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「シリコン」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

「シリコン」に関する情報が集まったページです。

組み込み開発ニュース:
電力損失がSiの20分の1、NTTが次々世代パワー半導体AlNのトランジスタ動作に成功
日本電信電話(NTT)は、SiC(炭化シリコン)やGaN(窒化ガリウム)を上回る次々世代パワー半導体材料として期待されるAlN(窒化アルミニウム)を用いたトランジスタ動作に成功したと発表した。AlNのトランジスタ動作に成功したのは「世界初」(NTT)だという。(2022/4/25)

新たな結晶育成技術と装置を開発:
貴金属るつぼを使わず、酸化ガリウム単結晶を作製
東北大学発ベンチャーのC&Aと東北大学金属材料研究所は、「貴金属るつぼ」を用いない新たな結晶育成手法により、最大約5cm径の酸化ガリウム単結晶を作製することに成功した。製造コストを抑えつつ高品質の結晶育成が可能となる。(2022/4/7)

FAニュース:
回路にダメージを与えることなく、低温で基板を接合できる技術を確立
明電ナノプロセス・イノベーションは、回路などにダメージを与えず、低温で基板を接合できる「低温ダメージレス無接着剤接合技術」を発表した。加熱による回路へのダメージを最小限に抑えつつ、接合の工程時間も短縮できる。(2022/4/1)

GaNパワー半導体入門(1):
GaNパワートランジスタとは
省エネ化/低炭素社会のキーデバイスとして、化合物半導体である窒化ガリウム(GaN)を用いたパワー半導体が注目を集めている。本連載では、次世代パワー半導体とも称されるGaNパワー半導体に関する基礎知識から、各電源トポロジーにおけるシリコンパワー半導体との比較まで徹底解説していく。第1回である今回は、GaNパワートランジスタの構造や特長、ターゲットアプリケーションなどについて説明する。(2022/3/30)

炭化ケイ素層を用い膜剥がれ防ぐ:
ダイヤモンドと接合したGaNで、トランジスタ作製
大阪市立大学と東北大学、エア・ウォーターらの研究グループは、ダイヤモンドに直接接合した窒化ガリウム(GaN)を約800℃で熱処理し、GaNトランジスタを作製することに成功した。(2022/3/23)

工場ニュース:
EV向けに開発と適用範囲を拡大、SiCパワー半導体増産に向け設備投資を決定
富士電機は、富士電機津軽セミコンダクタに、SiCパワー半導体増産のための設備投資をすると決定した。市場の拡大が見込まれる電気自動車向けにも開発、適用範囲を広げ、脱炭素社会の実現に貢献していく。(2022/3/2)

湯之上隆のナノフォーカス(47):
界面の魅力と日本半導体産業の未来 〜学生諸君、設計者を目指せ!
今回は、「電子デバイス界面テクノロジー研究会」の歴史と、同研究会が行った、半導体を研究している学生48人へのアンケート結果を紹介する。アンケート結果は、非常に興味深いものとなった。(2022/2/24)

福田昭のデバイス通信(346) TSMCが開発してきた最先端パッケージング技術(19):
シリコンフォトニクス技術「COUPE」が導波路とファイバを高い効率で結ぶ
今回は、シリコン光導波路と光ファイバを「COUPE」が高い効率で結合可能であることを示す。(2022/2/15)

合成したSiQDの発光効率は21%:
もみ殻中のガラスを用いてSi量子ドットLEDを開発
広島大学の研究グループは、もみ殻中のガラス(SiO2:シリカ)からオレンジ色に発光するシリコン量子ドット(SiQD)を合成し、これを用いてSiQD LEDを開発した。(2022/2/9)

規格やトポロジーをまとめる:
電気自動車の充電インフラ
電気自動車の充電インフラについて、規格や電力トポロジーをまとめる。さらに、SiCデバイスが鍵を握ることにも触れる。(2022/2/2)

福田昭のデバイス通信(345) TSMCが開発してきた最先端パッケージング技術(18):
シリコンフォトニクス技術「COUPE」の電気的な性能
前回に続き、TSMCが考えるPE(Photonic Engine)の実現方法「COUPE(COmpact Universal Photonic Engine)」を紹介する。今回は、「COUPE」の電気的な性能をシミュレーションした結果をご報告する。(2022/1/28)

東芝 透過型亜酸化銅太陽電池:
発電効率8.4%の透過型亜酸化銅太陽電池を開発
東芝は、タンデム型太陽電池向けに、発電効率8.4%の透過型亜酸化銅太陽電池を開発した。同電池をトップセルにしたタンデム型太陽電池をEVに搭載した場合の試算では、充電なしで1日当たり約35km走行できる。(2022/1/27)

