「シリコン」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

3次元実装技術の普及を後押し：
シリコン貫通電極ウエハー全自動研削装置を開発
岡本工作機械製作所は、Si（シリコン）ウエハーの裏面からSi貫通電極を露出させることができる「Si貫通電極ウエハー全自動研削装置」を開発した。同装置を用いると、Si貫通電極の形成プロセスを効率化でき、3次元実装した半導体デバイスのコスト低減や歩留まりを向上させることが可能となる。（2024/11/5）

EE Exclusive：
世界最大級のパワエレ展示会「PCIM 2024」で見た最新動向
世界最大規模のパワーエレクトロニクス専門展示会「PCIM Europe 2024」が2024年6月11〜13日、ドイツで開催された。本稿ではEE Times Japan記者が現地で取材した業界の最新動向および技術などを紹介する。（2024/10/31）

格子不整合を緩和して単結晶化：
SiC低価格化の鍵になるか　ヘテロエピ成長用「中間膜」技術
東京大学発のスタートアップであるGaianixx（ガイアニクス）は「CEATEC 2024」で、同社が手掛ける「多能性中間膜」の技術を展示した。ヘテロエピタキシャル成長用の技術で、さまざまな金属材料の単結晶膜をシリコン基板上に形成できるようになる。（2024/10/24）

自動運転車の実用化を支える：
東北大ら、高屈折率で近赤外光を通す新材料を発見
東北大学は日本電気硝子との共同研究により、屈折率が「5」を超えるなど、シリコンに比べ最大で約1.5倍と極めて高く、しかも近赤外光（波長800〜1200nm）を通す透明な新材料を発見した。（2024/10/22）

2026年4月から稼働予定：
Rapidus、セイコーエプソン千歳事業所に後工程R&D拠点を開設へ
Rapidusは、セイコーエプソン千歳事業所（北海道千歳市）内にクリーンルームを構築し、半導体後工程の研究開発拠点「Rapidus Chiplet Solutions（RCS）」を開設すると発表した。2025年4月から製造装置を導入し、2026年4月を目標に研究開発活動を開始する計画だ。（2024/10/7）

Axus Technologyが開発：
SiCを低コスト化できるか　米装置メーカーのCMP技術
米Axus Technologyが提供するCMP（化学機械研磨）装置は、SiCウエハーのコストを大幅に下げる可能性がある。（2024/10/1）

材料技術：
レゾナックがソイテックとSiCパワー半導体向け貼り合わせ基板の共同開発契約締結
レゾナックは、先進的な半導体基板材料を製造するフランスのソイテックと、パワー半導体に使用される8インチの炭化ケイ素SiCエピウエハーの材料となる8インチSiC貼り合わせ基板の共同開発契約を締結した。（2024/9/26）

組み込み開発ニュース：
Siパワー半導体でSiCと同等レベルの低損失を実現、シャープのFCR回路技術
シャープは、技術展示イベント「SHARP Tech-Day'24」において、Siパワー半導体を用いて次世代に位置付けられるSiCパワー半導体と同等レベルの低損失を実現できるFCR回路技術に関する参考展示を行った。（2024/9/19）

工場建設も続々：
「欧州半導体法」で主導権争いに加わるEU　世界シェア20％を目指す
EUは「欧州半導体法」を制定し、半導体業界における競争力とレジリエンス強化を目指している。同法に基づいて430億ユーロの資金が調達される予定で、既に複数の工場や研究開発施設の建設プロジェクトが進行している。（2024/9/19）

素材／化学メルマガ 編集後記：
高容量急速充電リチウムイオン電池を実現する、βシリコンカーバイドの秘めた“力”
今回は、北陸先端科学技術大学院大学が「大学見本市2024〜イノベーション・ジャパン」で披露した「高容量な急速充電用電池を実現する負極活物質」を紹介します。（2024/9/13）

銀とシリコンの共晶合金を液体急冷：
ワイドバンドギャップ半導体向けの新たな接合材料
大阪大学はダイセルとの共同研究で、銀（Ag）とシリコン（Si）の共晶合金を液体急冷すると、非晶質SiやAg過飽和固溶体の準安定相が出現することを発見した。また、液体急冷Ag−Si合金を大気中で加熱すると、Ag過飽和固溶体に含まれるSiが酸化反応を起こし、副産物としてAgが析出されることも明らかにした。（2024/9/10）

