「GaN」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

2025年12月4日（木）／視聴無料：
SiCウエハー加工からパッケージ技術まで網羅――「パワーエレクトロニス イニシアチブ」を開催！
EE Times Japan／EDN Japanは「パワーエレクトロニクス イニシアチブ」を2025年12月4日にオンラインで開催致します。基調講演4本をご紹介します。（2025/11/28）

名古屋工業大学 電気・機械工学科 教授 加藤正史氏：
「技術絶やさないで」 中国勢が躍進するSiC市場、日本の勝ち筋を探る
高耐熱／高耐圧用途向けでシリコン（Si）に代わる次世代パワー半導体材料として、炭化ケイ素（SiC）への注目度がますます高まっている。2025年9月に開催されたSiCに関する国際学会「International Conference on Silicon Carbide and Related Materials（ICSCRM） 2025」での動向などを踏まえて、SiC開発の現状や日本を含めた世界のプレイヤーの勢力図について、名古屋工業大学 電気・機械工学科 教授の加藤正史氏に聞いた。（2025/11/27）

EdgeTech＋ 2025：
加速するヒューマノイドロボット開発に求められる技術とは？　TIが語る
Texas Instrumentsの日本法人である日本テキサス・インスツルメンツは「EdgeTech＋ 2025」（2025年11月19〜21日、パシフィコ横浜）にて、「先進的半導体技術が切り拓くヒューマノイドロボットの未来」と題した基調講演に登壇。大きな変化を遂げてきたロボティクス技術のこれまでと現在、そしてヒューマノイドロボティクスの発展に向けて必要とされる技術、TIが提供するソリューションについて取り上げた。（2025/11/26）

26年後半に量産開始へ：
米国はGaNパワー半導体製造の中核になるか、NavitasがGFと提携
TSMCが2年以内に窒化ガリウム（GaN）ファウンドリー事業を段階的に終了すると表明して以来、業界にその波紋は広がり続けている。最近、この技術に関する新たな展開があった。GlobalFoundries（GF）がTSMCの650Vおよび80V向けGaNパワー半導体製造技術のライセンスを取得したことに加え、NavitasがGFとの提携を発表したのだ。（2025/11/26）

組み込み開発ニュース：
損失を半減する次世代縦型GaNパワー半導体、AIやEVの効率化を推進
onsemiは、AIデータセンターやEVなどの高電力アプリケーション向けに、次世代縦型GaNパワー半導体を発表した。GaN-on-GaN構造で高電力密度と効率を両立し、損失を約50％低減する。（2025/11/25）

「Anker Prime Wall Charger（67W, 3 ports, GaN）」が45％オフの4690円で販売中
Amazon.co.jpにて、Ankerの急速充電器「Anker Prime Wall Charger (67W, 3 ports, GaN)」がセール価格で登場している。（2025/11/21）

頭脳放談：
第306回 ネクスペリア危機で世界が震撼？　VWやホンダの生産停止を招いた車載半導体サプライチェーンに悪夢再び
2025年10月、オランダ政府による異例の決定が、世界的な半導体供給危機を再燃させた。大手NXP Semiconductorsから分離し、中国資本傘下となったNexperiaが製造する半導体の供給が、中国政府の措置により停止したからだ。VWやホンダなどの大手自動車メーカーは、単価は安くとも不可欠な部品の欠品により、生産停止の危機に直面している。本稿では、この小さな部品に起因する世界的危機と、サプライチェーンの脆弱性について解説する。（2025/11/21）

Amazon ブラックフライデー：
Ankerの完全ワイヤレスイヤフォンやプロジェクターがお得！
アンカー・ジャパンがAmazon ブラックフライデーに、300以上の製品を出品する。本稿で紹介するのはごく一部だが、セール期間中は最大60％オフの製品もあるという。気になる人はぜひチェックしてみてほしい。（2025/11/18）

車載センサー売上高の20％が日本向け：
「日本は重要市場」　縦型GaNデバイスと最新ADAS技術を披露、オンセミ
onsemiはプレス向け説明会を実施し、車載向けイメージセンシング技術の取り組みや日本市場での戦略を紹介した。車載向けイメージセンサーのデモに加え、2025年10月にサンプル提供を開始した縦型窒化ガリウム（GaN）パワーデバイスも披露した。（2025/11/18）

