EVの年間走行距離を1600km伸ばす、TIがリアルタイム可変ゲートドライバで実現：組み込み開発ニュース

日本TIは、EVの走行モーター用インバーターへの搭載が進みつつあるSiC-MOSFETやIGBTを高効率に駆動する絶縁型ゲートドライバIC「UCC5880-Q1」を発表した。

[朴尚洙，MONOist]

　日本テキサスインスツルメンツ（以下、日本TI）は2023年5月16日、オンラインで会見を開き、EV（電気自動車）の走行モーター用インバーターへの搭載が進みつつあるSiC-MOSFETやIGBTを高効率に駆動する絶縁型ゲートドライバIC「UCC5880-Q1」を発表した。SiC-MOSFET搭載インバーター（SiCインバーター）の高速スイッチング時の損失を抑制できる駆動電流をリアルタイムで可変する機能が最大の特徴で、SiCインバーターのシステム効率を最大2％向上させられるという。既にサンプル出荷を行っており、1000個注文時の単価（参考価格）は5.9米ドルとなっている。

TIの絶縁型ゲートドライバIC「UCC5880-Q1」の特徴［クリックで拡大］ 出所：日本TI

TIのマーク・イング氏

　UCC5880-Q1は、リアルタイム可変ゲート駆動機能の他、インタフェースはSPIを搭載しており、駆動対象となるSiC-MOSFETの高度なモニタリングと保護が可能で、自動車向け機能安全規格であるISO 26262に準拠するための診断機能も備えている。リアルタイム可変ゲート駆動機能では、20〜5Aの単位で駆動電流をリアルタイムに変更することができる。

　TI米国本社 ゼネラル・マネージャ HEV/EV事業部のマーク・イング（Mark Ng）氏は「EVの走行モーター用インバーターの効率は既に90％以上に達しており、さらなる効率向上は容易ではない。しかしUCC5880-Q1の採用によって2％の効率向上を実現できれば、1回の車載バッテリーの満充電につき走行距離を最大7マイル（約11.2km）伸ばすことができる。これは、EVを週3回充電する場合には、年間で約1000マイル（約1600km）走行距離を伸ばせることになる」と語る。

「UCC5880-Q1」によりEVの年間走行距離を1600km伸ばせる［クリックで拡大］ 出所：日本TI

　TIは、EVの普及に貢献する製品群を展開しており、走行距離の最大化、充電改善、低コスト化、安全な動作の実現などが開発のテーマになっている。今回発表したUCC5880-Q1は、走行距離の最大化に貢献するだけでなく、設計の複雑さを低減することも狙いになっている。特に、絶縁型バイアス電源モジュール「UCC141410-Q1」との組み合わせによって、部品点数の削減と電力密度の向上が期待できる。

TIのEV普及に貢献する製品群［クリックで拡大］ 出所：日本TI

　UCC5880-Q1とUCC141410-Q1を2個ずつ搭載する評価基板も既に発売している。価格は249米ドルだ。この他にも、800V／300kWのSiCインバーターのレファレンスデザインも提供している。インバーターを構成するICは先述したTIのEV普及に貢献する製品群で構成されており、SiCモジュールのみWolfspeed製となっている。

「UCC5880-Q1」と「UCC141410-Q1」を2個ずつ搭載する評価基板［クリックで拡大］ 出所：日本TI

SiCインバーターのレファレンスデザイン［クリックで拡大］ 出所：日本TI

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