分子設計や有機合成、処方、解析の技術が生かされている。これらにより、回路パターンの形成における優れた酸反応効率や、ArF液浸露光時の水残りを減らす高い撥水性を実現しており、バラツキが少ない微細な回路パターンを形成する。

　同社は、ベルギーで最先端半導体プロセス技術などの研究を行う機関であるimecとともに、今回のネガ型ArF液浸レジストの性能を評価した。その結果、28nmの微細な金属配線を、高い歩留まりとスループットで形成できることを確かめた。現在は顧客での評価を進めている。

　なお、富士フイルムはこれまでも、人体や環境への悪影響のリスクが懸念される物質の削減と代替化に取り組んでおり、ネガ型現像プロセス用の現像液では、安全性の高い高純度有機溶剤を用いた「NTI現像液」を世界で初めて開発した（同社調べ）。また、半導体製造技術「ナノインプリントリソグラフィ」に適合する半導体材料として、PFASを含まないナノインプリントレジストも2024年に発売。レジストPFASフリー化の技術やノウハウを、極端紫外線（EUV）向けをはじめとした他の先端レジストにも適用することで、先端レジストのPFASフリー化を進めている。

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