「シリコン」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

京都大学 工学研究科 教授 木本恒暢氏：
SiCの20年　ウエハーは「中国が世界一」に、日本の強みは何か
次世代パワー半導体材料として注目度が高まる炭化ケイ素（SiC）。SiCパワーデバイスの研究開発は2000年代以降、飛躍的に進展してきた。SiCのこれまでの研究開発やパワーデバイス実用化の道のり、さらなる活用に向けた今後の課題について、京都大学 工学研究科 教授 木本恒暢氏に聞いた。（2025/9/29）

DCグリッドの安全性を担う：
PR：DC遮断を次世代へ導く――インフィニオンが「CoolSiC」ブランド初のJFETを投入
エネルギー損失が少ない送電／配電網として、注目度が高まっている直流（DC）グリッド。この次世代のグリッドではDC電流をいかに高速に遮断できるかが重要になる。そこで脚光を浴び始めているのが炭化ケイ素（SiC）JFETだ。なぜSiC JFETがDC電流遮断に向くのか。SiCデバイスを長年手掛けるインフィニオン テクノロジーズが解説する。（2025/9/25）

福田昭のデバイス通信（502） EETimes Japan 20周年記念寄稿（その3）：
創刊前の20年間（1985年〜2005年）で最も驚いたこと：「高輝度青色発光ダイオード」（前編）
今回は、20周年記念寄稿として発光ダイオード（LED）、特に「高輝度青色発光ダイオード」に焦点を当てます。青色LED開発のブレークスルーを紹介します。（2025/9/17）

TIが性能向上とコスト低減にまい進：
PR：データセンター省エネ化の立役者になるか　GaNデバイスがサーバ用電源を変える
小型で高効率な電源システムを実現できるGaNパワーデバイスの採用領域は、データセンターや自動車に広がりつつある。特に省電力が喫緊の課題となっているデータセンターでは、GaNに大きな期待が寄せられている。日本テキサス・インスツルメンツは、2025年7月に開催された「TECHNO-FRONTIER」で登壇し、データセンターにおけるGaNの活用について語った。（2025/8/25）

電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記：
「コイン1枚に5トンのゾウ4頭分」の応力を制御、300mm GaNウエハーの量産近づく
300mmウエハーでの量産が始まれば、大幅なコスト低減が期待できます。（2025/8/18）

2024年は680億米ドル規模：
車載半導体ランキング、首位はInfineonでルネサスは5位
フランスの市場調査会社Yole Groupによると、2024年の車載半導体市場は680億米ドル規模で、首位はInfineon Technologies。ルネサス エレクトロニクス（以下、ルネサス）は5位だった。（2025/8/18）

木質バイオマス燃焼灰資源化技術の実証開発（1）：
木質バイオマス燃焼灰の類型化
本連載で紹介する取り組みは、環境再生保全機構「令和3年度環境研究総合推進費　ジオポリマーコンクリートに資する木質バイオマス燃焼灰の資源化技術の実証開発（JPMEERF2021G03）」で実施した内容の一部である。第1回目の「木質バイオマス燃焼灰の類型化」では、京都大学大学院 教授の高岡昌輝氏をサブテーマリーダーとした研究グループの研究内容を紹介する。（2025/8/22）

クイズで学ぶ！　半導体の基礎知識：
【問題】GaNパワートランジスタの特長は？
EDN Japanの記事からクイズを出題！　半導体／エレクトロニクス技術の知識を楽しく増やしていきましょう。今回の問題は「GaNパワートランジスタの特長」についてです。（2025/8/12）

既に大手半導体メーカーが採用：
数ナノ単位の積層構造を数分で解析　所要時間は約100分の1に、リガク
リガクは、半導体向けのマイクロスポット高分解能X線回折システム「XTRAIA XD-3300」の本格的な商業生産を開始した。ウエハー上の40μm角以下の微細パッド上で、数ナノメートル単位の積層構造まで非破壊で高精度に解析できる。（2025/8/8）

