「シリコン」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

170ギガボーレート以上で変調動作：
強誘電体の膜中に光導波路を形成した超高速光変調器
九州大学は、シリコン基板上に強誘電体（PLZT）薄膜を結晶成長させる方法を開発し、「超高速光変調器」を作製することに成功した。6G（第6世代移動通信）を支える高速光データ伝送や、光量子コンピュータなどの用途に向ける。（2024/7/22）

AIデバイス開発への応用も期待：
強誘電体結晶で電気抵抗スイッチング特性を実現
東京大学の研究グループは、酸化物結晶バッファ層とスピンコート法を用い、シリコン基板上に大面積の強誘電体結晶薄膜を作製することに成功したと発表した。作製した薄膜に「ちょうど良い」酸素欠陥量を導入したことで、極めて安定した電気抵抗スイッチング特性を実現した。（2024/7/22）

材料技術：
次世代パワー半導体向け高熱伝導シンタリング銀ペーストのサンプル出荷を開始
住友ベークライトは、次世代パワー半導体向け「高熱伝導シンタリング銀ペースト（150W/m・K）」のサンプル出荷を開始した。2024年12月の量産化を目指している。（2024/7/19）

AC/DC変換回路の実装面積を大幅に削減：
PR：「緻密なゲート駆動制御」はもう要らない　GaN内蔵のフライバックレギュレータ
米MPSは、GaN FETを内蔵したフライバックレギュレータの製品群を拡大している。次世代パワー半導体の材料として期待されるGaNだが、Si MOSFETに比べてGaN FETの扱いは格段に難しい。ゲート駆動がSi MOSFETのように容易ではなく、緻密な制御を要求されるからだ。その難しさを取り除き、GaNソリューションを採用しやすくするのがMPSのGaN FET内蔵フライバックレギュレータだ。（2024/7/8）

福田昭のデバイス通信（464） ECTC現地レポート（2）：
ECTCのプレナリーセッションで新材料のスタートアップ3社を紹介
引き続き、「ECTC 2024」の現地レポートをお届けする。2024年5月30日のプレナリーセッションでは、半導体パッケージングのスタートアップ企業3社が講演を行った。今回は、この3社のプレゼン内容を紹介する。（2024/7/2）

米Advent Diamondが攻勢：
商用利用が近づく「ダイヤモンド半導体」
極めて優れた半導体特性で知られるダイヤモンド。ダイヤモンド半導体の開発は現在、どこまで進んでいるのだろうか。Advent Diamondの技術開発を紹介しながら、現状を伝える。（2024/6/28）

複数年で最大20億米ドルを投資：
オンセミ、チェコに最先端のSiC製造施設を設置
オンセミ（onsemi）は、チェコに最先端のSiC（炭化ケイ素）製造施設を設けると発表した。垂直統合型の製造拠点で、複数年にわたり最大20億米ドル（440億チェココルナ）の投資を計画している。（2024/6/24）

福田昭のデバイス通信（460） 2022年度版実装技術ロードマップ（84）：
半導体の前工程プロセスで製造する「シリコンキャパシタ」
「4.2 基板内蔵部品」のうち、「4.2.2　シリコンキャパシタ」の概要を紹介する。（2024/5/28）

Innovative Tech：
「超高純度のシリコン」の量子ビットを搭載した強力な量子コンピュータ　英国と豪州の研究者らが発表
英マンチェスター大学とオーストラリアのメルボルン大学の研究者らは、天然シリコンに含まれる不純物を取り除いた超高純度のシリコンを用い、信頼性の高い量子ビットを製造する方法を提案した研究報告を発表した。（2024/5/22）

レーザーを“優しく速く”照射する新手法：
PR：今まで見えなかったSiCの不良を「見える化」！　パワー半導体の開発を加速させる不純物解析
次世代パワー半導体の研究・技術開発に欠かせないSiC／GaNウエハーの不良解析が大きく進展しようとしている。サーモフィッシャーサイエンティフィック製のICP-MSとガルバノ光学系搭載フェムト秒レーザーアブレーションシステムを組み合わせた新しい元素分析装置「ガルバノ光学系搭載フェムト秒LA-ICP-MS」は、ウエハーに含まれる微量の不純物元素を高精度かつ高感度で解析する装置だ。既存の分析手法では得られなかったデータを活用できるようになり、次世代パワー半導体の開発や製造に大きく貢献する可能性がある。（2024/5/17）

