「パワー半導体」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

材料技術：
高性能無酸素銅に「異形条」が新登場、同一素材で製作／同時成形可能
自動車の電動化が進む中、電気機器部材にはより高い信頼性と性能が求められている。こういった需要に応える製品の1つとして、三菱マテリアルは高性能無酸素銅「MOFCシリーズ」で「異形条」タイプを開発した。（2025/11/21）

頭脳放談：
第306回 ネクスペリア危機で世界が震撼？　VWやホンダの生産停止を招いた車載半導体サプライチェーンに悪夢再び
2025年10月、オランダ政府による異例の決定が、世界的な半導体供給危機を再燃させた。大手NXP Semiconductorsから分離し、中国資本傘下となったNexperiaが製造する半導体の供給が、中国政府の措置により停止したからだ。VWやホンダなどの大手自動車メーカーは、単価は安くとも不可欠な部品の欠品により、生産停止の危機に直面している。本稿では、この小さな部品に起因する世界的危機と、サプライチェーンの脆弱性について解説する。（2025/11/21）

EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版 2025年11月号：
欧州が直面する半導体戦略の「理想と現実」――電子版2025年11月号
「EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版」の2025年11月号を発行しました。EE Exclusive（電子版限定先行公開記事）は『欧州が直面する半導体戦略の「理想と現実」』です。（2025/11/20）

田中貴金属やIndiumなど：
半導体の一大新興市場インド　材料メーカーは後工程に注目
半導体において最大の新興市場ともいえるインド。材料メーカーも新たなビジネスチャンスを求めて攻勢をかける準備を整えている。（2025/11/19）

UMCが解説：
エッジAIにこそ先進パッケージング技術が必要
クラウドAI向けでよく語られる3次元実装だが、UCMの担当者は先進パッケージングはエッジAIにこそ向いていると語る。（2025/11/17）

パワーマネジメント機能搭載：
動作音を抑えるGaNフライバックコンバーター、STマイクロ
STマイクロエレクトロニクスは、電源設計を簡略化し、可聴ノイズを抑えるGaNフライバックコンバーターICシリーズを発表した。独自技術で負荷を低減し、電源や充電器の動作音を抑える。（2025/11/17）

中国の自国製シフトが業績に響く：
AIデータセンター向けでGaNやSiC品開発、IPMで新市場狙うサンケン電気
サンケン電気は、AIデータセンターの空調／液冷システムに向け、高耐圧の窒化ガリウム（GaN）および炭化ケイ素（SiC）パワー半導体搭載IPMの展開を計画している。2025年11月12日の決算説明会で、同社社長の高橋広氏が計画を語った。（2025/11/14）

大山聡の業界スコープ（94）：
前門の虎、後門の狼 ―― 日本の半導体はどうすべきか
中国のパワー半導体メーカーが急速に台頭し、日欧勢を脅かしている。AIブームで勢いづくロジック・メモリ分野では日本が蚊帳の外にあり、パワー半導体でも中国勢が猛追。AIブームに乗れずレガシー分野でも競争が激化する日本は、まさに「前門の虎、後門の狼」の状況にある。（2025/11/14）

モノづくり総合版メルマガ 編集後記：
「数の利」を地で行く中国
「怖いもの無し」の集団が100％以上の力でぶつかってくるので、強いわけですよね……。（2025/11/13）

組み込み開発ニュース：
オンセミが縦型GaNと最新ADASセンサーを披露、日本市場へは「安定供給」を強調
オンセミが2027年度の量産化を目指す縦型GaNデバイス「Vertical GaN」を紹介するとともに、ADAS向け最新イメージセンサーのデモンストレーションを披露した。（2025/11/13）

データセンター向け発電システムの対米投資　「需要や適正な利益確保が必要」　三菱電社長
10月28日に日米両政府が発表した対米投資の「ファクトシート」で同社がデータセンター向け発電システムなどの投資に関心を示しているとされたことに言及。（2025/11/10）

