電力変換用に用いられてきたSi(シリコン)パワー半導体の性能はこれ以上伸びそうにない。このような状況で脚光を浴びているのが、実力でSiを大きく上回るSiC(炭化ケイ素)やGaN(窒化ガリウム)を用いたパワー半導体である。例えば、SiCをインバーターに用いたときの損失は、従来のSi素子を用いたときに比べて1/100になる可能性がある。
アイティメディアがモノづくり分野の読者向けに提供する「@IT MONOist」「EE Times Japan」に掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。本日はEE Times Japanの記事『動き出すSiCパワー半導体』をお届けします。
電力変換用に用いられてきたSi(シリコン)パワー半導体の性能はこれ以上伸びそうにない。このような状況で脚光を浴びているのが、実力でSiを大きく上回るSiC(炭化ケイ素)やGaN(窒化ガリウム)を用いたパワー半導体である。例えば、SiCをインバーターに用いたときの損失は、従来のSi素子を用いたときに比べて1/100になる可能性がある。
電子ブックレットのダウンロードはこちら→動き出すSiCパワー半導体
・電子ブックレットはPDFファイルで作成されています。
・電子ブックレットは無償でのご提供となりますが、アイティメディアIDへの登録が必要となります。登録ユーザーではない場合や、登録済みのプロファイルに一部不足がある場合などは、ダウンロードリンクをクリックすると登録画面へジャンプします。
・電子ブックレット内の記事は、基本的に記事掲載時点の情報で記述されています。そのため一部時制や固有名詞などが現状にそぐわない可能性がございますので、ご了承ください。
Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.