　同市場はこうした半導体需要の動きにリンクしており、2023年に底打ちして回復に転じた。2024年は低迷から脱し、メーカー出荷数量ベースで見た市場規模は、BGテープが前年比112.3％の1830万m²、DCテープが同108.5％の2610万m²、DAF/DDFが同112.8％の485万m²、DAPが同107.0％の123t、EMCが同107.1％の141500t、LMCが同121.4％の170t、CUFが同108.3％の143tを見込む。

半導体実装工程材料・副資材（7品目）世界市場規模［クリックで拡大］出所：矢野経済研究所

　半導体封止材では、EMC（エポキシモールディングコンパウンド）を使ったトランスファ方式の樹脂成形が一般的だが、先端パッケージではLMC（液状エポキシ封止材）の採用が主流となる。一方でLMCはパッケージの反りに課題があり、EMCでも低反り性を高めるため顆粒材（グラニュール）の開発、投入が進み、コンプレッション成形方式を使った先端パッケージ向けに展開されている。

　コンプレッション成形方式は、樹脂を直接キャビティに入れ、溶融後にワークを浸して樹脂成形する樹脂封止方法だ。樹脂の使用効率が100％近くになるほか、成形時に樹脂流動がほぼないため、チップやワイヤへの影響を抑え、材料費を低減できる。

　また、先端パッケージの1種となるHBM（High Bandwidth Memory）製品の積層技術では、絶縁接着フィルム（NCF：Non Conductive Film）を積層後、熱や圧力（Thermo-Compression）を加えてチップを結合するTC-NCF方式が標準となる。これに対し韓国のSK hynixは、高性能化するメモリ製品のニーズに対応するため、HBM3以降、LCMUF（Liquid Compression Mold Underfill、液状モールドアンダーフィル材）を使った独自プロセスMR-MUF（Mass reflow-molded underfill）方式を採用。競合するSamsung Electronicsに大きな優位性を築いた。

　16層以上のHBMの積層技術では、バンプピッチの観点からTC-NCF方式、MR-MUF方式とも限界がきているとされ、新たにCu-Cu接合によるハイブリッドボンディング（Hybrid Copper Bonding：HCB）方式が注目を集めている。SK hynixでもHCBは開発途上で、こうした技術のターニングポイントが半導体材料メーカーにとって参入機会となる。材料を予測する先見性と技術力が、次世代の半導体材料市場を制するとしている。

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