中堅技術者に贈る電子部品“徹底”活用講座(62):
半導体(3) ―― 実際に経験した不良と対策(II)
前回に引き続いて筆者が経験した不良について説明していきます。今回は、ダイシング済みのチップを実装するときの話になります。(2022/1/31)

SiC採用のための電源回路シミュレーション(1):
SiCパワーMOSFETのデバイスモデル、オン時の容量考慮で精度が大幅向上
スイッチング動作が極めて高速なSiCパワーMOSFETを用いた電源回路設計では、回路シミュレーションの必要性に迫られることになるが、従来のモデリング手法を用いたデバイスモデルでは精度面で課題があった。本連載では、この課題解決に向けた技術や手法について紹介する。(2022/1/24)

福田昭のデバイス通信(342) TSMCが開発してきた最先端パッケージング技術(15):
シリコンダイを直接水冷する次世代放熱技術の実力
今回は、3種類の放熱構造で冷却性能を比較した結果を紹介する。(2022/1/17)

imecが発表:
SBDとHEMTを統合したGaNパワー半導体
ベルギーの研究機関であるimecの研究チームは、GaN(窒化ガリウム)パワーICを次のレベルに引き上げ、スマートパワープラットフォーム上にショットキーバリアダイオード(SBD)とHEMT(高電子移動度トランジスタ)を統合したと発表した。(2022/1/5)

太陽光:
太陽光で走る“無充電EV”への期待も、東芝が透過型太陽電池で世界最高効率
東芝が透過型亜酸化銅(Cu▽▽2▽▽O)太陽電池において、世界最高効率を達成。2つの太陽電池セルを重ね合わせ、既存の太陽電池より高い効率を得られる低コストなタンデム型太陽電池の実用化を後押しする成果だという。(2021/12/23)

中堅技術者に贈る電子部品“徹底”活用講座(61):
半導体(2) ―― 実際に経験した不良と対策(I)
今回からは半導体製造工程の流れに従って筆者が経験した不良について説明していきます。(2021/12/20)

福田昭のデバイス通信(337) TSMCが開発してきた最先端パッケージング技術(10):
Siインターポーザを樹脂基板に変更した低コスト版の「CoWoS」
今回からは「CoWoS」の派生品である「CoWoS_R(RDL Interposer)」と「CoWoS_L(Local Silicon Interconnect + RDL Interposer)」の概要を解説する。(2021/12/16)

福田昭のデバイス通信(336) TSMCが開発してきた最先端パッケージング技術(9):
「CoWoS」の標準アーキテクチャが顧客による開発期間を短縮
今回は「CoWoS」の標準仕様について解説する。【訂正あり】(2021/12/6)

EV駆動システムに採用:
Wolfspeed、SiC技術開発でGMとサプライヤー契約を締結
Wolfspeedは、GM(General Motors)の電気自動車(EV)向けSiC(炭化ケイ素)パワーデバイスの開発および提供に向けて同社と戦略的サプライヤー契約を締結した。(2021/12/2)

中堅技術者に贈る電子部品“徹底”活用講座(60):
半導体(1) ―― 半導体の製造工程
今回からは電子回路に欠かせない半導体について説明します。本シリーズでは半導体の市場不良および、その原因を説明するための製造工程の問題を主眼に説明をしていきます。(2021/11/29)

福田昭のデバイス通信(335) TSMCが開発してきた最先端パッケージング技術(8):
10年で5世代の進化を遂げた高性能パッケージング技術「CoWoS」(後編)
前編に続き、「CoWoS(Chip on Wafer on Substrate、コワース)」の進化について解説する。(2021/11/25)

福田昭のデバイス通信(334) TSMCが開発してきた最先端パッケージング技術(7):
10年で5世代の進化を遂げた高性能パッケージング技術「CoWoS」(前編)
今回からは、高性能コンピューティング(HPC)向けパッケージング技術「CoWoS(Chip on Wafer on Substrate、コワース)」を解説する。(2021/11/22)

電子機器設計/組み込み開発メルマガ 編集後記:
パワー半導体の市場拡大に向け、投資を積極化する国内企業
盛り上がっています。(2021/11/15)

組み込み開発ニュース:
自動車と民生に注力する三菱電機のパワーデバイス事業、12インチ化も着々
三菱電機が2021〜2025年度の中期経営計画で重点成長事業の一つに位置付けたパワーデバイス事業の戦略を説明。産業、再エネ、電鉄などの分野をベースロードとしながら、今後は自動車と民生の分野に注力し、2020年度の売上高1480億円、営業利益率0.5%から、2025年度に売上高2400億円以上、営業利益率10%以上に引き上げる方針だ。(2021/11/11)

