「パワー半導体」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

GaN-on-GaN技術で攻める：
onsemiが縦型GaNパワー半導体開発、700Vと1200V品をサンプル提供
onsemiが縦型窒化ガリウム（GaN）パワー半導体を開発した。GaN on GaN技術の製品で同社は「AIデータセンターや電気自動車（EV）など、エネルギー集約型アプリケーションによる世界的な電力需要の急増を背景に、onsemiは縦型GaNパワー半導体を発表した。この新デバイスは、これらの用途で電力密度、効率、堅牢性の新たな基準を打ち立てるものだ」と述べている。（2025/10/30）

前期の反動で出荷額は減少：
ディスコはAI関連が依然好調、上期の過去最高を更新
ディスコは2025年10月29日、2025年度第2四半期の決算を発表した。前年同期比で増収増益の結果で、2025年度上期で見ると、売上高は1945億円と、上期として過去最高の結果を記録したという。（2025/10/30）

SEMICON India 2025に初出展：
PR：貴金属の深い知見で半導体事業に攻勢！　接合／テストの信頼性を支える田中貴金属
田中貴金属が、半導体向け事業を強化している。長年の経験で培った貴金属の知見を強みに、インドなどの半導体新興市場への展開も視野に入れる。今回は、「SEMICON India 2025」に出展した製品から、ダイボンド向け銀接着剤、ボンディングワイヤ、プローブピン材料の3製品を紹介する。（2025/10/30）

Yoleが調査結果を発表：
24年のGaNデバイス市場、シェア1位は中国　トップ5に日本勢なし
フランスの市場調査会社Yole Groupによると、窒化ガリウム（GaN）パワーデバイス市場は2024年から2030年まで年平均成長率（CAGR）42％で成長し約30億米ドルの市場になるという。2024年の市場シェアでは中国Innoscienceがトップだった。日本勢はトップ5には入っていない。（2025/10/29）

「数年で製造コストをSiと同等に」：
300mm化、双方向スイッチ、車載――Infineonの最新GaNデバイス技術
Infineon Technologiesのオーストリア・フィラッハ拠点で2025年10月、同社の窒化ガリウム（GaN）事業部門責任者であるJohannes Schoiswohl氏が最新技術について語った。（2025/10/27）

素材／化学インタビュー：
次世代半導体基板向けの“柱”の開発順調、太陽HDが新施設で絶縁材料を進化
太陽ホールディングスは、2025〜2030年を対象とした新中期経営計画で、コア事業であるソルダーレジストインキの全方位的な成長に加え、次世代の利益の柱となる新規事業創出を加速するとした。本稿ではこれを踏まえて、同社のエレクトロニクス事業で中核を担う太陽インキ製造 取締役／技術開発センター長の宮部英和氏へのインタビューを通じ、同事業の取り組みを深掘りする。（2025/10/24）

300mm工場クリーンルームも公開：
Infineonのパワー半導体最前線　「技術革新の中核」フィラッハで聞く
Infineon Technologiesが、オーストリア・フィラッハ拠点でメディアやアナリスト向けのイベントを実施。事業責任者らが同社のシリコン（Si）、炭化ケイ素（SiC）および窒化ガリウム（GaN）パワー半導体の最新動向について語ったほか、2021年にオープンした300mmウエハー工場のクリーンルームも公開した。（2025/10/22）

大山聡の業界スコープ（93）：
パワー半導体はリチウムイオン電池の再来か　中国勢台頭の現実味
半導体製造装置など中国企業の発展、成長が著しい。特にパワー半導体分野において中国勢が台頭するのは時間の問題ではないかと思っている。今後中国製半導体製品はどのような進化、発展を目指しているのか。（2025/10/17）

高耐圧品や双方向スイッチのサンプルも：
Infineonが初の車載GaNパワートランジスタを生産開始 100V耐圧品
Infineon Technologiesが、車載用電子部品の信頼性規格「AEC-Q101」に適合した同社初の窒化ガリウム（GaN）トランジスタファミリーの生産を開始した。併せて高耐圧GaNトランジスタおよび双方向GaNスイッチを含むAEC-Q101準拠品のサンプル供給も開始した。（2025/10/16）

