　Transphormはシリコンパワー半導体と比較して小型かつ高出力なGaNパワー半導体を設計、製造する企業だ。世界で1000件以上と大規模なGaNパワー半導体のIPポートフォリオを保有する同社は、業界で初めてJEDECとAEC-Q101認定を受けたGaN電界効果トランジスタ（FET）の製造も手掛ける。

　今回の提携について、マレリ電動パワートレイン事業本部 CEOのヨアヒム・フェッツァー氏は「高効率の電力変換技術は、低コストかつ高性能な電動自動車を開発するのに欠かせない。この分野のリーダー企業であるTransphormと提携できて大変うれしく思う」とコメントを寄せている。

　またTransphorm 共同創業者兼COOのプリミット・パリク氏は「マレリのようなグローバルリーダーとのパートナーシップは、当社が展開するGaNソリューションの品質と信頼性、製品全体のパフォーマンスを証明するものとなる。マレリの長期的、革新的なビジョンは、電動自動車におけるGaNの発展に大きな価値をもたらすだろう」とコメントした。

トヨタのハイブリッド車が燃費を10％向上、次世代パワー半導体の採用で
トヨタ自動車とデンソー、豊田中央研究所の3社は、従来のSi（シリコン）パワー半導体よりも高効率のSiC（シリコンカーバイド）パワー半導体を共同で開発した。トヨタ自動車は、ハイブリッド車のパワーコントロールユニット（PCU）に採用することで燃費を10％向上したい考えだ。
安川電機がGaNデバイス搭載パワコンを2014年に発売、変換効率は98.2％
安川電機は、「TECHNO-FRONTIER 2013」（2013年7月17～19日、東京ビッグサイト）において、次世代パワー半導体のGaN（窒化ガリウム）デバイスを搭載する、太陽光発電システム用パワーコンディショナを参考展示した。2014年中に市販する計画である。
トヨタのSiCパワー半導体の採用時期、「2020年には何らかの形で出したい」
トヨタ自動車は、「人とくるまのテクノロジー展2014」において、次世代デバイスとして注目されるSiC（シリコンカーバイド）パワー半導体の開発成果を披露した。
SiCやGaNスライス工程の生産性を60％改善、三菱電機のマルチワイヤ放電加工機
三菱電機は2019年9月12日、新開発のマルチ放電スライス技術「D-SLICE（ディースライス）」を採用したマルチワイヤ放電スライス加工機「DS1000」を同年11月1日に発売すると発表した。SiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）など次世代半導体材料のウエハースライス工程での活用を提案する。
デンソートヨタで車載半導体の先端研究、センサーやパワーモジュールも開発
デンソーとトヨタ自動車は2019年7月10日、次世代の車載半導体の研究と先行開発を行う共同出資会社の設立に合意したと発表した。
ボッシュが300mmウエハー工場に10億ユーロを投資、既存工場でSiCデバイスを生産
Robert Bosch（ボッシュ）は2019年10月8日、SiCパワー半導体向け300mmウエハーを生産するドイツ・ドレスデン工場が2021年末から稼働すると発表した。