レゾナックはAI半導体などの高性能半導体向け材料の生産能力を従来の3.5〜5倍に拡大すると発表した。
レゾナックは2024年3月29日、AI半導体などの高性能半導体向け材料の生産能力を従来の3.5〜5倍に拡大すると発表した。増産するのは絶縁接着フィルム「NCF」と放熱シート「TIM」で、いずれも高性能半導体向けに既に採用されている。投資金額は約150億円を計画し、2024年以降順次稼働開始を予定している。
AI半導体市場は2027年に2022年の2.7倍に拡大すると予想されており、これを踏まえて同社は生産能力を拡大する。
NCFは、高性能半導体に搭載される広帯域幅メモリ「HBM(従来のメモリより帯域幅が広く大量の情報を高速に処理できるメモリ)」を接続しながら多段積層するために使用される。NCFには接着力とデバイスの接続信頼性に加え、サブミクロン単位の厚み精度が要求される。同社はNCFの前身にあたるダイボンディングフィルムの開発/製造で長年培った技術と経験を生かし、要求される品質を実現している。
TIMは高性能半導体の放熱用に使用される。TIMには、発熱するチップの熱を素早く放熱できる熱伝導性、繰り返しの温度変化に耐える信頼性、チップと冷却器の微小な凹凸に密着する柔軟性が求められる。同社は、独自技術を使い、柔軟なシート材に特殊な形で黒鉛粒子を加えることで、要求される性能を達成している。
また現在、高性能半導体を前工程で進化させることは、技術とコストの両面から限界が近づいている。そのため近年では、複数のダイを1個のパッケージに集積する2.XD/3D半導体パッケージなどの最先端プロセスが注目されている。
そこで、同社は、半導体関連企業の14社から成る次世代半導体パッケージのコンソーシアム「JOINT2」とパッケージングソリューションセンター(PSC)を活用して、次世代に向けた半導体パッケージ材料の研究開発を推進している。
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