レアメタルフリーで高性能化：
リチウムイオン電池鉄系正極材料、高容量で高サイクル寿命
北海道大学と東北大学、名古屋工業大学の研究グループは、鉄を主成分とする「リチウムイオン電池正極材料」を開発、高容量で高サイクル寿命を両立させることに成功した。（2024/5/1）

ウエハー生産などの技術共有を目指す：
信越化学、三益半導体工業を完全子会社に　総額680億円
信越化学工業は2024年4月25日、Si（シリコン）ウエハーの加工などを手掛ける三益半導体工業を、TOB（株式公開買い付け）を通じて完全子会社化すると発表した。取得額は約680億円。技術や知見の共有、人的交流の強化を目指す。（2024/4/26）

24年にはSiCベアウエハーがSiを上回る：
パワー半導体向けウエハー市場、2035年に1兆円台へ
富士経済の調査によると、パワー半導体向けウエハーの世界市場は、2024年見込みの2813億円に対し、2035年は1兆763億円規模となる。特にSiC（炭化ケイ素）ベアウエハーは、2024年にSi（シリコン）ウエハーの市場規模を上回る見込みだ。（2024/4/19）

危険なSiH4ガスを使用せず：
高性能シリコン太陽電池を安全に製造する技術を確立、東工大
東京工業大学は2024年3月14日、次世代の高性能太陽電池として期待されているシリコンヘテロ接合太陽電池の製造において、太陽電池用の水素化アモルファスシリコンを、既存手法で用いる強い爆発性／毒性を有するSiH4ガスを使用せずに、高速かつ低ダメージで形成する手法を確立したと発表した。（2024/4/8）

開発プロジェクトを中止したメーカーも：
SiCへの移行は加速するのか？　コストと持続可能性への疑問
アジア太平洋経済協力会議（APEC）のカンファレンスプログラムにて、WolfspeedのCEO（最高経営責任者）であるGregg Lowe氏が「SiC（炭化ケイ素）への移行は止められない」と語った。一方、Power Integrationsの会長兼CEOであるBalu Balakrishnan氏は「SiCがSi（シリコン）ほど高い費用対効果を実現することはない」と異議を唱えた。（2024/3/28）

スマートエネルギーのトータルソリューションプロバイダーへ！：
PR：トリナ・ソーラーが日本市場で新戦略　次世代N型モジュール＋蓄電ソリューションを本格展開
世界的な太陽電池モジュールメーカーのトリナ・ソーラーが日本市場向けの新製品を発表。新型のN型モジュールに加えて住宅・産業用蓄電ソリューションの新製品も投入するなど、“スマートエネルギーのトータルソリューションプロバイダー”としての新たな事業展開を見せている。（2024/3/28）

脱炭素社会の実現に向け：
天野浩氏が語ったGaNパワーデバイスの展望　「エネルギー効率99％以上を目指す」
Si（シリコン）に代わる新しい材料として、SiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）などのWBG（ワイドバンドギャップ）半導体が注目を集めている。名古屋大学教授でノーベル物理学賞受賞者である天野浩氏の講演から、GaN基板／デバイスの研究開発の現状と将来展望を紹介する。（2024/3/26）

リファレンスデザインも多数展示：
TIが語る、電源設計の最新技術トレンドと設計支援の取り組み
日本テキサス・インスツルメンツは2024年3月、電源設計者向けのセミナーを開催。併せて記者説明会も実施し、電源設計の最新技術トレンドや同社の顧客の設計支援に関する取り組みについて語った。（2024/3/21）

オンセミ EliteSiC PIM：
EV／ESS向けの双方向充電可能なSiCパワー統合モジュール
オンセミは、EV向けDC高速充電器とESS向けの双方向充電機能を有する、9種の「EliteSiCパワー統合モジュール（PIM）」を発表した。従来のSi（シリコン） IGBT製品に比べてサイズを最大40％、重量を最大52％低減できる。（2024/2/7）

