　今回開発したSiC単結晶基板は、これまで同社が培ってきたSiC単結晶成長技術や基板加工技術をベースに、新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）のグリーンイノベーション基金事業で得た成果の一部を活用した。同基金内の「次世代パワー半導体に用いるウェハ技術開発」で、同社は「次世代グリーンパワー半導体に用いるSiCウェハ技術開発」を進めている。

　300mm口径の開発は、SiC基板やSiCエピウエハーの大口径化と高品質化に向けた、重要な技術的マイルストーンとなる。今後も高性能かつ高信頼性なSiC材料を提供し、パワーエレクトロニクス市場の進化に貢献するとしている。

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