デンソーと新日本無線がオーディオ用SiCデバイスを共同開発――2015年後半に生産へ：ビジネスニュース 企業動向

新日本無線とデンソーは2014年10月、SiC（炭化ケイ素）を用いたオーディオ用半導体デバイスの共同開発を行うことで合意し、既にプロトタイプを製作したと発表した。両社は、今後評価を進めるなどしオーディオ用SiC-MOSFETを2015年後半にも量産する計画。

[EE Times Japan]

「MUSES」ブランドで電源用MOSFET

　新日本無線とデンソーは2014年10月16日、材料としてSiC（炭化ケイ素）を用いたオーディオ用半導体デバイスの共同開発を行うことで合意し、既にプロトタイプを製作したと発表した。両社は今後評価を進めて、オーディオ機器の電源回路向けSiC-MOSFETを2015年後半にも量産する計画。

　新日本無線とデンソーの両社は車載用半導体分野で協力関係（関連記事：新日本無線がSJ-MOSFETを量産へ、デンソーの技術でオン抵抗を半減）にあり、これをオーディオ用半導体にも拡大するもの。具体的には、新日本無線が有するオーディオ用高音質半導体デバイス技術と、デンソーの持つ6インチSiCウエハーによるデバイス製造技術「REVOSIC」を組み合わせ、SiCによるオーディオ用MOSFETの実現を目指す。

　新日本無線は、これまで「MUSES」（ミューズ）のブランド名で、主にシリコンを用いた高音質に特化したオーディオ用オペアンプ、電子ボリュームを展開するなどしてきた。

　一方のデンソーは産業機器や車載機器向けにSiCデバイス技術を構築。産業機器/車載機器以外でのSiCデバイス技術の応用を検討していた（関連記事：デンソーがSiCデバイスの外販を本格化、「REVOSIC」ブランドで展開）。

新日本無線の高音質オーディオ半導体シリーズ「MUSES」（左）と、高品質、低損失を特長としたデンソーのSiC技術「REVOSIC」のロゴ

既にSiC-SBDは製品化済み

　オーディオ用半導体デバイスに、SiCを用いる試みは、既に新日本無線が自社のSiCデバイス製造技術を用いて電源回路向けのSiC-SBD（ショットキーバリアダイオード）「MUSES7001」を製品化することで実施済み（関連記事：オーディオ専用の“SiCダイオード”を発売）。「SiCが音質向上に有効であることを実証した」（新日本無線）という。

　両社の共同開発は、オーディオ用SiC-MOSFETの製品化を狙うもので、既にSiC-MOSFETによるオーディオ機器電源回路用パワーアンプの試作を行い、試聴評価を実施している段階だという。新日本無線では「（試聴評価で）比類のない音質が得られていることから、近年のハイレゾオーディオ市場に大きな貢献を果たせるものと確信している」としている。

既に試聴評価段階にあるオーディオ用SiC-MOSFET「MUSES7011」。パッケージは、TO-247 （クリックで拡大）

前工程はデンソー

　両社は今後、オーディオ用SiC-MOSFETをMUSESブランドで製品化し、2015年前半にもサンプル出荷を行い、2015年後半から量産する予定。製造は、前工程をデンソーが担当し、後工程は新日本無線が実施する見込みで、販売は高級オーディオ機器やプロ用オーディオ機器向けに新日本無線が行う。