AlN系UWBG半導体材料で、理想的な特性を持つpn接合の作製に成功研究開発の最前線

旭化成は、窒化アルミニウム系材料を用いた半導体デバイスにおいて、理想的な特性を持つpn接合の作製に成功した。絶縁破壊電界強度は7.3MV/cmで、高電圧に対する耐性を有する。

» 2024年01月11日 11時00分 公開
[MONOist]

 旭化成は2023年12月14日、窒化アルミニウム(AlN)系材料を用いた半導体デバイスにおいて、理想的な特性を持つpn接合の作製に成功したと発表した。名古屋大学との共同研究による成果だ。

 AlN系ウルトラワイドバンドギャップ(UWBG)は、次世代の高周波デバイスやパワーデバイス材料として注目されている。UWBG半導体は、従来のシリコン(Si)やガリウムヒ素(GaAs)の5倍以上の禁制帯幅(バンドギャップ)を有する。しかし、理想的なpn接合の実現は難しいという課題があった。

 そこで、旭化成と名古屋大学の研究グループは、下地材料として旭化成の子会社クリスタル・アイエスが開発した高品質なAlN単結晶基板を使用。AlN系薄膜結晶成長技術(エピタキシャル成長技術)を用いた分布型分極ドーピング(distributed polarization doping:DPD)により、AlN単結晶基板上にpn接合ダイオードを作製した。

キャプション 作製したデバイスの断面構造[クリックで拡大] 出所:旭化成

 作製したpn接合は、電流−電圧特性、電圧−容量特性、電流注入による発光特性に優れており、絶縁破壊電界強度は7.3MV/cmを示した。これは、従来の半導体Siの25倍、WBG半導体の炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)の2倍で、高電圧に対する耐性を有することが分かった。

キャプション 絶縁破壊電界のベンチマーク[クリックで拡大] 出所:旭化成

 半導体デバイスは、n型とp型の半導体の組み合わせで成り立つ。それぞれの型の作製には不純物の添加(ドーピング)が必要だが、UWBG半導体では従来手法が適用できなかった。

 今回、理想的なAlN系pn接合が可能になったことで、今後AlN系材料の研究が活発化することが期待される。

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