人生ゲームも登場：
就職先は剣で決める!?　「黒ひげ危機一発」で半導体業界をアピール
JEITAは、同社主催の「CEATEC 2025」（2025年10月14〜17日、幕張メッセ）で、学生向けに半導体産業を紹介するブース「JEITA半導体フォーラム2025」を、半導体企業9社と共同で出展。「半導体産業人生ゲーム」「黒ひげ危機一発×半導体産業人生占い」などが展開される。（2025/10/16）

電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記：
パワー半導体「技術革新の中心」Infineonフィラッハに訪問
インフィニオンは「全方位」で攻めていると実感しました。（2025/10/14）

専用評価ボードも提供：
各種保護機能を搭載　単電源マイコン向け車載PMIC、STマイクロ
STマイクロエレクトロニクスは、車載向けPMIC「SPSA068」を発表した。単電源で動作するマイクロコントローラー向けで、AEC-Q100やISO26262機能安全に対応。既に量産を開始している。（2025/10/9）

欧州半導体界の巨星：
STの礎を築いた伝説、Pasquale Pistorio氏追悼
欧州の半導体大手STMicroelectronicsを誕生させた功績を持つPasquale Pistorio氏がイタリア・ミラノにおいて89歳で死去した。本稿では、同氏の歩みとその功績を振り返る。（2025/10/7）

6／8インチn型SiCウエハーも：
名古屋大ら、溶液成長法による6インチp型SiCウエハー試作に成功
オキサイドパワークリスタルとMipox、UJ-Crystal、アイクリスタル、産業技術総合研究所（産総研）および名古屋大学の開発グループが、溶液成長法とシミュレーション技術を活用し、6インチp型炭化ケイ素（SiC）ウエハーおよび、6インチ／8インチn型SiCウエハーの試作に成功した。（2025/10/7）

工場ニュース：
山形工場にSiCエピタキシャルウエハーの建屋が完成、2026年に稼働
レゾナックは、レゾナック・ハードディスクの山形工場で、SiCエピタキシャルウエハーの生産建屋の竣工式を開催した。各種設備を導入して生産に向けた準備を進め、2026年に稼働する予定だ。（2025/10/2）

インターロック機能も搭載：
底面積53%縮小　ー40℃で連続動作するパワー半導体モジュール、三菱電機
三菱電機は、パワー半導体モジュール「DIPIPM」の新シリーズ「Compact DIPIPM」を発表した。定格電圧は600Vで、定格電流30Aの「PSS30SF1F6」と同50A「PSS50SF1F6」のサンプル提供を開始している。（2025/9/30）

EE Exclusive：
GaN、SiCパワー半導体の技術革新――PCIM 2025レポート
世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo＆Conference」が2025年5月、ドイツで開催された。本稿ではEE Times Japan記者が現地で取材した業界の最新動向および技術を紹介する。（2025/9/30）

京都大学 工学研究科 教授 木本恒暢氏：
SiCの20年　ウエハーは「中国が世界一」に、日本の強みは何か
次世代パワー半導体材料として注目度が高まる炭化ケイ素（SiC）。SiCパワーデバイスの研究開発は2000年代以降、飛躍的に進展してきた。SiCのこれまでの研究開発やパワーデバイス実用化の道のり、さらなる活用に向けた今後の課題について、京都大学 工学研究科 教授 木本恒暢氏に聞いた。（2025/9/29）

シリコンやGaNへの協業拡大も計画：
ロームとInfineon、SiCパワー半導体のパッケージ共通化で協業
ロームとInfineon Technologiesが、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体のパッケージ共通化で協業する。車載充電器、太陽光発電、エネルギー貯蔵システム、AIデータセンターなどで採用されるSiCパワーデバイスのパッケージについて、両社が相互に供給するセカンドソース体制の構築を進める。（2025/9/25）

「鉄道分野のGXに関する官民研究会」：
鉄道分野のGX目標設定──官民研究会が2040年に向けた基本方針を公表
国土交通省が主催する「鉄道分野のGXに関する官民研究会」は、2040年を見据えた鉄道分野のGX推進に向けた目標設定や戦略について検討を行い、その基本方針を取りまとめた。（2025/9/25）