パワーマネジメント機能搭載：
動作音を抑えるGaNフライバックコンバーター、STマイクロ
STマイクロエレクトロニクスは、電源設計を簡略化し、可聴ノイズを抑えるGaNフライバックコンバーターICシリーズを発表した。独自技術で負荷を低減し、電源や充電器の動作音を抑える。（2025/11/17）

imecが650V超のGaN破壊電圧達成：
300mm QST基板を用い高耐圧GaN HEMTデバイスを開発、信越化学
信越化学工業は、300mm GaN専用の成長基板である「QST基板」を用い、imecが5μm厚のGaN HEMT構造を作製し、650Vを超える高耐圧を達成した。「SEMI規格に準拠した300mm基板としては世界最高の破壊電圧」（同社）だという。（2025/11/17）

ベルキン、iPhone 17シリーズ対応製品など350製品が最大50％オフ：Amazonブラックフライデー
ベルキンが「Amazonブラックフライデー」と先行セールに参加。Qi2 25Wワイヤレス充電器、iPhone 17対応保護ケース、ドッキングステーションなど350製品が最大50％オフになる。（2025/11/14）

中国の自国製シフトが業績に響く：
AIデータセンター向けでGaNやSiC品開発、IPMで新市場狙うサンケン電気
サンケン電気は、AIデータセンターの空調／液冷システムに向け、高耐圧の窒化ガリウム（GaN）および炭化ケイ素（SiC）パワー半導体搭載IPMの展開を計画している。2025年11月12日の決算説明会で、同社社長の高橋広氏が計画を語った。（2025/11/14）

大山聡の業界スコープ（94）：
前門の虎、後門の狼 ―― 日本の半導体はどうすべきか
中国のパワー半導体メーカーが急速に台頭し、日欧勢を脅かしている。AIブームで勢いづくロジック・メモリ分野では日本が蚊帳の外にあり、パワー半導体でも中国勢が猛追。AIブームに乗れずレガシー分野でも競争が激化する日本は、まさに「前門の虎、後門の狼」の状況にある。（2025/11/14）

26年に米国で生産開始：
GlobalFoundries、TSMCのGaN技術ライセンスを取得
GlobalFoundriesが、TSMCと650Vおよび80Vの窒化ガリウム（GaN）技術に関するライセンスの供与を受ける契約を締結した。GFは米国の工場に技術を導入。開発は2026年初頭に開始し、同年後半には生産を開始する予定だ。（2025/11/13）

モノづくり総合版メルマガ 編集後記：
「数の利」を地で行く中国
「怖いもの無し」の集団が100％以上の力でぶつかってくるので、強いわけですよね……。（2025/11/13）

「CES 2026」に出展：
8時間の4K動画を5分で伝送！ 「世界最速」水中光無線通信、京セラ
京セラは、2026年1月に米国ネバダ州ラスベガスで開催される世界最大級のテクノロジー見本市「CES 2026」に出展する。同社はそれに先立ってプレス向けの説明会を開催し、水中光無線通信技術や3眼AI測距カメラなどの出展内容を紹介した。（2025/11/13）

組み込み開発ニュース：
オンセミが縦型GaNと最新ADASセンサーを披露、日本市場へは「安定供給」を強調
オンセミが2027年度の量産化を目指す縦型GaNデバイス「Vertical GaN」を紹介するとともに、ADAS向け最新イメージセンサーのデモンストレーションを披露した。（2025/11/13）

高速高電圧で高いCMRR特性を持ちながら導入しやすさを両立：
PR：差動プローブでSiC／GaNデバイスの正確な波形測定が可能に
半導体として優れた特性を持ち、採用拡大が進んでいる炭化ケイ素（SiC）／窒化ガリウム（GaN）パワーデバイス。横河計測は、次世代パワーデバイスの高速な電気信号を正確に測定できる高電圧差動プローブを開発した。（2025/11/14）

AirShaperとは？　その実力を拝見（3）：
検証で見えた「AirShaper」の真価　CFDの民主化は信頼性と拡張性から
CFDソフトウェアは設計現場においても徐々に普及しつつあるが、導入コストや操作の難しさから、気軽に扱える環境は依然として限られている。そうした中で登場したのが、クラウドベースのCFD解析サービス「AirShaper」だ。本連載ではその実力と可能性を、実際の使用感とともに検証する。第3回は、AirShaperの“信頼性”と“拡張性”に焦点を当て、その真価を探る。（2025/11/13）

