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» 2022年01月18日 08時00分 公開

スイッチング損失を約30%低減した1.7kVフルSiCモジュールを開発組み込み開発ニュース

日立パワーデバイスは、同社従来品比でスイッチング損失を約30%低減した1.7kVフルSiCモジュールを開発した。独自設計した温度依存性の低いゲート抵抗を採用し、オンオフ動作に伴うスイッチング損失を低減している。

[MONOist]

 日立パワーデバイスは2021年12月21日、同社従来品比でスイッチング損失を約30%低減した、1.7kVフルSiCモジュール「MSM900GS17CLT」「MSM1350GS17CLT」「MSM1800GS17CLT」を開発したと発表した。2022年1月にサンプル供給を開始する予定だ。

キャプション 1.7kVフルSiCモジュール 出所:日立パワーデバイス

 同製品は、焼結銅接合を採用した従来品の設計を見直し、新たに独自設計した温度依存性の低いゲート抵抗を用いた。高速動作性能を向上させることで、オンオフ動作に伴うスイッチング損失を低減している。

 サイズは100×140mmで、最高接合温度は175℃。電流定格が900AのMSM900GS17CLT、1350AのMSM1350GS17CLT、1800AのMSM1800GS17CLTの3種をラインアップに揃えた。

 鉄道車両のインバーターや、再生可能エネルギー発電システムにおける電力変換器といった用途に適する。

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