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» 2021年12月02日 08時00分 公開

100兆回の書き込みを保証、高速動作と低消費電力の8MビットFRAMを提供開始組み込み開発ニュース

富士通セミコンダクターメモリソリューションは、100兆回の書き込みを保証したパラレルインタフェースの8MビットFRAM「MB85R8M2TA」のサンプル提供を開始した。高速動作と低消費電力を両立し、SRAMの代わりとして産業機械に利用可能だ。

[MONOist]

 富士通セミコンダクターメモリソリューションは2021年11月17日、100兆回の書き込みを保証した、パラレルインタフェースの8MビットFRAM「MB85R8M2TA」のサンプル提供開始を発表した。高速動作と低消費電力を両立するため、SRAMの代わりとして産業機械に利用できる。

キャプション 8MビットFRAM「MB85R8M2TA」 出所:富士通セミコンダクターメモリソリューション

 アクセススピードがページモードで最大25ナノ秒と、従来よりも約30%高速化しており、SRAMと同等の高速アクセスが可能だ。動作電流は最大18mA(従来比10%減)で、スタンバイ電流は最大150μA(同50%減)となっている。スリープ電流は最大10μA、動作電圧は1.8〜3.6V、動作温度範囲は−40〜+85℃だ。

キャプション 電流性能の比較[クリックで拡大] 出所:富士通セミコンダクターメモリソリューション

 低消費電力SRAMと互換性があるパラレルインタフェースを搭載し、48ピンFBGAまたは、4Mビット品と互換性のある44ピンTSOPパッケージで提供する。

 FRAMは、書き換え耐性に優れ、高速書き込み、低消費電力を特徴とする不揮発性メモリだ。SRAMから8MビットFRAMへ置き換えることでバッテリーを削減できる。互換性も高いことから、メンテナンスやコスト、環境負荷の削減が期待できる。

キャプション ユーザーの課題と解決案[クリックで拡大] 出所:富士通セミコンダクターメモリソリューション

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