研究開発の最前線：
ダイヤモンド結晶をシリコン振動子上に固定した微小機械応力センシングを開発
東北大学は、ナノメートルサイズのダイヤモンド結晶をシリコン製振動子上に固定し、その振動子の様子をダイヤモンドの光検出磁気共鳴で計測する技術を開発した。（2024/9/6）

量子状態と機械振動の結合も：
ダイヤモンド単結晶で機械振動を効率的に観測
東北大学は、ナノメートルサイズのダイヤモンド（ナノダイヤモンド）結晶をシリコン振動子上に固定し、光検出磁気共鳴（ODMR）法を用いて、振動子上の応力を観測する技術を開発した。（2024/8/27）

次世代800Gbps／1.6Tbps通信を見据え：
200Gbpsの受信用光デバイスを24年内量産へ、三菱電機
三菱電機は2024年8月20日、データセンター向け光トランシーバーに搭載する受信用光デバイスの新製品として、800Gbps／1.6Tbps光ファイバー通信用の200Gビット/秒 pin-PD（Photo Diode）チップ「PD7CP47」を発表した。2024年内の量産開始を見込む。（2024/8/21）

「TECHNO-FRONTIER 2024」：
「STM32」で工場自動化、トータルソリューション提示
STマイクロエレクトロニクスは「TECHNO-FRONTIER 2024」に出展し、工場自動化に向けたFA（ファクトリーオートメーション）ソリューションや住宅向けエネルギーソリューションを紹介した。（2024/8/19）

研究開発の最前線：
シリコンエッチングプロセスの触媒として使用できるGNRの製造法を開発
京都大学は、室温で酸素ドープ型グラフェンナノリボンを合成可能な、新しい炭素細線製造法を開発した。貴金属触媒や炭素系触媒を上回る触媒活性で、シリコンエッチングプロセスの触媒として使用できる。（2024/8/9）

200mm対応の大規模工場が完成：
InfineonがマレーシアのSiC新工場を開所　24年内に出荷へ
Infineon Technologiesは2024年8月8日（マレーシア時間）、マレーシア・クリムの200mm SiC（炭化ケイ素）ウエハー新工場のオープニングセレモニーを開催した。2024年内にもウエハー出荷を開始する予定だ。（2024/8/8）

高いSiプロセス触媒性能を発現：
新手法でグラフェンナノリボンを合成　3D集積への応用に期待
京都大学は、新たに開発した炭素細線製造法を用い、「酸素ドープ型グラフェンナノリボン（GNR）」を合成することに成功した。開発した新材料は、シリコン加工にこれまで用いられてきた貴金属触媒を超えるシリコンプロセス触媒性能が得られるという。（2024/8/5）

170ギガボーレート以上で変調動作：
強誘電体の膜中に光導波路を形成した超高速光変調器
九州大学は、シリコン基板上に強誘電体（PLZT）薄膜を結晶成長させる方法を開発し、「超高速光変調器」を作製することに成功した。6G（第6世代移動通信）を支える高速光データ伝送や、光量子コンピュータなどの用途に向ける。（2024/7/22）

AIデバイス開発への応用も期待：
強誘電体結晶で電気抵抗スイッチング特性を実現
東京大学の研究グループは、酸化物結晶バッファ層とスピンコート法を用い、シリコン基板上に大面積の強誘電体結晶薄膜を作製することに成功したと発表した。作製した薄膜に「ちょうど良い」酸素欠陥量を導入したことで、極めて安定した電気抵抗スイッチング特性を実現した。（2024/7/22）

材料技術：
次世代パワー半導体向け高熱伝導シンタリング銀ペーストのサンプル出荷を開始
住友ベークライトは、次世代パワー半導体向け「高熱伝導シンタリング銀ペースト（150W/m・K）」のサンプル出荷を開始した。2024年12月の量産化を目指している。（2024/7/19）