NVIDIAの800V直流電源アーキテクチャに対応：
「スマホ大の12kW電力供給ボード」を目指す　STの次世代AI DC向け技術
STMicroelectronicsは、次世代AIデータセンター向け電源供給システムの試作品を発表した。NVIDIAが開発する800V直流電源アーキテクチャをサポートする新しい設計だ。（2025/11/12）

サファイア基板＆PSJ技術：
独自技術で攻めるサンケン電気のGaN戦略　30年には縦型量産も
サンケン電気がGaNパワーデバイス市場への本格参入を狙っている。競争も激化しているが、高耐圧かつ低コストを実現する独自技術の横型GaNで差別化を図る他、2030年度には縦型GaNの量産も計画しているという。今回、同社幹部に詳細を聞いた。（2025/11/12）

約5mmの大きさを実現：
「世界初」FZ法でルチル型二酸化ゲルマニウムバルク結晶を育成、Patentix
Patentixは、FZ法（浮遊帯域溶解法）を用いて、ルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）バルク結晶を育成することに成功した。引き続き、結晶のさらなる大型化と高品質化に取り組み、ハーフインチサイズのr-GeO2バルク基板について早期実現を目指す。（2025/11/10）

dMode GaN HEMT向け：
GaNデバイスの低コスト化促進　X-FABがGaN-on-Siウエハー提供開始
アナログ／ミックスドシグナル専業ファウンドリーのX-FABが、dMode（デプリーションモード）デバイス向けGaN-on-Siウエハーの提供を始めた。（2025/11/7）

VIS委託など「さまざまな可能性を検討」：
TSMCのGaN撤退は「ものすごく大きな痛手」、ローム社長
ローム社長の東克己氏は2025年11月6日、TSMCのGaNファウンドリー事業撤退の決定について「われわれにとって非常に痛い、大きな痛手だ」と言及。生産移管先についてはTSMC傘下のVanguard International Semiconductorと協議していることに触れつつ、現在も社内／協業を含めたさまざまな可能性を検討している段階だと説明した。（2025/11/6）

高いテスト効率と拡張性を実現：
SiCやGaNにも対応、アドバンテストのパワー半導体向け統合テスト基盤
アドバンテストは、パワー半導体向け統合テストプラットフォーム「MTe（Make Test easy）」を発表した。拡張性に優れたMTeは、自動車や産業機器などに用いられるパワー半導体素子やモジュールの検査／評価を、高い効率で行うことができる。（2025/11/6）

25年の市場見込みは2869億円：
WBG半導体単結晶の世界市場、35年には8000億円超へ　パワー向けがけん引
矢野経済研究所の調べによれば、ワイドバンドギャップ半導体単結晶の世界市場（メーカー出荷金額ベース）は、2025年に2869億円となる見込みで、2035年は8298億円規模に達するという。バッテリー電気自動車（BEV）や鉄道車両、産業機器などに搭載されるパワー半導体向けを中心に、ワイドバンドギャップ半導体単結晶の採用が進む。（2025/10/31）

GaN-on-GaN技術で攻める：
onsemiが縦型GaNパワー半導体開発、700Vと1200V品をサンプル提供
onsemiが縦型窒化ガリウム（GaN）パワー半導体を開発した。GaN on GaN技術の製品で同社は「AIデータセンターや電気自動車（EV）など、エネルギー集約型アプリケーションによる世界的な電力需要の急増を背景に、onsemiは縦型GaNパワー半導体を発表した。この新デバイスは、これらの用途で電力密度、効率、堅牢性の新たな基準を打ち立てるものだ」と述べている。（2025/10/30）

AI／GaNなどの新技術にも注力：
製造自立へ拠点拡大と強靭化を進めるTIの戦略　EMEA担当プレジデントに聞く
Texas Instrumentsは半導体製造における自立性を高めるため、2030年までに自社生産能力を95％超に拡大するという目標を掲げている。同社の欧州／中東／アフリカ地域（EMEA）担当プレジデントであるStefan Bruder氏に独占インタビューを行い、同社工場の生産能力拡大や、設計のスピード、インドにおける事業計画などについて話を聞いた。（2025/10/30）

Yoleが調査結果を発表：
24年のGaNデバイス市場、シェア1位は中国　トップ5に日本勢なし
フランスの市場調査会社Yole Groupによると、窒化ガリウム（GaN）パワーデバイス市場は2024年から2030年まで年平均成長率（CAGR）42％で成長し約30億米ドルの市場になるという。2024年の市場シェアでは中国Innoscienceがトップだった。日本勢はトップ5には入っていない。（2025/10/29）