DCグリッドの安全性を担う：
PR：DC遮断を次世代へ導く――インフィニオンが「CoolSiC」ブランド初のJFETを投入
エネルギー損失が少ない送電／配電網として、注目度が高まっている直流（DC）グリッド。この次世代のグリッドではDC電流をいかに高速に遮断できるかが重要になる。そこで脚光を浴び始めているのが炭化ケイ素（SiC）JFETだ。なぜSiC JFETがDC電流遮断に向くのか。SiCデバイスを長年手掛けるインフィニオン テクノロジーズが解説する。（2025/9/25）

材料技術：
パワー半導体接合材向けに粒径100nmの耐酸化ナノ銅粉を開発　従来の課題を克服
近年、銀価格の高騰を受けて、パワー半導体の接合材として銀粉の代わりに銅紛が求められている。しかし、銅粉は銀粉に比べて酸化しやすく、取り扱いが難しいという課題がある。これらの課題を解消した製品として、住友金属鉱山は「耐酸化ナノ銅粉」を開発した。（2025/9/22）

インバーター基板の小型化を可能に：
実装面積を削減できるパワー半導体モジュール、三菱電機
三菱電機は、パワー半導体モジュール「Compact DIPPM」シリーズとして2製品を開発、サンプル出荷を始める。従来製品に比べモジュールの床面積を約53％に縮小した。パッケージエアコンなどに搭載されるインバーター基板を小型化できる。（2025/9/12）

ポスト政策主導時代を迎える半導体市場（3）：
地政学要因で半導体製造は東南アジアとインドへ、東アジア一極集中の脱却なるか
半導体に関する各国の政策や技術開発の動向、そしてそれぞれに絡み合う用途市場の動きを分析しながら、「ポスト政策主導時代」の半導体業界の姿を提示する本連載。第3回は、転換点にある米欧の半導体政策に呼応する形で新たな産業政策を進める東南アジアの主要工業国やインドの政策動向を紹介する。（2025/9/12）

電動二輪車用途で：
Infineon、GaN搭載の軽EV用インバーター開発で中国メーカーと協業
Infineon Technologiesが、中国Ninebot子会社のLingji Innovation Technologyと窒化ガリウム（GaN）パワーデバイス搭載の軽電気自動車（LEV）向けインバーター開発で協業する。InfineonがGaNパワー半導体を供給し、Lingjiの電動二輪車用インバーターシステム開発をサポートする。（2025/9/10）

650A、800V以上に対応：
ロームのSiC搭載インバーター部品が量産開始、中国大手の新型EVに
ロームの第4世代炭化ケイ素（SiC） MOSFETベアチップを搭載した、ドイツ自動車部品大手Schaefflerの新型インバーターサブモジュールの量産が始まった。中国の大手自動車メーカーの新型電気自動車（EV）に搭載されるという。（2025/9/5）

先行き不透明感が際立つ：
2025年上半期の半導体業界を振り返る
世界経済、国際情勢ともに先行き不透明な中で幕を開けた2025年。本稿では、2025年上半期の半導体業界を振り返る。（2025/8/29）

EV向け高機能材料インタビュー：
EVの常識を変えるか？ 出光が挑む「柔らかい」全固体電池材料の強み
「充電が遅い」「走行距離が短い」「火災リスクがゼロではない」など、電気自動車（EV）の課題を一挙に解決すると期待される次世代バッテリー「全固体電池」。その実用化を阻む壁を、出光興産が開発した「柔らかい」固体電解質が打ち破ろうとしている。（2025/8/28）

品質向上、供給拡大に向けて基本合意：
東芝D&S、中SICCとSiCパワー半導体用ウエハーで連携
東芝デバイス＆ストレージは2025年8月22日、中国の炭化ケイ素（SiC）ウエハーメーカーSICCとSiCパワー半導体ウエハーに関するビジネス上の連携に向けた基本合意を発表した。SiCパワー半導体の特性向上や品質改善および、安定的なウエハーの供給拡大に向けた連携を実施する。（2025/8/26）

高耐圧GaNの製品化を加速：
GaNパワー半導体市場で拡大狙うサンケン電気、パウデックを吸収合併
サンケン電気は窒化ガリウム（GaN）パワーデバイス市場での拡大を狙い、開発を加速している。2025年8月13日には低オン抵抗で高耐圧化が容易な独自GaN技術を有する子会社パウデックの吸収合併をすると発表した。（2025/8/21）