次世代パワー半導体を担う:
自動車や航空宇宙でも活路を見いだすGaN技術
オランダの半導体メーカーNexperiaが最近主催したイベントの複数の参加者によると、自動車、民生、航空宇宙用途では、電力転換などのアプリケーションにGaN(窒化ガリウム)技術の利点を活用しつつある。(2021/11/5)

組み込み開発ニュース:
コヒーレンス時間は数十μs台、窒化物超伝導量子ビットの開発に成功
情報通信研究機構は、シリコン基板を用いた窒化物超伝導量子ビットを開発した。従来よりもコヒーレンス時間が長く、安定して動作する量子ビットを用いた量子コンピュータや量子ノードの開発が期待される。(2021/10/7)

アプライド マテリアルズ ブログ:
シリコンカーバイド(SiC)が電気自動車の普及に拍車
米国の大手半導体製造装置メーカーであるアプライド マテリアルズ(Applied Materials)のブログの抄訳を紹介する本連載。今回のテーマは電気自動車への搭載が進むSiCデバイスだ。(2021/9/24)

コヒーレンス時間を大幅に改善:
Si基板を用いた窒化物超伝導量子ビットを開発
情報通信研究機構(NICT)は、産業技術総合研究所(産総研)や名古屋大学と共同で、シリコン基板を用いた窒化物超伝導量子ビットを開発したと発表した。従来に比べコヒーレンス時間を大幅に改善した。(2021/9/24)

1000℃の熱処理にも耐える:
大阪市立大学ら、GaNとダイヤモンドを直接接合
大阪市立大学と東北大学、佐賀大学および、アダマンド並木精密宝石らの研究グループは、窒化ガリウム(GaN)とダイヤモンドの直接接合に初めて成功した。GaNトランジスタで発生する温度上昇を、従来の約4分の1に抑えることができ、システムの小型化や軽量化につながるという。(2021/9/14)

湯之上隆のナノフォーカス(41):
「ムーアの法則」は終わらない 〜そこに“人間の欲望”がある限り
「半導体の微細化はもう限界ではないか?」と言われ始めて久しい。だが、相変わらず微細化は続いており、専門家たちの予測を超えて、加速している気配すらある。筆者は「ムーアの法則」も微細化も終わらないと考えている。なぜか――。それは、“人間の欲望”が、ムーアの法則を推し進める原動力となっているからだ。【修正あり】(2021/8/27)

福田昭のデバイス通信(317) imecが語る3nm以降のCMOS技術(20):
10nm以下の極短チャンネルを目指す2次元(2D)材料のトランジスタ
今回は、2次元材料の特長と、集積回路の実現に向けた課題について紹介する。(2021/8/27)

福田昭のデバイス通信(316) imecが語る3nm以降のCMOS技術(19):
サブナノメートル時代を見据える2次元(2D)材料のトランジスタ
「IEDM2020」の講演内容を紹介するシリーズ。今回から、「さらにその先を担うトランジスタ技術(ポストシリコン材料)」の講演部分を解説する。(2021/8/24)

今こそ知りたい電池のあれこれ(5):
リチウムイオン電池の性能を左右する「活物質」とは?【負極編】
今回はリチウムイオン電池に用いられる「負極活物質」について解説していきたいと思います。負極活物質の開発は「リチウム」を活用したエネルギー密度の向上と安全性の担保の兼ね合いが常に求められています。(2021/8/20)

福田昭のデバイス通信(315) imecが語る3nm以降のCMOS技術(18):
次々世代のトランジスタ「シーケンシャルCFET」でシリコンの限界を突破(後編)
後編となる今回は、「シーケンシャル(Sequential)CFET」の具体的な試作例を紹介する。(2021/8/5)

福田昭のデバイス通信(314) imecが語る3nm以降のCMOS技術(17):
次々世代のトランジスタ「シーケンシャルCFET」でシリコンの限界を突破(前編)
今回と次回は「シーケンシャル(Sequential)CFET」の重要な特徴である、ボトム側とトップ側で異なるトランジスタ材料が選べることの利点と、実際にCFETを試作した事例を解説する。(2021/8/3)

福田昭のデバイス通信(311) imecが語る3nm以降のCMOS技術(14):
次々世代のトランジスタ「モノリシックCFET」の製造プロセス
今回から、2種類のCFETの製造プロセスを解説していく。始めは「モノリシックCFET」を取り上げる。(2021/7/21)

電動化:
手乗りサイズのGaNモジュールを富士通ゼネラル子会社が開発、EV補機向けにも展開
富士通ゼネラル傘下の富士通ゼネラルエレクトロニクスが米国トランスフォーム製のGaN-FETチップを採用した最大定格650V/40A級の小型GaNモジュールを開発。200Vクラスを上回る高耐圧で、ゲートドライブ回路を内蔵するとともに、パワーデバイスを4素子以上搭載するフルブリッジ構成のGaNモジュールは「業界初」(同社)だという。(2021/6/16)

