　パワー半導体の開発では、オン抵抗を低減すると、ショート時に破壊に至るまでの短絡耐量時間も短縮されるというトレードオフ関係が課題になる。SiC-MOSFETの開発ではそれらの両立が求められていた。新たに開発した1200V 第4世代SiC MOSFETは、進化した同社独自のダブルトレンチ構造を採用したことで、短絡耐量時間を短縮せずにオン抵抗を従来品と比較して約40％低減した。

オン抵抗を約40％低減出典：ローム

　また、MOSFETには、一般的に低オン抵抗化や大電流化に伴って各種寄生容量が増加する傾向があり、SiCの高速スイッチング特性を十分に発揮できないという課題があった。新製品は、ゲートドレイン間容量を大幅に削減し、スイッチング損失を従来品と比較して約50％低減した。

スイッチング損失を約50％低減出典：ローム

　1200V 第4世代SiC MOSFETは、車載インバーターや各種スイッチング電源などの小型化、低消費電力化に貢献するという。

SiCパワー半導体の回路シミュレーションを高精度化、三菱電機から新SPICEモデル
三菱電機は2020年7月9日、同社が開発したSiCパワー半導体「SiC-MOSFET」のスイッチング速度を高精度でシミュレーション可能な独自のSPICE（Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis）モデルを新開発したと発表した。実測とほぼ同等のシミュレーションが可能となり、SiC-MOSFETを搭載したパワーエレクトロニクス機器の回路設計作業を効率化できる、
三菱電機から「世界最高レベル」のトレンチ型SiC-MOSFET、信頼性と量産性も確保
三菱電機は、1500V以上の耐圧性能と、「世界最高レベル」（同社）の素子抵抗率となる1cm2当たり1.84mΩを両立するトレンチ型SiC-MOSFETを開発した。家電や産業用機器、自動車などに用いられるパワーエレクトロニクス機器の小型化や省エネ化に貢献する技術として、2021年度以降の実用化を目指す。
ボッシュが300mmウエハー工場に10億ユーロを投資、既存工場でSiCデバイスを生産
Robert Bosch（ボッシュ）は2019年10月8日、SiCパワー半導体向け300mmウエハーを生産するドイツ・ドレスデン工場が2021年末から稼働すると発表した。
HEV用SiCインバーターの体積がさらに半減、非対称構造でモーター出力密度を向上
三菱電機は、世界最高の電力密度を持つハイブリッド車（HEV）用パワーユニットと、世界最高クラスとする出力密度のモーターを開発した。パワーユニットは2024年度以降、モーターは2020年度以降の事業化を目指す。
日立がEV向けSiCパワー半導体、耐久性向上とエネルギー損失半減を両立
日立製作所は2018年8月30日、電界強度を40％低減し、エネルギー損失を半減させる高耐久性構造の車載向けSiC（炭化ケイ素）パワー半導体「TED-MOS」を開発したと発表した。
車載用SiCパワーデバイスの採用拡大が見えてきた、積極的な欧米自動車メーカー
ロームのグループ会社であるローム・アポロは、筑後工場にSiC（炭化ケイ素）パワーデバイスを生産する建屋を新設する。2025年まで積極的な設備投資を行い、SiCパワーデバイスの市場拡大の中でシェアを広げていく。