電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記：
「コイン1枚に5トンのゾウ4頭分」の応力を制御、300mm GaNウエハーの量産近づく
300mmウエハーでの量産が始まれば、大幅なコスト低減が期待できます。（2025/8/18）

材料技術：
140周年迎えた田中貴金属、狙うは「リサイクル事業拡大」と「白金の新用途創出」
宝飾品や金地金で知られる田中貴金属グループが、創業140年を機に、プレスカンファレンスを開催した。電気自動車の普及による白金（プラチナ）需要の減少という危機を前に、老舗メーカーの同社が打ち出した解決策や、環境に貢献するリサイクル事業の強化など、新たな貴金属ビジネスが明かされた。（2025/8/18）

EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版 2025年8月号：
GaN、SiCパワー半導体の技術革新　PCIM 2025レポート――電子版2025年8月号
「EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版」の2025年8月号を発行しました。EE Exclusive（電子版限定先行公開記事）は『GaN、SiCパワー半導体の技術革新――PCIM 2025レポート』です。（2025/8/18）

米国のサプライチェーン強化にも：
「あえてレガシー半導体」のSkyWater　Infineon工場買収で生産能力4倍に
米国の半導体ファウンドリーSkyWater Technologyは、米国テキサス州オースティンにあるInfineon Technologiesの工場を買収し、生産能力を4倍に拡大した。レガシー半導体の生産に注力することで、「脱アジア」を進める米軍などのニーズに応える計画だ。（2025/8/14）

クイズで学ぶ！　半導体の基礎知識：
【問題】GaNパワートランジスタの特長は？
EDN Japanの記事からクイズを出題！　半導体／エレクトロニクス技術の知識を楽しく増やしていきましょう。今回の問題は「GaNパワートランジスタの特長」についてです。（2025/8/12）

ポスト政策主導時代を迎える半導体市場（2）：
曲がり角を迎える欧州半導体法、CHIPS Act 2.0提言で軌道修正は可能か
半導体に関する各国の政策や技術開発の動向、そしてそれぞれに絡み合う用途市場の動きを分析しながら、「ポスト政策主導時代」の半導体業界の姿を提示する本連載。第2回は、第1回で取り上げた米国とともに世界の半導体産業をけん引している欧州の施策を紹介する。（2025/8/8）

2in1モジュールも開発：
RC-IGBTとSiC、ダイでもモジュールでも 東芝の車載パワー半導体
東芝の欧州現地法人であるToshiba Electronics Europeは、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo&Conference 2025」で、逆導通IGBT（RC-IGBT）搭載の2in1両面冷却モジュールや2in1のSiCモジュールのサンプルおよび、それぞれのベアダイなどの電動車（xEV）インバーター向け製品を公開。この市場をフルラインアップで攻める姿勢を示していた。（2025/8/7）

TECHNO-FRONTIER 2025：
STM32×AIで実現　ドローンモーターの異常をリアルタイムで検知して協調
STマイクロエレクトロニクスは「TECHNO-FRONTIER 2025」に出展し、マイコンを用いたエッジAIソリューションやAIデータセンター向け電源ソリューションを紹介した。（2025/8/7）

研究開発の最前線：
手戻り大幅削減　材料開発期間を短縮するレゾナックパワーモジュールR＆D拠点の共創
レゾナックは、小山事業所（栃木県小山市）内のパワーモジュール研究開発拠点「パワーモジュールインテグレーションセンター（PMiC）」で同拠点の説明会と見学会を行った。（2025/8/7）

GaNのビジネスモデルはIDMが強いのか：
TSMCのGaN撤退が示唆すること
TSMCが2027年7月までにGaNファウンドリー事業から撤退すると決定した。これは、GaNパワーデバイスのビジネスモデルにとって何を意味しているのか。（2025/8/6）

「世界最小パッケージ」1200V SBDで攻める：
タイワン・セミコンダクターがSiCパワー半導体市場に参入、その狙いは
Taiwan Semiconductorが、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体事業に参入。1200V耐圧品としては「世界最小パッケージ」（同社）となるSiCショットキーバリアダイオード（SBD）製品群を販売開始した。TSCのプロダクトマーケティング担当バイスプレジデントを務めるSam Wang氏に話を聞いた。（2025/8/6）