ネプコンジャパン2024で展示：
xEV用インバーター向けSiCパワー半導体モジュール、三菱電機
三菱電機は、「第1回 パワーデバイス＆モジュール EXPO」（2024年1月24〜26日／東京ビッグサイト）に出展し、xEV（電動車）用インバーターの小型化を可能にするSiC／Siパワー半導体モジュール「J3シリーズ」を展示した。（2024/2/2）

ネプコンジャパン2024：
三菱電機がxEV用パワー半導体モジュールの新製品、SiC-MOSFET前提に設計刷新
三菱電機がEVやPHEVなどxEVのモーター駆動に用いるパワー半導体モジュールの新製品「J3シリーズ」について説明。同社の車載パワー半導体モジュールの量産品として初めてSiC-MOSFETを搭載しており、従来品と比べてモジュールサイズを60％削減するなどモーターを駆動するインバーターの小型化に大きく貢献できる。（2024/1/25）

頭脳放談：
第284回 社会を支えるパワー半導体メーカーの再編にルネサスが参入？　で、パワー半導体って何
ルネサス エレクトロニクスがGaN（窒化ガリウム）技術を持つTransphorm（米国）の買収を発表した。これによりパワー半導体のポートフォリオを拡充するという。そもそもGaN技術やパワー半導体とはどういったものなのだろうか？　筆者が最新の動向を解説する。（2024/1/22）

製造マネジメントニュース：
2025年の有機トランジスタ世界市場は1800億円に、2045年には10.9倍に成長
矢野経済研究所は、次世代有機デバイスの世界市場を調査し、有機トランジスタにおける世界市場規模の予想を発表した。2025年の同市場は1800億円に拡大し、2045年には2025年対比で10.9倍となる1兆9690億円の成長を見込む。（2024/1/17）

研究開発の最前線：
AlN系UWBG半導体材料で、理想的な特性を持つpn接合の作製に成功
旭化成は、窒化アルミニウム系材料を用いた半導体デバイスにおいて、理想的な特性を持つpn接合の作製に成功した。絶縁破壊電界強度は7.3MV／cmで、高電圧に対する耐性を有する。（2024/1/11）

シャント抵抗不要で高効率化と小型化を両立：
PR：「重くて大きい」電源アダプターのサイズが半分に　電流検知機能を統合した新しいGaN FETで実現
ノートPCなどの電源アダプターは「大きくて重いもの」。そんな“常識”が変わるかもしれない。Texas Instruments（TI）が発表した新しいGaN FETは、電流センシング機能を統合したことでAC/DC電力変換システムの高効率化と小型化を両立させられる製品だ。標準的な67W電源アダプターであれば、Si FETを用いた従来品よりも50％小型化できる。電源アダプターやUSB電源の大幅な小型化に大いに貢献するはずだ。（2024/1/11）

福田昭のデバイス通信（438） 2022年度版実装技術ロードマップ（62）：
車載パワーデバイスの出力密度向上手法
今回は、第3章第3節第4項「車載パワーデバイス」から、「パワーデバイスの発展」を解説する。（2024/1/9）

可視光とSWIRを1台で撮像：
ウエハーの透過検査デモ実演、ソニーが532万画素SWIRイメージセンサーを初展示
ソニーセミコンダクタソリューションズは「SEMICON Japan 2023」にて、有効約532万画素の産業向けSWIR（短波長赤外）イメージセンサー「IMX992」を展示した。IMX992は2023年11月に発表した新製品で、現物の展示は初。（2023/12/28）

分布型分極ドーピング手法で形成：
名古屋大ら、AlN系材料で良好なpn接合を作製
名古屋大学と旭化成による研究グループは、窒化アルミニウム（AlN）系材料を用い、極めて良好な特性を示すpn接合を作製した。次世代の高周波デバイスやパワーデバイスに向けて、AlN系材料の応用が期待される。（2023/12/28）

材料技術：
ノベルクリスタルテクノロジーが6インチβ型酸化ガリウム単結晶の作製に成功
ノベルクリスタルテクノロジーは、垂直ブリッジマン（VB）法で6インチβ型酸化ガリウム（β-Ga2O3）単結晶の作製に世界で初めて成功したと発表した。（2023/12/27）