GaN搭載6.6kW OBC試作品を公開：
「GaNのコストは5年以内にSi並みに」　ロームの勝ち筋は
「窒化ガリウム（GaN）は、遅くとも5年以内にシリコン（Si）のコストに追い付くだろう」――。ロームは、GaNパワー半導体の大きな課題の1つとされるコスト面について、こうした見解を示す。民生向け中心からAIサーバや車載などへの展開が加速し、本格化してきたGaNパワー半導体市場。ロームは、GaNのさらなる普及に注力しながら、独自の強みを生かし市場での存在感を高めていく方針だ。（2025/8/5）

Ge CMOS回路の実現に向けて：
Ge半導体で「電気が流れやすくなる」方法を開発
産業技術総合研究所（産総研）と東北大学は、電極材料にテルル化ビスマス（Bi2Te3）を用い、この薄膜とn型Geを反応させることで、電子が流れやすい界面を形成することに成功した。エネルギー障壁をこれまでの約半分に低減できるという。（2025/8/4）

超格子構造を非破壊で高精度に解析：
半導体向けX線回析システム、計測時間が100分の1に
リガクは、半導体ウエハーのパッド上にある超格子構造を、非破壊で高精度に解析できるX線回析システム「XTRAIA XD-3300」の商業生産を本格的に始めた。既に新工場棟も完成するなど生産能力を増強しており、2030年度には約100億円の売上高を見込む。（2025/7/31）

材料技術：
従来比100分の1の時間で次世代半導体のX線計測が可能なシステム　商業生産を本格化
リガクはマイクロスポット高分解能X線回折システム「XTRAIA （エクストライア）XD-3300」の本格商業生産を開始した。（2025/7/30）

上面放熱パッケージで性能を引き出す：
PR：使いやすいSiCの到来――放熱設計と高速駆動の課題に応えるCoolSiC G2×Q-DPAK
自動車の電動化や再生可能エネルギー産業の成長を背景に、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体の活用が広がっている。かつては高価格／高性能な用途に限られていたが、現在ではウエハー生産量が増加して価格が手ごろになり、幅広い用途での採用が現実的になっている。ここで立ちはだかるのが信頼性や放熱設計、インダクタンス低減といった“使い勝手”の壁だ。インフィニオン テクノロジーズの「CoolSiC MOSFET G2」と表面実装／上面放熱に対応したパッケージ「Q-DPAK」は、こうした設計課題への現実的な解決策を提示する製品だ。（2025/7/28）

アリゾナ工場への投資がヒントに：
GaN撤退のTSMC、その後の戦略を考察する
TSMCが窒化ガリウム（GaN）ファウンドリー事業から撤退するニュースは大きな話題となった。撤退して後の「リソースの余力」を、TSMCはどこに振り分けるのか。（2025/7/24）

廃棄太陽光パネルをリサイクル：
排ガス中のCO2とシリコン廃材からギ酸を合成
横浜国立大学の研究グループは、電源開発や産業技術総合研究所と共同で、排ガス中のCO2とシリコン廃材を直接反応させて、ギ酸を合成することに成功した。（2025/7/17）

SiC／GaNも活用：
AIサーバラックへの電力供給は1台当たり1MW超に　高効率化で備えるInfineon
AIの需要増加で、ネットワーク上のデータ量は急速に増加している。2010年から2025年の15年間で、データ量は145倍になる見込みだ。チップ性能の向上で、計算量も指数関数的に増加していて、シングルプロセッサの電力需要は3〜4カ月ごとに倍増している。これに伴い、AIデータセンターによる送電網への負担、コスト、堅牢性／信頼性が重要な課題となっている。これに対しInfineon Technologiesは、AIデータセンター向けの電力供給システムの開発を進めている。（2025/7/16）

PCIM Expo&Conference 2025：
買収で市場機会拡大、SiC JFET技術獲得でonsemiが狙う新市場
2025年1月にQorvoのSiC JFET事業を買収したonsemiは、AIデータセンター向け電源におけるニーズへの対応やソリッドステート回路遮断器（SSCB）など新たな市場機会の開拓を進めている。（2025/7/15）

