　新たに見出した半導体は、安価で毒性のないカルシウム、シリコン、酸素からなる「Ca₃SiO」だ。これまでの赤外線向け半導体は、バンドギャップなど半導体特性を制御するため、テルル化カドミウム水銀、ヒ化ガリウムなど毒性元素を含む材料が用いられてきた。毒性元素を含まない赤外半導体も存在するが、間接遷移型と呼ばれる、発光素子に適さないものだった。

　研究グループは、毒性元素を含まず、発光素子に適した直接遷移型半導体を探索するにあたり、シリコンの結晶構造に着目した。その結果、逆ペロブスカイト型結晶構造を持つCa₃SiOは、バンドギャップが約0.9eV（波長では1.4μm）で、直接遷移型半導体となることを発見した。バンドギャップが小さいと、長波長の赤外線の吸収、検出が可能になる。また、直接遷移型であるため、赤外線発光特性だけでなく、薄くしても光を漏らさず吸収する特性が期待できる。

発見したCa₃SiO半導体の逆ペロブスカイト型結晶構造出典：NIMS

　赤外線は、光ファイバー通信、太陽電池、暗視装置など、産業分野において重要な波長帯だ。研究グループは今後、発見した半導体の大型単結晶の合成や薄膜成長プロセスの開発、ドーピングおよび固溶による物性制御を進め、毒性元素を含まない赤外線用の高輝度LEDや高感度検出器の開発を目指す。

両面ゲートIGBTのスイッチング損失を最大62％低減、東京大学が新技術開発
東京大学生産技術研究所は2020年12月7日、ゲート両面の動作タイミングを最適化することなどを通じて、両面ゲートIGBTのスイッチング損失を、片面ゲートIGBTと比較して最大62％低減することに成功したと発表。
有機デバイスの耐久性を約35倍にまで向上、リコーが新コーディング技術を開発
リコーは2020年12月2日、有機物の構造を保ったまま、有機デバイスの耐久性を大きく高めるセラミックコーティング技術を開発したと発表。同技術を用いて開発した、「セラミック有機ハイブリッドデバイス」はセラミックコーティングを使っていない有機デバイスと比較して約35倍の耐久性を持つ。
光とスピンを利用して磁性体の温度分布変化を自在に制御することに成功
物質・材料研究機構は、磁性体に光を照射することで、電流に伴って生じる熱流の方向や分布を自在に制御することに成功した。電子デバイスの効率向上や熱マネジメント技術への応用が期待される。
三菱電機とAISTがダイヤモンド基板GaN-HEMTの開発に成功、無線機器の高効率化に
三菱電機は2019年9月2日、産業技術総合研究所（産総研）と共同で、放熱基板として単結晶ダイヤモンドを用いたマルチセル構造のGaN（窒化ガリウム）-HEMT（高電子移動度トランジスタ）を世界で初めて（同社調べ）開発したと発表した。
電気化学現象でAIの限界突破へ、「意思決定イオニクスデバイス」を開発
NIMSの国際ナノアーキテクト研究拠点ナノイオニクスデバイスグループは、経験をイオンや分子の濃度変化として記憶し、デバイス自ら迅速に意思決定を行う「意思決定イオニクスデバイス」を開発し、その動作実証に成功したと発表した。
ホルムアルデヒドの発生を繰り返し検知できる小型センサーを開発
物質・材料研究機構と産業技術総合研究所は、シックハウス症候群の原因となるホルムアルデヒドを繰り返し検知し、継続的にモニタリングできる小型センサーを開発した。