研究開発の最前線：
1000兆分の1アンペアレベルの微小電流標準の確立へ、産総研とNTTが前進
産総研とNTTは、シリコン量子ドットを用いて電子を1粒ずつ精密に制御して大きさの決まったpA単位の微小電流を発生させることに成功したと発表した。fA（1fAは1000兆分の1A）までを含めた、nA以下の微小な電流を正確に発生、測定するための“微小電流標準”の開発につながる成果となる。（2023/12/21）

組み込み開発ニュース：
産業機器向けの有効約532万画素短波長赤外イメージセンサー
ソニーセミコンダクタソリューションズは、産業機器向けに有効約532万画素のSWIRイメージセンサー「IMX992」と、有効約321万画素の「IMX993」を商品化した。0.4〜1.7μmまでの波長帯域で高精細な撮像が可能になる。（2023/12/19）

暗所でも低ノイズの撮像を実現：
「業界最多」532万画素の産業向けSWIRイメージセンサー、ソニー
ソニーセミコンダクタソリューションズが、「業界最多」（同社）の有効約532万画素の産業向けSWIR（短波長赤外）イメージセンサーを開発した。可視光からSWIRまで、1つのセンサーで撮像が可能。また、新たに搭載した撮影モードによって、低照度環境でもノイズを従来比で大幅に抑えている。サンプル出荷は2024年2月を予定している。（2023/11/29）

福田昭のデバイス通信（431） 2022年度版実装技術ロードマップ（55）：
パワーデバイスの温度上昇が接合と放熱構造の変革を促す
今回は、「パワーデバイスにおける接合材料の現状と課題」の概要を紹介する。（2023/11/21）

電動化：
電動化1.7兆円、ADAS1兆円へ、ソフトと半導体を強化するデンソー
デンソーは新体制での経営方針や技術戦略について発表した。2030年度に売上高7.5兆円を目標とする。このうち、電動化で1.7兆円、ADASで1兆円の売り上げを目指す。（2023/11/16）

ダイシングに比べて切るスピードが最大100倍に：
PR：SiCウエハー切断に革新をもたらす新工法　「ガラス加工の常識」で半導体市場に挑む
次世代パワーデバイスの材料として開発が進むSiC（炭化ケイ素）。半導体としての特性は優れるものの、非常に硬く、SiCウエハーからダイを切り出すダイシングの工程にかなりの時間がかかるのが難点だ。半導体産業に近年参入した三星ダイヤモンド工業は、従来のダイシングとは全く異なる切断工法「スクライブ＆ブレーク」を提案する。ガラスや液晶パネルの切断加工を長年手掛けて「切る技術」を磨いてきた同社の工法によって、SiCウエハーの切断スピードを最大で従来の100倍に高速化できるという。（2023/11/16）

MBE法を用い高密度で高均一に：
シリコン基板上にInAs量子ナノワイヤーを作製
電気通信大学は、高密度で均一性に優れたInAs（インジウムヒ素）量子ナノワイヤーを、Si基板上へ作製することに成功した。開発した結晶成長技術を応用すれば、量子デバイスのさらなる高機能化や高集積化が可能になるという。（2023/11/15）

CEATEC 2023：
GaN層を超低欠損で成膜できる新工法がCEATEC AWARD受賞、マイクロLED普及に弾み
京セラは、「CEATEC 2023」において、高品質なGaN結晶層を形成する技術により、高い歩留まりと低コストでマイクロLEDやマイクロレーザー基板を作成できる新工法を紹介した。同技術は「CEATEC AWARD 2023」におけるアドバンストテクノロジー部門のグランプリを受賞している。（2023/10/18）

材料技術：
安価な縦型GaNを作れる新技術、QST基板のリサイクル技術も開発中
OKIと信越化学工業は、信越化学工業が独自改良したQST基板から窒化ガリウム機能層のみをOKIのCFB技術で剥離し、異種材料基板へ接合する技術について説明した。（2023/10/6）

2024年にSBDを本格量産へ：
訪れた「酸化ガリウム時代の幕開け」　FLOSFIA社長
FLOSFIAは、酸化ガリウム（α-Ga2O3）パワーデバイスの開発を手掛ける2011年創業の京都大学発ベンチャーだ。同社は2015年に、酸化ガリウムを使用したSBD（ショットキーバリアダイオード）を「GaO-SBD」というブランド名で製品化し、サンプル提供を開始した。それ以降、量産化に苦しんだものの、ようやく2024年に本格量産を開始するメドが立った。FLOSFIA社長の人羅俊実氏に現在の意気込みを聞いた。（2023/10/3）

