　このパワーコンディショナは、Transphormと共同開発したGaN-HMETを採用。GaNデバイスによる高速スイッチングで受動部品を小型化するとともに、回路本体が低損失であることから冷却システムも小型化できた。このため、Si（シリコン）-IGBTを用いている、同社パワーコンディショナの現行品と比べて、設置面積が2分の1になったという。

　また、変換効率も、現行品の96％強から98.2％に向上した。これは、GaNデバイスによる高速スイッチングに加えて、安川電機独自の新制御方式によって実現した。また、GaN-HEMTが、Si-MOSFETと同様に低出力時でも高い変換効率が得られることもメリットの1つになるとしている。

安川電機のGaNデバイス搭載太陽光発電システム用パワーコンディショナ（クリックで拡大）出典：安川電機

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