　アクセススピードがページモードで最大25ナノ秒と、従来よりも約30％高速化しており、SRAMと同等の高速アクセスが可能だ。動作電流は最大18mA（従来比10％減）で、スタンバイ電流は最大150μA（同50％減）となっている。スリープ電流は最大10μA、動作電圧は1.8～3.6V、動作温度範囲は－40～＋85℃だ。

電流性能の比較［クリックで拡大］出所：富士通セミコンダクターメモリソリューション

　低消費電力SRAMと互換性があるパラレルインタフェースを搭載し、48ピンFBGAまたは、4Mビット品と互換性のある44ピンTSOPパッケージで提供する。

　FRAMは、書き換え耐性に優れ、高速書き込み、低消費電力を特徴とする不揮発性メモリだ。SRAMから8MビットFRAMへ置き換えることでバッテリーを削減できる。互換性も高いことから、メンテナンスやコスト、環境負荷の削減が期待できる。

ユーザーの課題と解決案［クリックで拡大］出所：富士通セミコンダクターメモリソリューション

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