Fin状トレンチ型SiC-MOSFETを製品化、サンプル出荷開始へ
日立パワーデバイスは、Fin状トレンチ型SiC-MOSFET「TED-MOS」を製品化した。2021年3月よりサンプル出荷を開始する。デバイス設計の自由度が向上したほか、耐久性と低消費電力を両立した。
独立分社する東芝デバイスカンパニーの成長をけん引するパワー半導体技術の実力
東芝デバイス＆ストレージがパワー半導体技術について説明。東芝から独立分社するデバイスカンパニーの成長をけん引することが期待されているパワー半導体事業だが、低耐圧と高耐圧のMOSFETで業界トップの性能を実現しており、次世代パワー半導体として期待されているSiCデバイスやGaNデバイスの開発にも注力している。
自動車と民生に注力する三菱電機のパワーデバイス事業、12インチ化も着々
三菱電機が2021～2025年度の中期経営計画で重点成長事業の一つに位置付けたパワーデバイス事業の戦略を説明。産業、再エネ、電鉄などの分野をベースロードとしながら、今後は自動車と民生の分野に注力し、2020年度の売上高1480億円、営業利益率0.5％から、2025年度に売上高2400億円以上、営業利益率10％以上に引き上げる方針だ。
シリコンカーバイド（SiC）が電気自動車の普及に拍車
米国の大手半導体製造装置メーカーであるアプライドマテリアルズ（Applied Materials）のブログの抄訳を紹介する本連載。今回のテーマは電気自動車への搭載が進むSiCデバイスだ。
昭和電工がSiCエピウエハーをロームに供給、インフィニオンに続いて
昭和電工は、ロームとの間で、パワー半導体向けのSiC（シリコンカーバイド）エピタキシャルウエハー（以下、SiCエピウエハー）に関する複数年にわたる長期供給契約を締結したと発表した。
インフィニオンが電動車向けSiCパワーデバイスを強化、武器はIGBTからの移行しやすさ
インフィニオンは、EV（電気自動車）向けのSiCパワーデバイスの展開を本格化させる。これまでハイブリッド車（HEV）など電動車向けに100万個以上の出荷実績があるIGBT搭載のモジュール「Hybrid PACK Drive」にSiC搭載版を用意し、自動車メーカーがこれまでと同じフットプリントのままインバーターをアップグレードできるようにする。