「数年で製造コストをSiと同等に」：
300mm化、双方向スイッチ、車載――Infineonの最新GaNデバイス技術
Infineon Technologiesのオーストリア・フィラッハ拠点で2025年10月、同社の窒化ガリウム（GaN）事業部門責任者であるJohannes Schoiswohl氏が最新技術について語った。（2025/10/27）

Hexagon 運転・保全DXカンファレンス 講演レポート：
ベテラン社員のプラント運転／保守を若手が実現！　化学会社のAI活用事例
石油／化学プラントの「人依存」からの脱却は可能か――現場の運転／保全業務におけるDXは、今どこまで進んでいるのか。Hexagon主催のカンファレンスから、製造業のデジタル化動向に詳しいARC Advisory Groupの講演を紹介する。（2025/10/27）

ブートストラップダイオード集積：
STの新GaN制御IC、低電圧システムでの電源設計を簡略化
STマイクロエレクトロニクスは、窒化ガリウム（GaN）用のハーフブリッジゲートドライバーICとして「STDRIVEG210」と「STDRIVEG211」の2製品を発表した。産業用機器やコンピュータ周辺機器などにおける電力変換用途に向ける。（2025/10/23）

300mm工場クリーンルームも公開：
Infineonのパワー半導体最前線　「技術革新の中核」フィラッハで聞く
Infineon Technologiesが、オーストリア・フィラッハ拠点でメディアやアナリスト向けのイベントを実施。事業責任者らが同社のシリコン（Si）、炭化ケイ素（SiC）および窒化ガリウム（GaN）パワー半導体の最新動向について語ったほか、2021年にオープンした300mmウエハー工場のクリーンルームも公開した。（2025/10/22）

爆発的な電力需要に応える：
NVIDIA提唱の800V直流AIデータセンター電力供給、ルネサスがGaNで対応
ルネサス エレクトロニクスは、窒化ガリウム（GaN）電源ソリューションを用意し、NVIDIAが提唱する800V直流電源アーキテクチャに対応していくと発表した。（2025/10/22）

CRIが参考展示：
GaN FETで低電力、高効率オーディオアンプ　車載などで注目
CRI・ミドルウェアは「CEATEC 2025」（2025年10月14〜17日、幕張メッセ）に出展し、同社のサウンドミドルウェア「CRI D-Amp Driver」とGaN FET増幅素子を組み合わせたアンプモジュールの参考展示などを行った。（2025/10/21）

Pat Gelsinger氏参画のVCが主導：
MIT発の縦型GaN新興が1100万ドル調達、信越化学工業らが出資
米国マサチューセッツ工科大学発の新興企業Vertical Semiconductorが、縦型窒化ガリウム（GaN）トランジスタ開発に向け、1100万米ドルを調達したと発表した。ベンチャーキャピタルのPlayground Globalが主導したシード資金調達で、信越化学工業も出資に参加している。（2025/10/20）

半導体製造の源流を担う：
PR：半導体の原版を刻む「50万本の電子ビーム」――描画と検査、両輪の革新
日常生活や社会の発展に不可欠な半導体。その半導体を「源流」で支えるのがニューフレアテクノロジーだ。同社は、ガラス基板上に微細な回路パターンを超高速で描画する電子ビームマスク描画装置の世界市場で高いシェアを持つ。何事も諦めないエンジニアたちが電子工学や機械工学、情報処理技術、光学、化学といったあらゆる高度な技術を結集し、半導体の進化を加速する半導体製造装置の開発に挑み続けている。（2025/11/20）

高耐圧品や双方向スイッチのサンプルも：
Infineonが初の車載GaNパワートランジスタを生産開始 100V耐圧品
Infineon Technologiesが、車載用電子部品の信頼性規格「AEC-Q101」に適合した同社初の窒化ガリウム（GaN）トランジスタファミリーの生産を開始した。併せて高耐圧GaNトランジスタおよび双方向GaNスイッチを含むAEC-Q101準拠品のサンプル供給も開始した。（2025/10/16）

電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記：
パワー半導体「技術革新の中心」Infineonフィラッハに訪問
インフィニオンは「全方位」で攻めていると実感しました。（2025/10/14）

