　Applied Materials（アプライドマテリアルズ）は2026年6月15日（米国現地時間）、半導体製造における深く狭い3D構造の精密加工に対応する成膜装置「Centris Spectral SiN ALD」と選択エッチング装置「Producer Selectra Mo Etch」を発表した。

成膜装置「Centris Spectral SiN ALD」（右）と選択エッチング装置「Producer Selectra Mo Etch」［クリックで拡大］出所：Applied Materials

　Centris Spectral SiN ALDは、表面パッシベーションや絶縁分離などに用いられる窒化ケイ素（SiN）膜を生成する装置だ。複雑な3D構造に対しても、高品質で均一なSiN膜を低温で成膜できる。高密度マイクロ波プラズマ技術により、従来手法の課題だったプラズマ密度とイオン損傷のトレードオフを解消している。

　DRAMやロジックのほか、GAA（gate-all-around）トランジスタのコンタクトに適用することで抵抗や寄生容量を低減し、デバイスを高速化する。

　Producer Selectra Mo Etchは、3D NANDの積層数増加に伴って採用が進むワード線分離を精密に実行する装置だ。ワード線の層形成に用いられるモリブデン（Mo）などの低抵抗金属を極めて選択的に除去する。従来のウェットエッチングでは、高層化した3Dスタックの最深部までエッチング液が到達しにくいため、上部に偏ったエッチング形状になることから、歩留まりの低下やスケーラビリティの制約が発生する課題があった。

　同装置は高度なガス供給とプロセス制御を駆使することでウェットエッチングの課題を克服し、高アスペクト比の深い構造でも上下に均一なプロファイル精度を確保する。また、3D NANDスタックセル間のばらつきを減らし、電流リークの抑制やデータ保持性の改善に寄与する。

　AI（人工知能）コンピューティングの急成長に伴い、半導体業界ではGAAトランジスタや高多層3D NANDといった先進的な3Dアーキテクチャへの移行が進んでいる。しかし、これらの垂直構造が深層化、狭小化するにつれ、従来の成膜、エッチングプロセスでは構造の最上部から最下部まで均一に材料を行き渡らせることが難しくなり、電気的特性や歩留まりの低下を招いていた。

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