富士経済が世界市場を調査:
パワー半導体、2030年に4兆471億円規模へ
パワー半導体市場は2020年の2兆8043億円に対し、2030年は4兆471億円規模に達する見通し――。富士経済が、SiC(炭化ケイ素)などの次世代パワー半導体とSi(シリコン)パワー半導体の世界市場を調査した。(2021/6/15)

VLSIシンポジウム2021:
「VLSI Technologyシンポジウム」の注目論文
今回は、VLSIシンポジウムを構成する「VLSI Technologyシンポジウム」の注目論文を紹介する。なお、これらの注目論文は、VLSIシンポジウム委員会が2021年4月に行った記者会見で紹介されたものだ。(2021/6/7)

研究開発の最前線:
フォノンの応用で遠赤外線センサーを進化、パナソニックのフォノニック結晶構造
パナソニックは、フォトン(photon、光子)ではなく、フォノン(phonon、音子)の応用となる「フォノニック結晶構造」をシリコンウエハー上で量産するための作成方法を開発した。このフォノニック結晶構造は、遠赤外線センサーの感度を約10倍向上できるという画期的な技術である。(2021/5/27)

高品質で低コストの量産技術確立へ:
SiCウエハー製造技術、産学官が連携して共同研究
産業技術総合研究所(産総研)は、次世代パワー半導体用の高品質SiC(炭化ケイ素)ウエハーを低コストで製造するための技術開発に向けて、大型共同研究を始めた。ウエハーメーカーを含む民間企業17社や公的3機関と連携し開発に取り組む。(2021/3/11)

FAニュース:
SiCウエハーの欠陥を無害化するプロセスを開発、SiCデバイスのコスト低減へ
関西学院大学は、高効率のSiCデバイスの製造に必要なSiCウエハーの欠陥を無害化するプロセス技術「Dynamic AGE-ing」を豊田通商と共同開発し、6インチSiCウエハーでの性能検証を完了したと発表した。(2021/3/3)

THzトランジスタの商用化を可能に:
製造コストを削減できるグラフェン製造法を開発
東北大学は、グラフェンを用い低環境負荷で超高速のデバイスを製造する方法を開発した。テラヘルツ(THz)帯で動作する高品質のグラフェントランジスタを、これまでに比べ100分の1以下という安価な製造コストで実現できるという。(2021/2/8)

PR:AI開発×スパコンのSIer、HPCシステムズがAIシステム導入で産官学から支持されるワケ
(2021/1/26)

5Gや車載機器向け発振器に対応:
600Kでも安定動作するGaN系MEMS振動子を開発
物質・材料研究機構(NIMS)は、600K(約326℃)の高温でも安定して動作するGaN(窒化ガリウム)系MEMS振動子を開発した。5G(第5世代移動通信)や車載機器向けタイミングデバイスなどの用途に向ける。(2020/12/16)

安価で毒性のない元素で構成:
NIMSら、近赤外線向け直接遷移型半導体を発見
物質・材料研究機構(NIMS)は、東京工業大学と共同で、カルシウムやシリコン、酸素という安価で毒性元素を含まない、近赤外線向けの直接遷移型半導体を発見した。(2020/12/15)

200℃以下でSi層とGe層を積層:
日台が連携、2nm世代に向けた「hCFET」を開発
日本と台湾の国際共同研究グループは、2nm世代に向けた積層型Si/Ge異種チャネル相補型電界効果トランジスタ「hCFET」を開発した。(2020/12/10)

福田昭のデバイス通信(285) Intelが語るオンチップの多層配線技術(6):
銅配線の微細化限界を左右するダマシン技術
今回は、配線製造プロセスの基本部分である、配線パターンの形成技術「ダマシン(damascene)技術」と「サブトラクティブ(subtractive)技術」にについて解説する。(2020/11/25)


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にわかに地球規模のトピックとなった新型コロナウイルス。健康被害も心配だが、全国規模での臨時休校、マスクやトイレットペーパーの品薄など市民の日常生活への影響も大きくなっている。これに対し企業からの支援策の発表も相次いでいるが、特に今回は子供向けのコンテンツの無料提供の動きが顕著なようだ。一方産業面では、観光や小売、飲食業等が特に大きな影響を受けている。通常の企業運営においても面会や通勤の場がリスク視され、サーモグラフィやWeb会議ツールの活用、テレワークの実現などテクノロジーによるリスク回避策への注目が高まっている。