Japan Drone 2025：
総合モーターメーカーがドローン参入　エッジAI搭載の速度制御装置とモーターを初披露
総合モーターメーカーのニデックが、ドローン分野への参入をまた一歩前進させた。「Japan Drone 2025」に初出展し、独自開発のESC（電子速度制御装置）と、それを搭載したドローン用モーターを披露。軽量／高効率の設計に加え、エッジAIによる異常検知機能など、空のモビリティーの安全を支える新たな動力技術に注目が集まった。（2025/7/11）

ダイサイズを14％縮小：
ルネサス、Transphorm買収後初のGaN新製品を発売　AIデータセンター向け
ルネサス エレクトロニクスは、650V耐圧の窒化ガリウム（GaN）パワー半導体の新製品を発表した。2024年6月にTransphormを買収して以来初めての新製品だ。（2025/7/11）

材料からモジュールまで垂直統合を実現：
PR：SiCパワーデバイスはもう難しくない　「使いやすさ」を追及するSTの最新テクノロジー
次世代パワーデバイスとして製品投入が進む炭化ケイ素（SiC）MOSFET。効率が高く、電力変換システムを大幅に小型化できるといったメリットはあるものの、従来のシリコンパワーデバイスに比べると、使い勝手の点では課題がある。SiCパワーデバイスを30年にわたり手掛けるSTマイクロエレクトロニクスは、サプライチェーンと設計の両面で、SiCパワーデバイスを使う設計者を支える。（2025/7/11）

レゾナックと東北大学が共同研究：
Si廃棄物とCO2からSiCパワー半導体材料を作製へ
レゾナックと東北大学大学院工学研究科、シリコン廃棄物（シリコンスラッジ）と二酸化炭素（CO2）を用いて、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体材料を作製するための研究を共同で行う。（2025/7/10）

研究開発の最前線：
シリコンスラッジをパワー半導体の原料に 活用に向けた本格検討スタート
レゾナックと東北大学は、シリコンウエハーの製造過程で発生する廃棄物であるシリコンスラッジと炭化ケイ素（SiC）粉末を、パワー半導体のSiC単結晶材料の成長用原料として応用するための基礎検討が完了し、活用に向けた本格検討を開始した。（2025/7/9）

高効率の電力供給システム開発へ：
ロームとNVIDIA、AIファクトリー実現に向け協業
ロームは、次世代AIデータセンターに向けた「800V電力供給アーキテクチャ」の開発で、NVIDIAと協業する。新たなデータセンターの設計に対しロームは、Si（シリコン）に加え、ワイドバンドギャップ半導体のSiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）など、最先端のパワー半導体デバイスを提供していく。（2025/6/19）

セラミック基板に高精細RDL：
JDIの液晶の知見、先端半導体パッケージングの中核技術に
ジャパンディスプレイ（JDI）は「JPCA Show 2025」に台湾を拠点に先端半導体パッケージングやセンサーを手掛けるPanelSemiと共同で出展し、セラミック基板上に高精細RDL（再配線層）配線を形成したサンプルを展示した。（2025/6/10）

山根康宏の海外モバイル探訪記：
8000mAh“デカバ”のスマホ「HONOR Power」ならモバイルバッテリーは不要だ
（2025/6/1）

研究開発の最前線：
シリコンとアルミニウムを用いて高効率なスピントロニクス材料を開発
慶應義塾大学は、高効率で磁気トルクを生み出せるスピントロニクス材料を開発した。安価で安定的に入手が可能なシリコンとアルミニウムを用いてナノ傾斜構造で軌道渦を活用し、磁気トルクを生成する。（2025/5/26）

ホール移動度はアモルファスSiに匹敵：
水素結合性有機薄膜トランジスタ、京都大が開発
京都大学の研究グループは、溶液塗布プロセスを用いて、「水素結合性有機薄膜トランジスタ」を開発することに成功した。溶解性に優れた熱前駆体を用いる薄膜作製法を採用することで、従来の課題を解決した。（2025/5/19）