AC/DC変換回路の実装面積を大幅に削減：
PR：「緻密なゲート駆動制御」はもう要らない　GaN内蔵のフライバックレギュレータ
米MPSは、GaN FETを内蔵したフライバックレギュレータの製品群を拡大している。次世代パワー半導体の材料として期待されるGaNだが、Si MOSFETに比べてGaN FETの扱いは格段に難しい。ゲート駆動がSi MOSFETのように容易ではなく、緻密な制御を要求されるからだ。その難しさを取り除き、GaNソリューションを採用しやすくするのがMPSのGaN FET内蔵フライバックレギュレータだ。（2024/7/8）

福田昭のデバイス通信（464） ECTC現地レポート（2）：
ECTCのプレナリーセッションで新材料のスタートアップ3社を紹介
引き続き、「ECTC 2024」の現地レポートをお届けする。2024年5月30日のプレナリーセッションでは、半導体パッケージングのスタートアップ企業3社が講演を行った。今回は、この3社のプレゼン内容を紹介する。（2024/7/2）

米Advent Diamondが攻勢：
商用利用が近づく「ダイヤモンド半導体」
極めて優れた半導体特性で知られるダイヤモンド。ダイヤモンド半導体の開発は現在、どこまで進んでいるのだろうか。Advent Diamondの技術開発を紹介しながら、現状を伝える。（2024/6/28）

複数年で最大20億米ドルを投資：
オンセミ、チェコに最先端のSiC製造施設を設置
オンセミ（onsemi）は、チェコに最先端のSiC（炭化ケイ素）製造施設を設けると発表した。垂直統合型の製造拠点で、複数年にわたり最大20億米ドル（440億チェココルナ）の投資を計画している。（2024/6/24）

福田昭のデバイス通信（460） 2022年度版実装技術ロードマップ（84）：
半導体の前工程プロセスで製造する「シリコンキャパシタ」
「4.2 基板内蔵部品」のうち、「4.2.2　シリコンキャパシタ」の概要を紹介する。（2024/5/28）

Innovative Tech：
「超高純度のシリコン」の量子ビットを搭載した強力な量子コンピュータ　英国と豪州の研究者らが発表
英マンチェスター大学とオーストラリアのメルボルン大学の研究者らは、天然シリコンに含まれる不純物を取り除いた超高純度のシリコンを用い、信頼性の高い量子ビットを製造する方法を提案した研究報告を発表した。（2024/5/22）

レーザーを“優しく速く”照射する新手法：
PR：今まで見えなかったSiCの不良を「見える化」！　パワー半導体の開発を加速させる不純物解析
次世代パワー半導体の研究・技術開発に欠かせないSiC／GaNウエハーの不良解析が大きく進展しようとしている。サーモフィッシャーサイエンティフィック製のICP-MSとガルバノ光学系搭載フェムト秒レーザーアブレーションシステムを組み合わせた新しい元素分析装置「ガルバノ光学系搭載フェムト秒LA-ICP-MS」は、ウエハーに含まれる微量の不純物元素を高精度かつ高感度で解析する装置だ。既存の分析手法では得られなかったデータを活用できるようになり、次世代パワー半導体の開発や製造に大きく貢献する可能性がある。（2024/5/17）

レアメタルフリーで高性能化：
リチウムイオン電池鉄系正極材料、高容量で高サイクル寿命
北海道大学と東北大学、名古屋工業大学の研究グループは、鉄を主成分とする「リチウムイオン電池正極材料」を開発、高容量で高サイクル寿命を両立させることに成功した。（2024/5/1）

ウエハー生産などの技術共有を目指す：
信越化学、三益半導体工業を完全子会社に　総額680億円
信越化学工業は2024年4月25日、Si（シリコン）ウエハーの加工などを手掛ける三益半導体工業を、TOB（株式公開買い付け）を通じて完全子会社化すると発表した。取得額は約680億円。技術や知見の共有、人的交流の強化を目指す。（2024/4/26）

24年にはSiCベアウエハーがSiを上回る：
パワー半導体向けウエハー市場、2035年に1兆円台へ
富士経済の調査によると、パワー半導体向けウエハーの世界市場は、2024年見込みの2813億円に対し、2035年は1兆763億円規模となる。特にSiC（炭化ケイ素）ベアウエハーは、2024年にSi（シリコン）ウエハーの市場規模を上回る見込みだ。（2024/4/19）

