　安川電機は、2010年1月から、独自の電子式巻き線切り替え技術を採用したモーターシステム「QMET（Qualified Magneto-Electronics Transmission）ドライブ」を、EVやハイブリッド車（HEV）向けに展開している。SiC-QMETは、このQMETドライブをベースとしたものである。QMETでは、モーター側に内蔵されている巻き線切り替えの制御回路と、モーターとは別の部品であるインバータの制御回路にSi（シリコン）デバイスを用いたパワーモジュールを採用していた。SiC-QMETでは、このパワーモジュールに替えて、ロームのSiCパワーモジュールを採用した（写真1）。これにより、SiC-QMETでは、従来のQMETドライブと比べて、制御回路部の容積が1/2以下になり、変換効率も94％から96％に向上した。

写真2　SiCパワーモジュールの内部構造　

　ロームのSiCパワーモジュールは、同社が開発したSiC‐トレンチMOSFETとSiC-SBD（ショットキーバリアダイオード）を用いている（写真2）。SiC‐トレンチMOSFETは、同社が独自に開発したデバイス構造を採用しており、一般的なプレーナ構造を用いているSiC-DMOSFET（Double-Diffusion MOSFET）と比べてオン抵抗を1/3以下に低減できるという。ロームは、2010年12月から量産を開始したSiC-DMOSFETの次世代品として、数年後の実用化に向けてSiC-トレンチMOSFETの開発を進めている。

　また、SiCデバイスは、動作温度の上限が約170℃のSiデバイスと異なり、200℃以上でも動作が可能なことを特徴としている。今回SiC-QMETに採用されたSiCパワーモジュールには、ロームの高温動作モジュール技術が適用された。

　なお、安川電機は、東京ビッグサイトで開催される『第3回国際カーエレクトロニクス技術展/第2回 EV・HEV駆動システム技術展』（2011年1月19日～1月21日）において、SiC-QMETを出展する予定である。