大量フルーツの皮をむき香りを調合→超巨大型にゼラチンと流し込むと……　約270キロ、26万円かけて完成した“まさかの食べ物”に騒然「すごすぎて理解できない」【海外】
“作ったあとどうするか”にも称賛の声が。（2025/5/17）

工場ニュース：
第一工業製薬がリチウムイオン二次電池用バインダーの生産能力増強
第一工業製薬は、戦略的資源として位置付けられるリチウムイオン二次電池の需要増に対応するため、滋賀工場で負極用水系複合接着剤「エレクセルCR シリーズ」の生産能力を増強した。（2025/5/16）

SiとAlによるナノ傾斜材料を開発：
レアメタルに依存しない次世代メモリ開発が可能に
福岡大学と慶應義塾大学、物質・材料研究機構（NIMS）、中国科学院大学は、シリコン（Si）とアルミニウム（Al）を原子レベルで交互に堆積し、その組成をナノメートルレベルで変える「ナノ傾斜構造」を開発した。そして、この材料が従来のプラチナと比べ、高い効率で磁気トルクを生み出せることを発見した。（2025/5/14）

イベントで高い注目度：
Intel「EMIB-T」で先進パッケージング促進へ
Intelが2025年4月に開催したイベント「Intel Foundry Direct Connect 2025」で注目度が高かったのが「EMIB-T」だ。チップ間をより効率的に接続できるようになるとする。（2025/5/13）

最高エネルギー密度は129.3Wh/kg：
Siナノ粒子をグラファイトに添加、蓄電デバイスが高性能に
秋田大学は、リチウムイオンキャパシター用の「三元複合負極材」を開発した。この負極材を用いて試作したリチウムイオンキャパシターは、129.3Wh/kgという最高エネルギー密度を達成した。（2025/5/8）

電子ブックレット（EDN）：
新入社員が知っておきたい半導体トレンド「次世代パワー半導体」
「EDN Japan」に掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、新入社員が知っておきたい半導体トレンド「次世代パワー半導体材料」に関するおすすめをまとめました。（2025/5/8）

高出力化と電力損失低減を実現：
電力損失を最大79％削減する家電向けSiCモジュール、三菱電機
三菱電機は、家電向けパワー半導体モジュール「SLIMDIP」シリーズでは初のSiC製品となる、フルSiC SLIMDIP「PSF15SG1G6」とハイブリッドSiC SLIMDIP「PSH15SG1G6」を発表した。（2025/4/30）

研究開発の最前線：
効率的にSiC結晶中の単一スピン情報を読み出し成功
京都大学は、室温下で、4H型炭化ケイ素結晶中の単一スピン情報を電気的に読み出すことに成功した。光照射によって生じる光電流を計測するPDMR法を用いて、従来手法の約1.7倍となる信号対雑音比を達成した。（2025/4/25）

従来比10倍で光を検知可能：
AI演算高速化に「磁気」で勝負、TDKが光検知素子を開発
TDKは、高速で光を検知できる独自の素子「Spin Photo Detector（スピンフォトディテクター）」を開発し、原理実証に成功した。小型の光トランシーバーを実現できる可能性があり、今後AIデータセンターでの導入が必要とされる光電融合分野に適用できる技術だとする。（2025/4/23）

デバイスの性能向上と省エネを実現：
半導体デバイスの発熱を制御するメカニズムを発見
東北大学と北海道大学、高輝度光科学研究センターの共同研究チームは、絶縁膜において熱の流れを自在に制御できるメカニズムを発見した。しかも、基板の種類によって膜の構造や振動特性が変化し、熱伝導が大きく変化することを確認した。（2025/4/17）

SiチップとSiCチップを並列接続：
SiC搭載の新型IPMを開発、エアコンの電力消費を大幅削減
三菱電機は、エアコンなどの電力消費を大幅に削減できる「インテリジェントパワーモジュール（IPM）」を新たに開発し、サンプル出荷を始めると発表した。（2025/4/17）

2025年4月7日週の動き：
半導体メーカーの「悲喜こもごも」　絶好調のTSMC、人員削減のST
STMicroelectronicsは2025年4月、製造拠点と従業員の再編を全社的に実施することを明らかにした。またInfineon Technologiesは、Marvell Technology（以下、Marvell）の車載イーサネット事業部門を25億米ドルで買収すると発表している。（2025/4/16）

