　また、コヒーレンス時間を長くするため、結晶の構造と配向を上部電極まで全てそろえたエピタキシャル成長の基板として、従来の酸化マグネシウム（MgO）よりも誘電損失の小さいシリコン（Si）を採用。バッファー層は窒化チタン（TiN）とすることで、NbN／AlN／NbNエピタキシャル接合を用いた量子ビット回路の作製に成功した。

　熱揺らぎの小さい10ミリケルビンの極低温で、量子ビットと弱く結合した共振器のマイクロ波伝送特性からコヒーレンス時間を測定したところ、100回測定の平均値でエネルギー緩和時間（T₁）は16マイクロ秒、位相緩和時間（T₂）は22マイクロ秒を示した。MgO基板状の超伝導量子ビットに比べて、T1は約32倍、T2は約44倍改善している。

　今後は、コヒーレンス時間の延伸に加え、超伝導量子ビットの大規模集積化に向けて、回路構造や作製プロセスの最適化に取り組むとしている。

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