危険なSiH4ガスを使用せず：
高性能シリコン太陽電池を安全に製造する技術を確立、東工大
東京工業大学は2024年3月14日、次世代の高性能太陽電池として期待されているシリコンヘテロ接合太陽電池の製造において、太陽電池用の水素化アモルファスシリコンを、既存手法で用いる強い爆発性／毒性を有するSiH4ガスを使用せずに、高速かつ低ダメージで形成する手法を確立したと発表した。（2024/4/8）

開発プロジェクトを中止したメーカーも：
SiCへの移行は加速するのか？　コストと持続可能性への疑問
アジア太平洋経済協力会議（APEC）のカンファレンスプログラムにて、WolfspeedのCEO（最高経営責任者）であるGregg Lowe氏が「SiC（炭化ケイ素）への移行は止められない」と語った。一方、Power Integrationsの会長兼CEOであるBalu Balakrishnan氏は「SiCがSi（シリコン）ほど高い費用対効果を実現することはない」と異議を唱えた。（2024/3/28）

スマートエネルギーのトータルソリューションプロバイダーへ！：
PR：トリナ・ソーラーが日本市場で新戦略　次世代N型モジュール＋蓄電ソリューションを本格展開
世界的な太陽電池モジュールメーカーのトリナ・ソーラーが日本市場向けの新製品を発表。新型のN型モジュールに加えて住宅・産業用蓄電ソリューションの新製品も投入するなど、“スマートエネルギーのトータルソリューションプロバイダー”としての新たな事業展開を見せている。（2024/3/28）

脱炭素社会の実現に向け：
天野浩氏が語ったGaNパワーデバイスの展望　「エネルギー効率99％以上を目指す」
Si（シリコン）に代わる新しい材料として、SiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）などのWBG（ワイドバンドギャップ）半導体が注目を集めている。名古屋大学教授でノーベル物理学賞受賞者である天野浩氏の講演から、GaN基板／デバイスの研究開発の現状と将来展望を紹介する。（2024/3/26）

リファレンスデザインも多数展示：
TIが語る、電源設計の最新技術トレンドと設計支援の取り組み
日本テキサス・インスツルメンツは2024年3月、電源設計者向けのセミナーを開催。併せて記者説明会も実施し、電源設計の最新技術トレンドや同社の顧客の設計支援に関する取り組みについて語った。（2024/3/21）

オンセミ EliteSiC PIM：
EV／ESS向けの双方向充電可能なSiCパワー統合モジュール
オンセミは、EV向けDC高速充電器とESS向けの双方向充電機能を有する、9種の「EliteSiCパワー統合モジュール（PIM）」を発表した。従来のSi（シリコン） IGBT製品に比べてサイズを最大40％、重量を最大52％低減できる。（2024/2/7）

ネプコンジャパン2024で展示：
xEV用インバーター向けSiCパワー半導体モジュール、三菱電機
三菱電機は、「第1回 パワーデバイス＆モジュール EXPO」（2024年1月24〜26日／東京ビッグサイト）に出展し、xEV（電動車）用インバーターの小型化を可能にするSiC／Siパワー半導体モジュール「J3シリーズ」を展示した。（2024/2/2）

ネプコンジャパン2024：
三菱電機がxEV用パワー半導体モジュールの新製品、SiC-MOSFET前提に設計刷新
三菱電機がEVやPHEVなどxEVのモーター駆動に用いるパワー半導体モジュールの新製品「J3シリーズ」について説明。同社の車載パワー半導体モジュールの量産品として初めてSiC-MOSFETを搭載しており、従来品と比べてモジュールサイズを60％削減するなどモーターを駆動するインバーターの小型化に大きく貢献できる。（2024/1/25）

頭脳放談：
第284回 社会を支えるパワー半導体メーカーの再編にルネサスが参入？　で、パワー半導体って何
ルネサス エレクトロニクスがGaN（窒化ガリウム）技術を持つTransphorm（米国）の買収を発表した。これによりパワー半導体のポートフォリオを拡充するという。そもそもGaN技術やパワー半導体とはどういったものなのだろうか？　筆者が最新の動向を解説する。（2024/1/22）