26〜28年度の中計を発表：
ロームは28年度にSiC事業黒字化へ、中国にも「開発力で負けない」
ロームは2026年度から2028年度までの3カ年の中期経営計画を発表した。SiC事業については「2028年度に黒字化達成を確信している」と強調した。【訂正あり】（2025/11/10）

約5mmの大きさを実現：
「世界初」FZ法でルチル型二酸化ゲルマニウムバルク結晶を育成、Patentix
Patentixは、FZ法（浮遊帯域溶解法）を用いて、ルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）バルク結晶を育成することに成功した。引き続き、結晶のさらなる大型化と高品質化に取り組み、ハーフインチサイズのr-GeO2バルク基板について早期実現を目指す。（2025/11/10）

高いテスト効率と拡張性を実現：
SiCやGaNにも対応、アドバンテストのパワー半導体向け統合テスト基盤
アドバンテストは、パワー半導体向け統合テストプラットフォーム「MTe（Make Test easy）」を発表した。拡張性に優れたMTeは、自動車や産業機器などに用いられるパワー半導体素子やモジュールの検査／評価を、高い効率で行うことができる。（2025/11/6）

Japan Mobility Show 2025：
デンソーの新型インバーターは電力損失7割削減、SDV対応のオリジナルSoCも開発
デンソーは、「Japan Mobility Show（ジャパンモビリティショー） 2025」で開催したプレスカンファレンスにおいて、SiCデバイスを採用した電動車向けの新型インバーターとSDV時代に対応する統合モビリティコンピュータを発表した。（2025/11/4）

25年の市場見込みは2869億円：
WBG半導体単結晶の世界市場、35年には8000億円超へ　パワー向けがけん引
矢野経済研究所の調べによれば、ワイドバンドギャップ半導体単結晶の世界市場（メーカー出荷金額ベース）は、2025年に2869億円となる見込みで、2035年は8298億円規模に達するという。バッテリー電気自動車（BEV）や鉄道車両、産業機器などに搭載されるパワー半導体向けを中心に、ワイドバンドギャップ半導体単結晶の採用が進む。（2025/10/31）

GaN-on-GaN技術で攻める：
onsemiが縦型GaNパワー半導体開発、700Vと1200V品をサンプル提供
onsemiが縦型窒化ガリウム（GaN）パワー半導体を開発した。GaN on GaN技術の製品で同社は「AIデータセンターや電気自動車（EV）など、エネルギー集約型アプリケーションによる世界的な電力需要の急増を背景に、onsemiは縦型GaNパワー半導体を発表した。この新デバイスは、これらの用途で電力密度、効率、堅牢性の新たな基準を打ち立てるものだ」と述べている。（2025/10/30）

前期の反動で出荷額は減少：
ディスコはAI関連が依然好調、上期の過去最高を更新
ディスコは2025年10月29日、2025年度第2四半期の決算を発表した。前年同期比で増収増益の結果で、2025年度上期で見ると、売上高は1945億円と、上期として過去最高の結果を記録したという。（2025/10/30）

SEMICON India 2025に初出展：
PR：貴金属の深い知見で半導体事業に攻勢！　接合／テストの信頼性を支える田中貴金属
田中貴金属が、半導体向け事業を強化している。長年の経験で培った貴金属の知見を強みに、インドなどの半導体新興市場への展開も視野に入れる。今回は、「SEMICON India 2025」に出展した製品から、ダイボンド向け銀接着剤、ボンディングワイヤ、プローブピン材料の3製品を紹介する。（2025/10/30）

Yoleが調査結果を発表：
24年のGaNデバイス市場、シェア1位は中国　トップ5に日本勢なし
フランスの市場調査会社Yole Groupによると、窒化ガリウム（GaN）パワーデバイス市場は2024年から2030年まで年平均成長率（CAGR）42％で成長し約30億米ドルの市場になるという。2024年の市場シェアでは中国Innoscienceがトップだった。日本勢はトップ5には入っていない。（2025/10/29）

「数年で製造コストをSiと同等に」：
300mm化、双方向スイッチ、車載――Infineonの最新GaNデバイス技術
Infineon Technologiesのオーストリア・フィラッハ拠点で2025年10月、同社の窒化ガリウム（GaN）事業部門責任者であるJohannes Schoiswohl氏が最新技術について語った。（2025/10/27）

