微細化が進展するにつれて、配線間や層間に使う低比誘電率(Low-k)絶縁膜材料の重要度が増している。低比誘電率の絶縁膜材料を使わなければ、配線間寄生容量が大きくなり、信号の伝送遅延や消費電力の増大を引き起こすからだ。アルバックは、このような次世代システムLSIに向けて、低比誘電率絶縁膜材料「ULKS Ver.3」を開発した。
アイティメディアがモノづくり分野の読者向けに提供する「@IT MONOist」「EE Times Japan」に掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。本日はEE Times Japanの記事『既存の量産製造プロセスでそのまま使える、比誘電率が2.0と低い層間絶縁膜材料』をお届けします。
微細化が進展するにつれて、配線間や層間に使う低比誘電率(Low-k)絶縁膜材料の重要度が増している。低比誘電率の絶縁膜材料を使わなければ、配線間寄生容量が大きくなり、信号の伝送遅延や消費電力の増大を引き起こすからだ。アルバックは、このような次世代システムLSIに向けて、低比誘電率絶縁膜材料「ULKS Ver.3」を開発した。
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