＊1）今回は出願年に注目する目的で、商用の特許データベースを試用した。特許出願年と特許件数の関係には注意を要する。今回の特許調査時期は2012年7月である。特許の出願から公開までが通常1.5年を要することから、2010年までに出願された特許に限り、ほぼ全件を確認できていると考えられる。
　ドイツを拠点とする企業（例：ドイツSiemensから分離し、その後ローム傘下となったドイツSiCrystal）の特許出願ルートには、WO特許／PCT経由、欧州特許、ドイツ特許という3つがある。（1）WO特許／PCT経由については注4を参照。（2）欧州特許とは、欧州特許条約（European Patent Convention）に基づく特許出願である。欧州特許庁で審査され、特許付与された場合、指定国へ翻訳文を提出することで、その国で特許として効力が得らる。（3）ドイツ特許とはパリ条約に基づく自国特許庁への特許出願である。自国特許庁で審査され、特許付与された場合、自国で特許として効力が得られる。なお、ドイツ特許の外国出願では、所定期限内に翻訳文を作成して優先権主張すれば、外国においても自国出願日が確保される。
　WO特許／PCT経由の制度では、手続きを統一的に行うのみであるが、欧州特許の制度では、実体的な審査まで統一的に行う点が異なる。

図1　各国におけるSiCウエハー関連特許の出願件数推移　図左上から右下へ、ドイツ、日本、米国、欧州、中国、韓国の2000年から2012年までの出願件数を示した。最下段はWO特許／PCT経由の件数である。縦軸の目盛りは全ての国地域で同じ縮尺とした（件数が50と100、150の部分に横棒を引いた）。なお、各国の累積値は2000年から2012年以外の時期の件数を含む。クリックで拡大

　図1から、SiCウエハー関連分野では日本^＊2）、欧州、米国^＊3）の特許出願件数が多く、WO特許／PCT経由の出願^＊4）がコンスタントにあることが読み取れます。しかも、WO特許／PCT経由の出願は、日本、中国への出願と共に増加傾向にあることも分かります。なお、韓国特許出願件数は2008年に増加から横ばい傾向に変わり、中国特許出願件数は2010年まで増加傾向にあります。

　このような特許出願件数推移から、韓国と中国のSiCウエハー関連事業への本格的参入や中国の市場性の高さがうかがえます。

＊2）「日本企業の自国出願となる日本公開特許出願件数」は、「他の国／地域を拠点とする企業の自国／自地域への公開特許出願件数」よりも多い傾向にある。しかも、「日本への出願は外国企業にとっては、翻訳費用を必要とする外国への出願である」ことも考慮する必要がある。

＊3）米国の特許公開制度では、2000年11月29日出願以降のものが対象となる。このため、2000年の米国公開特許件数は極めて少ない件数に見える。

＊4）各国／地域への特許出願は、2種類ある。1つは、パリ条約に基づく各国特許庁への特許出願。もう1つはPCT（Patent Cooperation Treaty：特許協力条約）に基づくWO特許だ。WO特許は国際公開特許であるため、発行されるのは公開公報のみである。国際出願（PCT出願）を行った後に指定国の特許庁へ翻訳文を提出することで、各国での審査を経て国ごとの登録公報が発行され、特許の効力が得られる。PCT出願については関連記事を参照。

GaNウエハー関連特許出願から見た各国／地域の技術開発動向

　では、次に世界のGaNウエハー関連特許の出願動向を探ってみましょう（図2）。

図2　各国におけるGaNウエハー関連特許の出願件数推移　図左上から右下へ、ドイツ、日本、米国、欧州、中国、韓国の2000年から2012年までの件数を示した。最下段はWO特許／PCT経由の出願件数である。縦軸の目盛りは全ての国地域で同じ縮尺である（100件と200件、300件に横棒を引いた）。クリックで拡大

　図2から、GaNウエハー関連分野では日本、欧州、中国の特許出願件数が多く、しかも各地域／国とも2010年から出願件数が減少していることが分かります。なお、今回のGaNウエハー関連特許群にはパワー半導体用だけでなく、既に産業化されているLED用GaNウエハー関連特許も含まれています^＊5）。

＊5）特許を抽出するために用いた今回の簡易検索式では、GaNウエハー特許群を「パワー半導体用」と「LED用」の2つの用途ごとに十分に切り分けることができなかった。検索式については本文末の囲み記事を参照。

日本公開系特許から見たウエハーの技術開発動向

　　　　　　 1|2|3|4 次のページへ