製造マネジメントニュース：
2025年の有機トランジスタ世界市場は1800億円に、2045年には10.9倍に成長
矢野経済研究所は、次世代有機デバイスの世界市場を調査し、有機トランジスタにおける世界市場規模の予想を発表した。2025年の同市場は1800億円に拡大し、2045年には2025年対比で10.9倍となる1兆9690億円の成長を見込む。（2024/1/17）

研究開発の最前線：
AlN系UWBG半導体材料で、理想的な特性を持つpn接合の作製に成功
旭化成は、窒化アルミニウム系材料を用いた半導体デバイスにおいて、理想的な特性を持つpn接合の作製に成功した。絶縁破壊電界強度は7.3MV／cmで、高電圧に対する耐性を有する。（2024/1/11）

シャント抵抗不要で高効率化と小型化を両立：
PR：「重くて大きい」電源アダプターのサイズが半分に　電流検知機能を統合した新しいGaN FETで実現
ノートPCなどの電源アダプターは「大きくて重いもの」。そんな“常識”が変わるかもしれない。Texas Instruments（TI）が発表した新しいGaN FETは、電流センシング機能を統合したことでAC/DC電力変換システムの高効率化と小型化を両立させられる製品だ。標準的な67W電源アダプターであれば、Si FETを用いた従来品よりも50％小型化できる。電源アダプターやUSB電源の大幅な小型化に大いに貢献するはずだ。（2024/1/11）

福田昭のデバイス通信（438） 2022年度版実装技術ロードマップ（62）：
車載パワーデバイスの出力密度向上手法
今回は、第3章第3節第4項「車載パワーデバイス」から、「パワーデバイスの発展」を解説する。（2024/1/9）

可視光とSWIRを1台で撮像：
ウエハーの透過検査デモ実演、ソニーが532万画素SWIRイメージセンサーを初展示
ソニーセミコンダクタソリューションズは「SEMICON Japan 2023」にて、有効約532万画素の産業向けSWIR（短波長赤外）イメージセンサー「IMX992」を展示した。IMX992は2023年11月に発表した新製品で、現物の展示は初。（2023/12/28）

分布型分極ドーピング手法で形成：
名古屋大ら、AlN系材料で良好なpn接合を作製
名古屋大学と旭化成による研究グループは、窒化アルミニウム（AlN）系材料を用い、極めて良好な特性を示すpn接合を作製した。次世代の高周波デバイスやパワーデバイスに向けて、AlN系材料の応用が期待される。（2023/12/28）

材料技術：
ノベルクリスタルテクノロジーが6インチβ型酸化ガリウム単結晶の作製に成功
ノベルクリスタルテクノロジーは、垂直ブリッジマン（VB）法で6インチβ型酸化ガリウム（β-Ga2O3）単結晶の作製に世界で初めて成功したと発表した。（2023/12/27）

研究開発の最前線：
1000兆分の1アンペアレベルの微小電流標準の確立へ、産総研とNTTが前進
産総研とNTTは、シリコン量子ドットを用いて電子を1粒ずつ精密に制御して大きさの決まったpA単位の微小電流を発生させることに成功したと発表した。fA（1fAは1000兆分の1A）までを含めた、nA以下の微小な電流を正確に発生、測定するための“微小電流標準”の開発につながる成果となる。（2023/12/21）

組み込み開発ニュース：
産業機器向けの有効約532万画素短波長赤外イメージセンサー
ソニーセミコンダクタソリューションズは、産業機器向けに有効約532万画素のSWIRイメージセンサー「IMX992」と、有効約321万画素の「IMX993」を商品化した。0.4〜1.7μmまでの波長帯域で高精細な撮像が可能になる。（2023/12/19）

暗所でも低ノイズの撮像を実現：
「業界最多」532万画素の産業向けSWIRイメージセンサー、ソニー
ソニーセミコンダクタソリューションズが、「業界最多」（同社）の有効約532万画素の産業向けSWIR（短波長赤外）イメージセンサーを開発した。可視光からSWIRまで、1つのセンサーで撮像が可能。また、新たに搭載した撮影モードによって、低照度環境でもノイズを従来比で大幅に抑えている。サンプル出荷は2024年2月を予定している。（2023/11/29）