素材／化学インタビュー：
次世代半導体基板向けの“柱”の開発順調、太陽HDが新施設で絶縁材料を進化
太陽ホールディングスは、2025〜2030年を対象とした新中期経営計画で、コア事業であるソルダーレジストインキの全方位的な成長に加え、次世代の利益の柱となる新規事業創出を加速するとした。本稿ではこれを踏まえて、同社のエレクトロニクス事業で中核を担う太陽インキ製造 取締役／技術開発センター長の宮部英和氏へのインタビューを通じ、同事業の取り組みを深掘りする。（2025/10/24）

300mm工場クリーンルームも公開：
Infineonのパワー半導体最前線　「技術革新の中核」フィラッハで聞く
Infineon Technologiesが、オーストリア・フィラッハ拠点でメディアやアナリスト向けのイベントを実施。事業責任者らが同社のシリコン（Si）、炭化ケイ素（SiC）および窒化ガリウム（GaN）パワー半導体の最新動向について語ったほか、2021年にオープンした300mmウエハー工場のクリーンルームも公開した。（2025/10/22）

半導体製造の源流を担う：
PR：半導体の原版を刻む「50万本の電子ビーム」――描画と検査、両輪の革新
日常生活や社会の発展に不可欠な半導体。その半導体を「源流」で支えるのがニューフレアテクノロジーだ。同社は、ガラス基板上に微細な回路パターンを超高速で描画する電子ビームマスク描画装置の世界市場で高いシェアを持つ。何事も諦めないエンジニアたちが電子工学や機械工学、情報処理技術、光学、化学といったあらゆる高度な技術を結集し、半導体の進化を加速する半導体製造装置の開発に挑み続けている。（2025/11/20）

大山聡の業界スコープ（93）：
パワー半導体はリチウムイオン電池の再来か　中国勢台頭の現実味
半導体製造装置など中国企業の発展、成長が著しい。特にパワー半導体分野において中国勢が台頭するのは時間の問題ではないかと思っている。今後中国製半導体製品はどのような進化、発展を目指しているのか。（2025/10/17）

高耐圧品や双方向スイッチのサンプルも：
Infineonが初の車載GaNパワートランジスタを生産開始 100V耐圧品
Infineon Technologiesが、車載用電子部品の信頼性規格「AEC-Q101」に適合した同社初の窒化ガリウム（GaN）トランジスタファミリーの生産を開始した。併せて高耐圧GaNトランジスタおよび双方向GaNスイッチを含むAEC-Q101準拠品のサンプル供給も開始した。（2025/10/16）

人生ゲームも登場：
就職先は剣で決める!?　「黒ひげ危機一発」で半導体業界をアピール
JEITAは、同社主催の「CEATEC 2025」（2025年10月14〜17日、幕張メッセ）で、学生向けに半導体産業を紹介するブース「JEITA半導体フォーラム2025」を、半導体企業9社と共同で出展。「半導体産業人生ゲーム」「黒ひげ危機一発×半導体産業人生占い」などが展開される。（2025/10/16）

電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記：
パワー半導体「技術革新の中心」Infineonフィラッハに訪問
インフィニオンは「全方位」で攻めていると実感しました。（2025/10/14）

専用評価ボードも提供：
各種保護機能を搭載　単電源マイコン向け車載PMIC、STマイクロ
STマイクロエレクトロニクスは、車載向けPMIC「SPSA068」を発表した。単電源で動作するマイクロコントローラー向けで、AEC-Q100やISO26262機能安全に対応。既に量産を開始している。（2025/10/9）

欧州半導体界の巨星：
STの礎を築いた伝説、Pasquale Pistorio氏追悼
欧州の半導体大手STMicroelectronicsを誕生させた功績を持つPasquale Pistorio氏がイタリア・ミラノにおいて89歳で死去した。本稿では、同氏の歩みとその功績を振り返る。（2025/10/7）

