　インダクタンスが低減したことで、スイッチング時の電圧の振れと損失が抑えられ、SiCパワー半導体素子の持つ高速スイッチングを生かした高周波駆動が可能になった。リアクトルの体積を従来技術と比べて80％削減できたほか、デッドスペースなどを削減することで、136kW/Lと高電力密度を誇る電力変換器の開発につながった。

　開発した電力変換器のサイズは240×180×17mmで、パワーエレクトロニクス機器の小型化に貢献する。同社は今後、制御回路なども基板上に実装し、より高度な集積化技術を開発する。

三菱電機がMEMS式LiDARを開発、10cm角サイズで水平視野角は120度
三菱電機は、水平・垂直の2軸で走査する電磁駆動式MEMS（微小電子機械システム）ミラーを搭載し、小型で広い水平視野角を持つ「MEMS式車載LiDAR（ライダー）」を開発した。今後は、さらなる小型化や垂直視野角の拡大を進め、2025年度以降の実用化を目指す。
EV用パワコンの体積が半分に、三菱電機が小型化技術を新開発
三菱電機は2020年1月29日、EV用パワーコンディショナーの小型化技術を開発したと発表した。小型化により、一般家庭への導入が進展すると予想される。
人の曖昧な命令を自動補完するエッジAI、三菱電機が2022年にも製品搭載へ
三菱電機は人の曖昧な命令をエッジ機器単体で状況に応じて不足情報を自動補完して理解する「コンパクトな知識処理に基づくHMI制御技術」を開発した。同社のAI技術「Maisart」の1つで、テレビやカーナビゲーションシステムなどに用いられているプロセッサやメモリでも利用可能なエッジAI技術となる。
人が邪魔しても避けて作業するロボットシステム、三菱電機が披露
三菱電機は「IIFES2019」（2019年11月27～29日、東京ビッグサイト）において、人とロボットが自然な形で手伝い合う関係を示すデモラインを披露した。参考出品の、協業ロボットと出資関係のあるRealtime Roboticsの技術などを組み合わせ、人が手を入れてもそれを避けて自然に作業を続けることができることを示した。
三菱電機から「世界最高レベル」のトレンチ型SiC-MOSFET、信頼性と量産性も確保
三菱電機は、1500V以上の耐圧性能と、「世界最高レベル」（同社）の素子抵抗率となる1cm2当たり1.84mΩを両立するトレンチ型SiC-MOSFETを開発した。家電や産業用機器、自動車などに用いられるパワーエレクトロニクス機器の小型化や省エネ化に貢献する技術として、2021年度以降の実用化を目指す。
三菱電機とAISTがダイヤモンド基板GaN-HEMTの開発に成功、無線機器の高効率化に
三菱電機は2019年9月2日、産業技術総合研究所（産総研）と共同で、放熱基板として単結晶ダイヤモンドを用いたマルチセル構造のGaN（窒化ガリウム）-HEMT（高電子移動度トランジスタ）を世界で初めて（同社調べ）開発したと発表した。