　開発した技術は、イオン衝撃により接合面の吸着層や酸化膜を除去する表面活性化接合と、テンプレート上に形成した金属膜を転写するテンプレートストリッピング技術を組み合わせたものだ。まず、テンプレート上にAu薄膜を形成し、表面活性化接合によりAuめっき膜の表面に接合。Au薄膜をテンプレートから剥離することで、Auめっき膜の凹凸を吸収し平滑化する。

表面活性化接合とテンプレートストリッピングを組み合わせた技術に基づく平滑化プロセス［クリックで拡大］出所：東北大学

（左）平滑化前のAuめっき膜断面、（右）平滑化後のAuめっき膜断面［クリックで拡大］出所：東北大学

　Auめっき膜を介した接合は電子デバイスの製造プロセスに広く用いられているが、素子へのダメージを軽減するために接合プロセス温度を低く抑える必要がある。開発した技術を用いることで、ナノレベルの平滑面を得られ、常温で強固に接合できることが実証された。

　同技術は、研磨による平滑化が困難な、小さな面や複雑な形状にも適用できる。

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