6／8インチn型SiCウエハーも：
名古屋大ら、溶液成長法による6インチp型SiCウエハー試作に成功
オキサイドパワークリスタルとMipox、UJ-Crystal、アイクリスタル、産業技術総合研究所（産総研）および名古屋大学の開発グループが、溶液成長法とシミュレーション技術を活用し、6インチp型炭化ケイ素（SiC）ウエハーおよび、6インチ／8インチn型SiCウエハーの試作に成功した。（2025/10/7）

工場ニュース：
山形工場にSiCエピタキシャルウエハーの建屋が完成、2026年に稼働
レゾナックは、レゾナック・ハードディスクの山形工場で、SiCエピタキシャルウエハーの生産建屋の竣工式を開催した。各種設備を導入して生産に向けた準備を進め、2026年に稼働する予定だ。（2025/10/2）

インターロック機能も搭載：
底面積53%縮小　ー40℃で連続動作するパワー半導体モジュール、三菱電機
三菱電機は、パワー半導体モジュール「DIPIPM」の新シリーズ「Compact DIPIPM」を発表した。定格電圧は600Vで、定格電流30Aの「PSS30SF1F6」と同50A「PSS50SF1F6」のサンプル提供を開始している。（2025/9/30）

EE Exclusive：
GaN、SiCパワー半導体の技術革新――PCIM 2025レポート
世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo＆Conference」が2025年5月、ドイツで開催された。本稿ではEE Times Japan記者が現地で取材した業界の最新動向および技術を紹介する。（2025/9/30）

京都大学 工学研究科 教授 木本恒暢氏：
SiCの20年　ウエハーは「中国が世界一」に、日本の強みは何か
次世代パワー半導体材料として注目度が高まる炭化ケイ素（SiC）。SiCパワーデバイスの研究開発は2000年代以降、飛躍的に進展してきた。SiCのこれまでの研究開発やパワーデバイス実用化の道のり、さらなる活用に向けた今後の課題について、京都大学 工学研究科 教授 木本恒暢氏に聞いた。（2025/9/29）

シリコンやGaNへの協業拡大も計画：
ロームとInfineon、SiCパワー半導体のパッケージ共通化で協業
ロームとInfineon Technologiesが、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体のパッケージ共通化で協業する。車載充電器、太陽光発電、エネルギー貯蔵システム、AIデータセンターなどで採用されるSiCパワーデバイスのパッケージについて、両社が相互に供給するセカンドソース体制の構築を進める。（2025/9/25）

「鉄道分野のGXに関する官民研究会」：
鉄道分野のGX目標設定──官民研究会が2040年に向けた基本方針を公表
国土交通省が主催する「鉄道分野のGXに関する官民研究会」は、2040年を見据えた鉄道分野のGX推進に向けた目標設定や戦略について検討を行い、その基本方針を取りまとめた。（2025/9/25）

DCグリッドの安全性を担う：
PR：DC遮断を次世代へ導く――インフィニオンが「CoolSiC」ブランド初のJFETを投入
エネルギー損失が少ない送電／配電網として、注目度が高まっている直流（DC）グリッド。この次世代のグリッドではDC電流をいかに高速に遮断できるかが重要になる。そこで脚光を浴び始めているのが炭化ケイ素（SiC）JFETだ。なぜSiC JFETがDC電流遮断に向くのか。SiCデバイスを長年手掛けるインフィニオン テクノロジーズが解説する。（2025/9/25）

材料技術：
パワー半導体接合材向けに粒径100nmの耐酸化ナノ銅粉を開発　従来の課題を克服
近年、銀価格の高騰を受けて、パワー半導体の接合材として銀粉の代わりに銅紛が求められている。しかし、銅粉は銀粉に比べて酸化しやすく、取り扱いが難しいという課題がある。これらの課題を解消した製品として、住友金属鉱山は「耐酸化ナノ銅粉」を開発した。（2025/9/22）

インバーター基板の小型化を可能に：
実装面積を削減できるパワー半導体モジュール、三菱電機
三菱電機は、パワー半導体モジュール「Compact DIPPM」シリーズとして2製品を開発、サンプル出荷を始める。従来製品に比べモジュールの床面積を約53％に縮小した。パッケージエアコンなどに搭載されるインバーター基板を小型化できる。（2025/9/12）

