　自動車分野では、HEV（ハイブリッド車）やPHEV（プラグインハイブリッド車）、EV、FCV（燃料電池車）などを含めたxEVの市場が拡大し、2030年には3000万台を超える見通しで、中でも小型／中型EVが最も大きく成長する。この市場見通しで重要なのが、xEVに用いられるパワーデバイスとして、大型EVとFCVでは次世代のSiC（炭化シリコン）デバイスが、成長著しい小型／中型EVとHEV／PHEVでは現行のIGBTなどSi（シリコン）デバイスが用いられるとしている点だ。ただし「高価なバッテリー削減や充電時間短縮に適したSiC市場の早期拡大や前倒しの可能性があり、そこは注視して対応したい」（齊藤氏）という。

自動車分野の市場動向［クリックで拡大］出所：三菱電機

　三菱電機では、これまで自動車分野向けに累計1900万台相当のパワーデバイスを出荷した実績がある。2025年度に向けては、最新世代の薄厚化IGBTチップと冷却フィン一体構造のケースを採用した「J1シリーズ」を戦略製品に位置付け拡販を進める。J1シリーズは、モジュール面積129cm²、重量350gと、競合他社品と比べて大幅に小型、軽量化している。複数社の採用も決定しており、各社での採用車種増加によって売り上げを伸ばし、さらなる拡販にも取り組む。自動車分野における戦略製品比率は2020年度の19％から2025年度には47％まで向上する計画だ。

三菱電機パワーデバイス事業の自動車分野における実績（左）と2025年度に向けた取り組み（右）［クリックで拡大］出所：三菱電機

　一方、SiCデバイスを搭載するSiCパワーモジュールについては、電動化車両の普及に向け取り組みを進めるものの、顧客ニーズに合わせてSiとSiCを使い分けて事業を強化していくことになる。三菱電機は、パワーデバイスやダイオードを全てSiC化したフルSiCモジュールでグローバルシェアトップとなるなど、顧客から高い評価を得ている高性能・高信頼性の作り込み技術や、SBD（ショットキーバリアダイオード）内蔵のSiC-MOSFETによる小型化が強みになっている。今後はトレンチ型SiC-MOSFETの高性能化や生産性向上、SiCウエハーの8インチ化による生産性向上などを進め、顧客を多様なニーズに応えられる体制を整える。