GaN搭載6.6kW OBC試作品を公開：
「GaNのコストは5年以内にSi並みに」　ロームの勝ち筋は
「窒化ガリウム（GaN）は、遅くとも5年以内にシリコン（Si）のコストに追い付くだろう」――。ロームは、GaNパワー半導体の大きな課題の1つとされるコスト面について、こうした見解を示す。民生向け中心からAIサーバや車載などへの展開が加速し、本格化してきたGaNパワー半導体市場。ロームは、GaNのさらなる普及に注力しながら、独自の強みを生かし市場での存在感を高めていく方針だ。（2025/8/5）

研究開発の最前線：
イオン注入によりr-GeO2半導体にn型導電性を付与することに成功
Patentixは、イオン注入により、r-GeO2に対してn型導電性を付与することに成功した。r-GeO2は、p型、n型の両方の導電制御を可能とする次世代パワー半導体材料だ。（2025/8/5）

創業140年を迎える：
「われわれのDNAは製造業」 半導体用材料開発を加速する田中貴金属
田中貴金属グループは2025年7月31日、創業140年を記念した記者説明会を開催した。同社の売上高の7割を占める産業事業では、半導体用材料の開発やカーボンニュートラル実現への取り組みを強化する。【訂正あり】（2025/8/4）

中国とのコスト競争にも自信：
車載SiCモジュール強化の三菱電機、独自モジュール「J3」の新製品投入へ
三菱電機が、車載SiCデバイスの技術開発を強化している。2024年に車載用パワー半導体モジュールの量産品として同社初のSiC MOSFET搭載品である「J3」シリーズを発表した同社は、世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo&Conference 2025」において、開発中の「J3シリーズ SiCリレーモジュール」を初公開した。（2025/7/30）

日本向けサポートが充実：
SiC／GaNにも　数秒で解析が完了するパワエレ向け国産回路シミュレーター
スマートエナジー研究所は「TECHNO-FRONTIER 2025」（2025年7月23〜25日、東京ビッグサイト）に出展し、パワーエレクトロニクス向けの高速回路シミュレーター「Scideam（サイディーム）」を紹介した。（2025/7/25）

複雑なパワー半導体の作製が容易に：
二酸化ゲルマニウム半導体技術が前進、イオン注入でn型導電性
Patentixは、次世代のパワー半導体材料として注目されているルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）結晶膜に対し、イオン注入法によりドナー不純物を添加することで、n型導電性を付与することに成功した。これにより、複雑な構造を有するパワー半導体デバイスの作製が容易になる。（2025/7/25）

上面放熱パッケージで性能を引き出す：
PR：使いやすいSiCの到来――放熱設計と高速駆動の課題に応えるCoolSiC G2×Q-DPAK
自動車の電動化や再生可能エネルギー産業の成長を背景に、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体の活用が広がっている。かつては高価格／高性能な用途に限られていたが、現在ではウエハー生産量が増加して価格が手ごろになり、幅広い用途での採用が現実的になっている。ここで立ちはだかるのが信頼性や放熱設計、インダクタンス低減といった“使い勝手”の壁だ。インフィニオン テクノロジーズの「CoolSiC MOSFET G2」と表面実装／上面放熱に対応したパッケージ「Q-DPAK」は、こうした設計課題への現実的な解決策を提示する製品だ。（2025/7/28）

PCIM Expo&Conference 2025：
新JFETやSuper Junction品投入へ、InfineonのSiC戦略
Infineon Technologiesは高速かつ堅牢な電力供給システムに対する需要に対応するSiC JFETデバイスや、オン抵抗を従来比40％削減するトレンチベースのスーパージャンクション技術を採用したSiC MOSFETの開発など、SiCパワー半導体事業においてさらなる競争力の強化を図っている。（2025/7/23）

材料技術：
粒子の平均径が15nmの銅ナノフィラー発売　優れた分散安定性を6カ月以上
エレファンテックは銅粒子の平均径が15nmの「銅ナノフィラー」を発売した。（2025/7/22）