ポスト政策主導時代を迎える半導体市場（3）：
地政学要因で半導体製造は東南アジアとインドへ、東アジア一極集中の脱却なるか
半導体に関する各国の政策や技術開発の動向、そしてそれぞれに絡み合う用途市場の動きを分析しながら、「ポスト政策主導時代」の半導体業界の姿を提示する本連載。第3回は、転換点にある米欧の半導体政策に呼応する形で新たな産業政策を進める東南アジアの主要工業国やインドの政策動向を紹介する。（2025/9/12）

電動二輪車用途で：
Infineon、GaN搭載の軽EV用インバーター開発で中国メーカーと協業
Infineon Technologiesが、中国Ninebot子会社のLingji Innovation Technologyと窒化ガリウム（GaN）パワーデバイス搭載の軽電気自動車（LEV）向けインバーター開発で協業する。InfineonがGaNパワー半導体を供給し、Lingjiの電動二輪車用インバーターシステム開発をサポートする。（2025/9/10）

650A、800V以上に対応：
ロームのSiC搭載インバーター部品が量産開始、中国大手の新型EVに
ロームの第4世代炭化ケイ素（SiC） MOSFETベアチップを搭載した、ドイツ自動車部品大手Schaefflerの新型インバーターサブモジュールの量産が始まった。中国の大手自動車メーカーの新型電気自動車（EV）に搭載されるという。（2025/9/5）

先行き不透明感が際立つ：
2025年上半期の半導体業界を振り返る
世界経済、国際情勢ともに先行き不透明な中で幕を開けた2025年。本稿では、2025年上半期の半導体業界を振り返る。（2025/8/29）

EV向け高機能材料インタビュー：
EVの常識を変えるか？ 出光が挑む「柔らかい」全固体電池材料の強み
「充電が遅い」「走行距離が短い」「火災リスクがゼロではない」など、電気自動車（EV）の課題を一挙に解決すると期待される次世代バッテリー「全固体電池」。その実用化を阻む壁を、出光興産が開発した「柔らかい」固体電解質が打ち破ろうとしている。（2025/8/28）

品質向上、供給拡大に向けて基本合意：
東芝D&S、中SICCとSiCパワー半導体用ウエハーで連携
東芝デバイス＆ストレージは2025年8月22日、中国の炭化ケイ素（SiC）ウエハーメーカーSICCとSiCパワー半導体ウエハーに関するビジネス上の連携に向けた基本合意を発表した。SiCパワー半導体の特性向上や品質改善および、安定的なウエハーの供給拡大に向けた連携を実施する。（2025/8/26）

高耐圧GaNの製品化を加速：
GaNパワー半導体市場で拡大狙うサンケン電気、パウデックを吸収合併
サンケン電気は窒化ガリウム（GaN）パワーデバイス市場での拡大を狙い、開発を加速している。2025年8月13日には低オン抵抗で高耐圧化が容易な独自GaN技術を有する子会社パウデックの吸収合併をすると発表した。（2025/8/21）

電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記：
「コイン1枚に5トンのゾウ4頭分」の応力を制御、300mm GaNウエハーの量産近づく
300mmウエハーでの量産が始まれば、大幅なコスト低減が期待できます。（2025/8/18）

材料技術：
140周年迎えた田中貴金属、狙うは「リサイクル事業拡大」と「白金の新用途創出」
宝飾品や金地金で知られる田中貴金属グループが、創業140年を機に、プレスカンファレンスを開催した。電気自動車の普及による白金（プラチナ）需要の減少という危機を前に、老舗メーカーの同社が打ち出した解決策や、環境に貢献するリサイクル事業の強化など、新たな貴金属ビジネスが明かされた。（2025/8/18）

EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版 2025年8月号：
GaN、SiCパワー半導体の技術革新　PCIM 2025レポート――電子版2025年8月号
「EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版」の2025年8月号を発行しました。EE Exclusive（電子版限定先行公開記事）は『GaN、SiCパワー半導体の技術革新――PCIM 2025レポート』です。（2025/8/18）