　同社は、約26万本の電子ビームの照射が可能なマルチ電子ビームマスク描画装置を活用し、2020年に5nmプロセス相当のフォトマスク製造に成功している。今回、回路線幅の微細化に対応するため、製造プロセスを改善。3nm相当のEUVフォトマスクに必要な複雑な曲線パターン構造に合わせた加工条件やデータ補正技術を最適化した。

　2024年下期には、マルチ電子ビームマスク描画装置を増設して稼働を開始する計画だ。半導体メーカーや半導体開発コンソーシアム、製造装置メーカーなどへフォトマスクを提供する他、EUVリソグラフィの周辺技術開発も支援し、2030年に年間100億円の売り上げを目指す。

　フォトマスクは半導体の微細な回路パターンの製造用原版で、ロジック半導体の高性能化に伴い、回路線幅の微細化が求められている。EUVリソグラフィは、波長が13.5nmのEUVを光源とすることで、数nmの回路パターンを形成できる。

　同社は今後、ベルギーの半導体研究開発機関imec（Interuniversity Microelectronics Centre）と共同で次世代EUV露光装置向けフォトマスクの開発を進める。imecなどのパートナーとともに、2nm以降のプロセス開発にも取り組む考えだ。

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