AirShaperとは？　その実力を拝見（2）：
【実践編】“手軽さ”の裏側にある「AirShaper」の高度な自動化技術
CFDソフトウェアは設計現場においても徐々に普及しつつあるが、導入コストや操作の難しさから、気軽に扱える環境は依然として限られている。そうした中で登場したのが、クラウドベースのCFD解析サービス「AirShaper」だ。本連載ではその実力と可能性を、実際の使用感とともに検証する。第2回は、シンプルな使い勝手を支えるAirShaperの裏側の技術に注目しながら活用の流れを紹介する。（2025/10/14）

組み込み開発ニュース：
ロームとインフィニオンがSiCパッケージを共通化、調達の柔軟性を拡大へ
ロームとInfineon Technologies（インフィニオン）は、SiCパワーデバイスのパッケージを共通化する協業を開始した。両社から互換製品を調達できるようになり、設計や調達の利便性が高まる。（2025/10/7）

ベルキン製品が「Amazonプライム感謝祭」で最大20％オフ　3-in-1ワイヤレス充電器など
ベルキンは、10月4日から開催の「Amazonプライム感謝祭」へ参加。iPhone 17シリーズで利用できるQi2対応25Wワイヤレス充電器などを最大20％オフで販売する。（2025/10/2）

EE Exclusive：
GaN、SiCパワー半導体の技術革新――PCIM 2025レポート
世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo＆Conference」が2025年5月、ドイツで開催された。本稿ではEE Times Japan記者が現地で取材した業界の最新動向および技術を紹介する。（2025/9/30）

組み込み開発ニュース：
水中光無線通信の実海域試験で最大通信速度750Mbpsを達成
京セラは、GaNレーザーを活用した水中光無線通信の実海域試験を実施し、最大通信速度750Mbpsを達成した。従来の音響通信では難しかった、高精細映像や大容量データの伝送が可能になる。（2025/9/29）

京都大学 工学研究科 教授 木本恒暢氏：
SiCの20年　ウエハーは「中国が世界一」に、日本の強みは何か
次世代パワー半導体材料として注目度が高まる炭化ケイ素（SiC）。SiCパワーデバイスの研究開発は2000年代以降、飛躍的に進展してきた。SiCのこれまでの研究開発やパワーデバイス実用化の道のり、さらなる活用に向けた今後の課題について、京都大学 工学研究科 教授 木本恒暢氏に聞いた。（2025/9/29）

シリコンやGaNへの協業拡大も計画：
ロームとInfineon、SiCパワー半導体のパッケージ共通化で協業
ロームとInfineon Technologiesが、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体のパッケージ共通化で協業する。車載充電器、太陽光発電、エネルギー貯蔵システム、AIデータセンターなどで採用されるSiCパワーデバイスのパッケージについて、両社が相互に供給するセカンドソース体制の構築を進める。（2025/9/25）

福田昭のデバイス通信（503） EETimes Japan 20周年記念寄稿（その4）：
創刊前の20年間（1985年〜2005年）で最も驚いたこと：「高輝度青色発光ダイオード」（後編）
前回に続き、20周年記念寄稿として発光ダイオード（LED）、特に「高輝度青色発光ダイオード」に焦点を当てます。高輝度青色LEDの誕生に至る「低温バッファ層」技術の偶然と必然、研究者の挑戦と快進撃を振り返ります。（2025/9/26）

次世代海洋IoTの実現目指す：
京セラが実海域で750Mbpsの水中光無線通信に成功、GaNレーザー用い
京セラは、京セラSLDレーザー製のGaNレーザーを搭載した水中光無線通信システムを試作し、実海域における実証実験で750Mビット/秒（bps）という世界最速レベルの高速通信に成功した。水中ドローンとの通信など次世代海洋IoTの実現に向け、通信速度をギガレベルまで高めながら、2027年までに同システムの実用化を目指す。（2025/9/22）

AI・機械学習の用語辞典：
ワッサースタイン距離（Wasserstein distance）とは？
2つの確率分布間の“距離”を測る指標で、「ある分布をもう一方に重ねるために、どれだけ“確率質量”を動かす必要があるか」を表す。値が0なら「完全一致」、大きいほど「異なる」ことを意味する。主に統計学や機械学習で使われ、データドリフト検出や生成モデル（WGAN）などに応用される。別名「アースムーバー距離」。（2025/9/19）