有機金属気相成長法で実現：
東京農工大、高純度のβ型酸化ガリウム結晶を高速成長
東京農工大学は、大陽日酸および大陽日酸CSEと共同で、有機金属気相成長（MOVPE）法を用い、高純度のβ型酸化ガリウム結晶を高速成長させることに成功した。電力損失を大幅に低減した次世代パワーデバイスの量産につながる技術とみられている。（2023/10/2）

福田昭のデバイス通信（423） 2022年度版実装技術ロードマップ（47）：
液晶と有機ELが高画質化で競り合うテレビ用ディスプレイ（前編）
今回から、テレビ（TV）用ディスプレイの概要を紹介する。本稿では、TV用ディスプレイの市場予測と、ディスプレイ駆動TFTの種類を取り上げる。（2023/9/29）

製造マネジメントニュース：
東芝がドイツで新たな技術拠点を開設、コア技術を応用した新技術の創出を狙う
東芝は、同社グループが経営方針で掲げる「デジタル化を通じたカーボンニュートラル／サーキュラーエコノミー」の実現を加速するため、ドイツのデュッセルドルフに新しい技術拠点「Regenerative Innovation Centre」を開所したと発表した。（2023/9/21）

「業界最高」の正確性：
ボタン1つでSiC/GaNパワーモジュールの動特性を評価
キーサイト・テクノロジーは同社のユーザー向けイベント「Keysight World 2023」で、SiC／GaNパワーモジュールの評価に対応した最新パワーデバイスアナライザー「PD1550A」の実機を国内で初めて展示した。（2023/9/14）

製造マネジメントニュース：
ワイドバンドギャップ半導体単結晶の市場規模は2030年に17倍に成長
矢野経済研究所は、世界のワイドバンドギャップ半導体単結晶市場を調査したレポートで、2030年のワイドバンドギャップ半導体単結晶世界市場を3176億1200万円になると予測した。（2023/8/29）

PV用インバーターを小型軽量化：
東芝D＆S、耐圧2200VのSiC MOSFETを開発
東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は、耐圧2200VのSiC（炭化ケイ素）MOSFETを開発した。太陽光発電（PV）用インバーターシステムの小型軽量化が可能になる。【訂正あり】（2023/8/18）

Ga2O3パワー半導体の開発を加速：
三菱電機、ノベルクリスタルテクノロジーに出資
三菱電機は、パワー半導体用酸化ガリウム（Ga2O3）ウエハーを開発、製造、販売するノベルクリスタルテクノロジーに出資した。これを機に、三菱電機はGa2O3を用いたパワー半導体の研究開発を加速していく。（2023/8/16）

界面の欠陥準位密度は約1/4に：
SiCデバイスの絶縁膜界面における欠陥を大幅低減
大阪大学の研究グループは、SiC（炭化ケイ素）パワーデバイスの絶縁膜界面における欠陥を大幅に減らす技術を開発した。SiC MOSFETの性能や信頼性のさらなる向上につながる技術とみられている。（2023/8/7）

需要増の見込み薄く：
鳥取工場の液晶パネル生産を25年3月に終了、JDI
ジャパンディスプレイ（JDI）が、鳥取工場での第4世代液晶パネル生産を2025年3月に終了する。生産終了後、同工場は戦略拠点として事業を継続する予定だ。（2023/8/3）

ローム BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB：
GaN HEMT採用パワーステージIC
ロームは、GaN（窒化ガリウム）パワーステージIC「BM3G015MUV-LB」「BM3G007MUV-LB」を開発した。650V GaN HEMTやゲート駆動用ドライバなどを1パッケージ内に搭載している。Si MOSFETから容易に置き換えて、部品体積を約99％、電力損失を約55％削減できる。（2023/8/2）

材料技術：
世界最小レベルの特性オン抵抗の酸化ガリウムSBD、月産100万個の量産体制構築
FLOSFIAは、「TECHNO-FRONTIER 2023（テクノフロンティア2023）」で、独自の成膜技術「ミストドライ法」やこの方法を用いて結晶成長させた酸化ガリウムのパワーデバイスを披露した。（2023/8/1）