電動化：
マツダが次世代半導体を使った自動車部品の共同開発をスタート
マツダとロームは、次世代半導体として注目される窒化ガリウム製パワー半導体を使用した自動車部品の共同開発を開始した。次世代半導体の実装化で自動車の技術革新に寄与する。（2025/4/7）

サプライチェーン強化へ：
STと中国Innoscience、GaN開発／製造で提携　互いの拠点活用
STMicroelectronicsは2025年3月31日（スイス時間）、中国の窒化ガリウム（GaN）パワー半導体メーカーであるInnoscienceと、GaN技術の開発と製造に関する契約を締結した。GaNパワー技術の共同開発を行うほか、欧州や中国の製造拠点を互いに活用しサプライチェーン強化を目指す。（2025/4/1）

最適化時間を1000分の1に短縮：
AIで半導体の製造工程を最適化　ウエハーからデバイスまで一気通貫で
名古屋大学や理化学研究所、グローバルウェーハズ・ジャパン、アイクリスタルおよび、ソニーセミコンダクタマニュファクチャリングは、シリコン（Si）ウエハー製造からCMOSイメージセンサー（CIS）製造までの工程を一気通貫で最適化することに成功した。最適化に要する時間も従来の1000分の1に短縮できたという。（2025/4/1）

“散らからない家になる”収納術が参考になる！　片付けエキスパートが勧める無印良品アイテムが新生活に役立ちそう
ただ使うだけではない小さなアイデアも秀逸。（2025/3/18）

材料技術：
三菱電機が環境向け研究開発を披露　ノウハウなしで静電選別が行える検証機とは？
三菱電機は、兵庫県尼崎市の先端技術総合研究所で「グリーン関連研究開発事例 視察会」を開催し、オペレーションのノウハウなしで静電選別が行える検証機を披露した。（2025/3/5）

FLOSFIA出身CEOの再挑戦：
三拍子そろった好材料　次なるパワー半導体「二酸化ゲルマニウム」の可能性
SiCやGaNのさらに次の世代のパワー半導体材料として期待される二酸化ゲルマニウム。その社会実装を目指す立命館大学発のスタートアップ、Patentixで社長兼CEOを務める衣斐豊祐氏と、Co-CTO（共同最高技術責任者）を務める金子健太郎氏に話を聞いた。（2025/2/27）

260℃でも強固な接合強度を発揮：
PR：700℃以上の耐熱性を発揮する「新接合材料」　次世代パワー半導体の接合技術に革新をもたらす
次世代パワー半導体の製造を革新する可能性を持つ接合材料が登場した。千住金属工業が開発した「NFTLP接合材料」だ。接合中に融点が上がり、最終的に接合温度以上の耐熱性を発揮する。耐熱温度は700℃以上と極めて高く、260℃でも十分な接合強度を維持できることを確認している。どのような接合材料なのだろうか。（2025/3/4）

電極構造を温度制御により変える：
「生きた電極材料」でダイオードの性能を向上
大阪大学は、高品質の二酸化バナジウムを電極としてシリコン基板に組み込み、温度制御によって電極構造を変えることができるダイオードを開発した。このデバイスはテラヘルツ光の検出器として、最大10倍以上も性能を向上させたという。（2025/2/7）

第39回 ネプコン ジャパン：
電力損失15％減、三菱電機が第8世代IGBT搭載産業用モジュールを公開
三菱電機は「第39回 ネプコン ジャパン -エレクトロニクス 開発・実装展-」に出展。パワーデバイス事業の戦略を紹介したほか、開発中の8インチSiC-MOSFETウエハーや新開発の第8世代IGBTを搭載した産業用モジュールを展示した。（2025/2/3）

Intelの凋落、終わりなき分断：
2024年の半導体業界を振り返る
本稿では、2024年下半期（7〜12月）の半導体業界をEE Times Japanの記事とともに振り返る。（2025/1/31）